MOSFET
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JFET-MOSFET耳机电路图
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机电路图 JFET-MOSFET耳机电路图
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流
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MOSFET的驱动保护电路的设计与应用
摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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五种降低离线反向电源功耗的方法
就电源而言，要想满足当今苛刻的效率要求是颇具挑战性的。光是理解终端设备、电源点评以及管理机构间众多不同的计划和指令就已经很困难了。这些指令包括能源指令、加利福尼亚能源委员会以及欧盟待机效率倡议等。然而
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五种降低离线反向电源功耗的方法
就电源而言，要想满足当今苛刻的效率要求是颇具挑战性的。光是理解终端设备、电源点评以及管理机构间众多不同的计划和指令就已经很困难了。这些指令包括能源指令、加利福尼亚能源委员会以及欧盟待机效率倡议等。然而
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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华虹NEC：深耕特色工艺平台，辐射热点应用
作为特色工艺技术纯代工企业，华虹NEC致力于打造特色工艺平台，目前已形成嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压CMOS/显示驱动、射频和功率器件等五大特色工艺平台。在今年IIC-China展会上，华虹NEC集中展示
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如何控制驱动VR
为减小导通损耗及反向恢复损耗，同步整流需要精确的时间控制电路，虽然已有几种方法来产生控制信号，我们现在采用一种从反馈系统来有源控制的栅驱动信号的定时系统。其关键优点在于该电路将根据元件状态的变化来特别
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飞兆半导体推出P沟道PowerTrench® WL-CSP MOSFET
21ic讯 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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飞兆半导体3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET
随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高
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飞兆半导体3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET
随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高
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飞兆半导体推出3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET
21ic讯 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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飞兆半导体推出3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET
21ic讯 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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飞兆高功率逆变器设计方案
I 引言和摘要由于对可再生能源的需求，太阳能逆变器 (光电逆变器)的市场正在不断增长。 而这些逆变器需要极高的效率和可靠性。 本文对这些逆变器中采用的功率电路进行了考察， 并推荐了针对开关和整流器件的最佳选择
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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