MOSFET
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测量放大电路推动的功放电路
放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中A1、A2组成第一级差分放大器，A3组成第二级差分 放大电路 (减法电路)。R3和R4、R5组成了深度的电压
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测量放大电路推动的功放电路
放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中A1、A2组成第一级差分放大器，A3组成第二级差分 放大电路 (减法电路)。R3和R4、R5组成了深度的电压
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Diodes新型 MOSFET离板高度减半
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件
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Diodes推出采用薄型DFN2020-6封装的MOSFET
21ic讯 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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ZXSC310的典型应用电路图
如图所示电路提供了一种驱动大功率白光LED的解决方案，即利用工作在“降压”模式的标准升压变换器驱动白光LED。这种解决方案的效率 高达96％，与效率只有85％的标准方案相比，它具有很多实际优点。当MOSFE
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IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品
国际整流器公司推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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汽车电子保护电路设计
汽车环境对电子产品而言是非常苛刻的：任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内，其它需要迫切应对的问题包括负载突降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在
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Vishay Siliconix 30 V P沟道芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件，扩充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.
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汽车电子保护电路设计
汽车环境对电子产品而言是非常苛刻的：任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内，其它需要迫切应对的问题包括负载突降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在
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汽车电子保护电路设计
汽车环境对电子产品而言是非常苛刻的：任何连接到12V电源上的电路都必须工作在9V至16V的标称电压范围内，其它需要迫切应对的问题包括负载突降、冷车发动、电池反向、双电池助推、尖峰信号、噪声和极宽的温度范围。在
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锂电池过充电、过放电、短路保护电路详解
该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01，充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MOSFET)等部分组成，单体锂电池接在B+和B-之间，电池组从P+和P-输出电压。充电时，充电器输出电压接在P+和P-之间，电流从P+到单体电池的
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Vicor展出其最新产品
1981年Vicor公司成立, 并致力开发、生产及销售功率转换组件和方案。 除了电源组件以外，Vicor还生产及销售完整的配置式电源、配件模块、和定制式电源系统。Vicor的产品主要供应通讯、数据处理、工业控制、检测设备、
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快捷与英飞凌共同签订车用MOSFET H-PSOF TO无导线封装授权协议
赖品如／台北 英飞凌和快捷半导体宣布，针对英飞凌先进的车用 MOSFET 封装技术 H-PSOF(带散热器的塑胶小型扁平引脚封装)签订授权协议，该技术是符合JEDEC 标准的TO无导线封装(MO-299)。该封装适用于高电流汽车应用，
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瑞萨电子推出推出八款低功耗MOSFET
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品，理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有业界领先的低
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电源设计小贴士 43：分立器件——一款可替代集成 MOSFET 驱动器的卓越解决方案
在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分
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