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我国为何把3D NAND作为入局半导体的最佳切入点？
长江存储成立后，大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际，这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一，但不是全部。
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为满足NAND Flash市场需求 SK海力士花亿元美金士建新厂
近日SK海力士为满足NAND Flash市场增加的需求，宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
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美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产
本周宣布正式合并中国台湾地区台塑旗下存储厂华亚科的美商存储大厂美光 (Micron) 在 15 日表示，由于该公司的 3D NAND 闪存产能日前正式超过 2D NAND 闪存。其中，包括第
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NAND缺口达颠峰 推升SSD价涨逾10%
DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智能手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，
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技术革新日新月异：3D NAND及PCIe NVMe SSD晋升巿场主流
慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
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3D NAND技术发展 2年内SSD全部取代HDD？不会！
对于闪存存储来讲，容量和价格是其普及的主要因素，随着技术的不断发展突破，在将来闪存存储一定会成为主流，但要想全面取代HDD，笔者认为两年内是不可能达成的。最近，Tec
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NAND控制芯片厂点序投资银灿案 最快9月完成
NAND Flash控制芯片厂点序受NAND Flash市场缺货影响，波及客户下单量，导致8月业绩下滑，第3季营收恐呈现季减情况，不过，预计第4季表现可随市场供需情况纾解而改善。而该
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英特尔发布多系列3D NAND固态盘
今日，英特尔发布了一系列基于3D NAND技术的固态盘以满足消费与商用客户端市场、物联网及数据中心应用的需求。“这几款全新推出的固态盘是英特尔三十余年在存储器技术
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产能转移——3D NAND杀戮战场明年来临
NAND Flash缺货压力已获缓解。然而以三星、美光、英特尔、东芝等业者的扩产计划来看，3D NAND产能将在明年大量开出，明年将是3D NAND杀戮战场。
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3D NAND 高压竞争，三星独家领先
平面NAND闪存的制程己经达15纳米，几乎接近它的物理极限，因此为了提高存储器的容量及带宽，向3D NAND技术迈进是必然趋势。
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3D NAND大战：美光奋起直追，三星直冒冷汗
报告称，英特尔、美光、SK海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital的3D NAND应该很快就会上市。估计第3、4季3D NAND产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪，东芝和SK海力士则可能在Q4出货。
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美光科技推出适用于下一代智能手机的移动 3D NAND 解决方案
美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)今日推出了首项适用于移动设备的 3D NAND 存储技术，并推出了基于通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准的首批产品。
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什么原因让三星，海力士如此青睐3D NAND Flash技术？
面对大陆的积极追赶，三星电子(Samsung Electronics)持续进行西安工厂的相关投资，同时也加紧兴建位于南韩的平泽工厂，欲将其打造为全球最大规模的单一产线，用于投入3D NAND Flash量产。
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严峻挑战——紫光携手武汉新芯共创长江存储
对于中国发展存储器产业，业界目前最为关注的仍是专利技术的获取。相信，在紫光集团与武汉新芯携手之后，将加大新公司与技术授权来源美光的谈判优势，一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权。
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三星将领先东芝量产64层3D NAND
据报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。东芝及WD(西部数据)称，将于2017年上半年开始量产堆叠64层的3D NAND Flash制程，相对落后于NAND Flash市占王三星。
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SSD容量突破关键：3D存储芯片大揭秘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，Intel
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西安变电站爆炸 新一代苹果Flash生产受影响
据报道，18 日凌晨位于西安市南郊一处的变电站疑似因为故障而引起爆炸起火，火光冲天照亮夜空，幸没有人受伤。但逾 8 万用户一度停电，附近商店窗户玻璃被震碎，汽车也有损坏。官方初步勘察后没有发现人为破坏迹像，
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为何说固态存储是浪潮存储进入全球前五的关键?
笔者一直关注浪潮存储的发展。2015年以来，浪潮存储在技术、产品、市场、组织方面都有飞的突破。浪潮在存储技术和产品经过多年积累之后，有了突破的一个表现包括2015年高端存储的发布，以及过去连续3年存储的增速超过
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2016年Q1 NAND营收排行榜
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营收较去年第四季下滑2.9%，已连续两个季衰退。 2016年第一季全球NAND Fl
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分析新芯/中芯/同方国芯等NAND Flash晶圆制造商现状
紫光旗下同方国芯提出私募800亿元人民币的增资案，用于Flash产业，而同方本次增资规模已接近大基金规模6成，可看出推动Flash产业是高度资本集中。
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