MOSFET
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科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！
50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子
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飞兆高功率逆变器设计方案
I 引言和摘要由于对可再生能源的需求，太阳能逆变器 (光电逆变器)的市场正在不断增长。 而这些逆变器需要极高的效率和可靠性。 本文对这些逆变器中采用的功率电路进行了考察， 并推荐了针对开关和整流器件的最佳选择
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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测量放大电路推动的功放电路
放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中A1、A2组成第一级差分放大器，A3组成第二级差分 放大电路 (减法电路)。R3和R4、R5组成了深度的电压
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测量放大电路推动的功放电路
放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中A1、A2组成第一级差分放大器，A3组成第二级差分 放大电路 (减法电路)。R3和R4、R5组成了深度的电压
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Diodes新型 MOSFET离板高度减半
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件
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Diodes推出采用薄型DFN2020-6封装的MOSFET
21ic讯 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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ZXSC310的典型应用电路图
如图所示电路提供了一种驱动大功率白光LED的解决方案，即利用工作在“降压”模式的标准升压变换器驱动白光LED。这种解决方案的效率 高达96％，与效率只有85％的标准方案相比，它具有很多实际优点。当MOSFE
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IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品
国际整流器公司推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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汽车电子保护电路设计
汽车环境对电子产品而言是非常苛刻的：任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内，其它需要迫切应对的问题包括负载突降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在
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Vishay Siliconix 30 V P沟道芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件，扩充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.
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汽车电子保护电路设计
汽车环境对电子产品而言是非常苛刻的：任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内，其它需要迫切应对的问题包括负载突降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在
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汽车电子保护电路设计
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锂电池过充电、过放电、短路保护电路详解
该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01，充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MOSFET)等部分组成，单体锂电池接在B+和B-之间，电池组从P+和P-输出电压。充电时，充电器输出电压接在P+和P-之间，电流从P+到单体电池的
