MOSFET
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飞兆半导体在IIC China 2011展示先进功率与便携技术
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在2月24日至26日举行的IIC China 2011展会上，展示其最新的功率技术和便携技术，公司展台位于深圳会展中心2号展馆2J19展台。 飞兆半导体华南地区销售总监蓝仕伟表示：
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车用平面 MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
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在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗
摘要：升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。1引言 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参
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辽宁工学院 TOPSwitch的特点及设计时需注意的问题
摘要：对TOPSwitch的特点作了进一步的分析，并讲述了设计中如何求得一个最佳电感值的问题。1引言 对于200W以下的开关电源，应用TOPSwitch与应用UC3842相比，所需的元器件要少得多，从而使电路简化，体积和重量进一
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车用平面 MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
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提高有功模式效率以满足“能源之星”要求
系统工程师必须重点关注架构级和元件级优化的改进，以实现最高效的设计和最低的功耗。特别需要注意的是低磁化电流变压器设计，通过降低轻载下铜损耗来提高效率。
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提高有功模式效率以满足“能源之星”要求
系统工程师必须重点关注架构级和元件级优化的改进，以实现最高效的设计和最低的功耗。特别需要注意的是低磁化电流变压器设计，通过降低轻载下铜损耗来提高效率。
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提高有功模式效率以满足“能源之星”要求
系统工程师必须重点关注架构级和元件级优化的改进，以实现最高效的设计和最低的功耗。特别需要注意的是低磁化电流变压器设计，通过降低轻载下铜损耗来提高效率。
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UniFET II MOSFET器件（飞兆）
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品
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大陆MOSFET需求强劲 供应商出货不及
2010年大陆因市场需求劲扬5成，产能受限，导致部分金属氧化物半导体场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的订单出现出货时间递延的现象，英飞凌(Infineon)、意法半导体(STMicroel
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汉磊连4季涨价
国际整合元件制造厂（IDM）大动作对台释出类比IC晶圆代工及磊晶晶圆（EPI Wafer）订单，随著订单在1月起陆续到位，磊晶晶圆需求强劲爆增，已出现供给吃紧现象。由于IDM厂持续加码下单，磊晶晶圆将重演去年大缺货荣景
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电源设计小贴士 28：估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分
在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
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电源设计小贴士 29：估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分
在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性
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英飞凌电源IC拟改12寸厂量产
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计画，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节
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估算热插拔MOSFET温升的方案
本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
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英飞凌电源IC拟改12寸厂量产
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计画，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节
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估算热插拔MOSFET温升的方案
本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
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英飞凌拟改12寸晶圆量产
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计划，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节
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英飞凌拟改12寸晶圆量产
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计划，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节
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MOSFET雪崩能量的应用考虑
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中
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