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美光科技宣布推出适用于旗舰级智能手机的尖端移动 3D NAND 解决方案
美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。
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手机存储容量需求大增，为3D NAND储存铺平道路
以往仅搭载16GB、32GB容量的智能手机已无法满足当前由数据驱动的新兴移动应用需求，从而为3D NAND快闪存储器的进展铺路…
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NAND Flash价格先降后升，DRAM则持续走高
2017 年，整体记忆体产业不论DRAM 或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018 年可否持续荣景呢?
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NAND Flash价格崩盘前夕，国内存储面临大考验！
据悉，在经过为期一年半的价格暴涨之后，部分存储芯片的价格突然急速下滑，之后三星电子发布了一份并不乐观的2017年业绩预期，这两件事情让那些押注芯片行业的投资人陷入了深深的不安，一些投资人曾经认为芯片行业的红火至少还将持续一年半的时间。
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完成第三代3D-NAND Flash开发后，美光与英特尔合作结束
美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止，各自研发未来的NAND Flash技术，以符合双方品牌产品所需，并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。
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NAND Flash成半导体行业2018年主战场
国际半导体产业协会(SEMI)3日提出，继移动装置后，物联网、车用、第五代移动通讯(5G )扩增实境(AR)/虚拟实境(VR)及人工智慧(AI)将为半导体产业中长期发展五大驱动力。为迎相关应用，存储器厂积极扩增产能，并以储存型(NAND Flash)为主要争战焦点。
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3D NAND扩产在即，NAND Flash恐供过于求
受到部份零组件缺货影响，ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期，导致固态硬碟(SSD)需求急降，价格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期，三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画，新产能将在2019年后开出，届时NAND Flash市场将供过于求。
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东芝将投资扩产NAND Flash
2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7)，地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。
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NAND Flash价格到顶了？美光说并没有
多位分析师近来发表NAND Flash价格触顶言论，引发市场忧虑，美国内存芯片大厂美光(Micron)周二以优于市场预期的上季业绩，和亮眼的本季财测，打脸分析师，应能让紧张的投资人安心享受年终假期。
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DRAM为什么将长期供不应求
DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
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2018年第一季NAND Flash价格将翻转走跌
据报道，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出，2018年第一季在需求端面临到传统淡季的冲击，包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%，而服务器需求相对持平，整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率，位元产出成长亦较第四季高于5%，预期NAND Flash市场将进入供过于求态势，2018年第一季固态硬盘、NAND Flash颗粒及waf
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三星豪赌260亿美元,想垄断DRAM和NAND市场?
内存市场包含NAND Flash、NOR及DRAM，从2016年底开始到2017年第三季，受供给短缺，以及需求大幅增长的影响，各种内存的每季报价都有10%以上的成长，可想而知三星存储业务在2017年有多赚钱。
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SSD高价有望走低，或供过于求
据调研机构TrendForce最新报告，今年过去的第三季度，由于手机和服务器供求缺口增大，NANDFlash闪存的整体营收增加了14%。
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东芝谈判案或将影响西部数据NAND供应
西部数据的收入和利润在2018财年第一季度都有所增长，但对东芝谈判的失败可能会在法庭上败诉，影响对96层3D NAND业务。
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影驰发布全新ONE SSD：首用东芝64层3D闪存
作为传统显卡厂商的影驰正在向存储厂商转型，名人堂、GAMER、将三大系列产品完备，今天又通过特殊的线上发布会，带来了全新的ONE系列，号称“万里挑一”。
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Nand Flash编程应用难点浅析
Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产
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NAND Flash市场格局：SK和东芝联合对抗三星？
SK海力士(SK Hynix)日前终于如愿以美日韩联盟成员身分与东芝(Toshiba)签约，也为延宕许久的东芝半导体出售一案，暂时划下句点。尽管SK海力士强调仅是投资者，但SK海力士与东芝在NAND Flash市场上，其实有许多复杂的竞争及利害，因此未来SK海力士NAND Flash事业发展动向，格外引起业界高度关注。
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2017年的内存市场：一直在“缺货”
内存市场包含NAND Flash、NOR及DRAM，分别都受到供给短缺，以及需求大幅成长的影响，导致内存颗粒等料件价格暴涨。 不同内存背后的市场供需变化，以及技术发展近况都是影响要素，同时，也影响着未来的价格走向。
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基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究
NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA（读信号低电平到数据输出时间）和tBERS（块擦除时间）等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性能的测试要求。
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浅析Nand Flash编程应用难点
Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产
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