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3D NAND助力，2016年全球半导体晶圆级制造设备年增11%
在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%，达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1%阴霾。
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存储器发展太快，都缺货了
全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力，包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生产，熟悉后段封测业者表示，估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解，价格涨势回稳，而进入3D NAND时代后，存储器封测业者中，又以力成最为受惠。
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你以为NAND Flash降价了，手机就便宜了？别逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
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海士力要哭了!三星将量产最强64层3D NAND闪存芯片
前几日，SK海力士正式宣布量产最强72层3D NAND闪存颗粒，一时间震撼全行业。可近日，韩国媒体给出的报道称，三星将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方
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三星全球第一的芯片工厂开张，主要生产3D NAND闪存
据外媒报道，三星电子位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂将从7月份开始运营。据了解，这是全球规模最大的芯片工厂，占地面积达289万平方米，2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元，约合人民币940亿元。这座工厂将主要
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长江存储稳步发展 年底提供32层 3D NAND样品 向64层迈进
根据中国媒体的报导，有消息人士指出，紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)目前正在规划开发自己的 DRAM 存储器制造技术，而且可能直接进入当今世界最先进的 20/18 纳米的制程中。
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三星全球最大厂传 7 月启用 将生产第四代 3D NAND
三星电子位于韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂，号称是全球最大的半导体工厂。消息传出，平泽厂预定 7 月启用，将生产第四代 3D NAND。
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SLC寿命MLC成本，宜鼎推全新iSLC NAND闪存的SATA 3IE4系列
2017年4月5日，宜鼎国际(Innodisk)在德国.纽伦堡嵌入式电子与工业电脑应用展上宣布独家研发的iSLC NAND闪存已经实现大规模量产出货.
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2017年全年硬盘供货吃紧！英特尔将继续以供应企业级 SSD 硬盘为主
根据科技网站 ZDNet 的报导指出，半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知，预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧，这也迫使得英特尔未来将优先以供应数
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假如没有长江存储 国产存储真的会发展迅速吗？
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
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慧荣推出旗下首款BGA SSD，搭配3D NAND最大容量达256GB
慧荣Silicon Motion是一家老牌的存储设备控制器厂家，现在有相当多的SSD在使用他家的主控，连Intel的SSD也在用，现在他们公布了旗下第一款整合主控与闪存的BGA SSD——FerriSSD。
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2017年整体TLC-SSD出货比重将超过75%
固态硬盘(Solid State Drives)，简称固盘，固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
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东芝半导体竞争白热化，海力士备重金欲入主
SK海力士(SK Hynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化，但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划，是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效，外界出现不同评价。
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NAND Flash市场最大变数 3D NAND良率
NAND Flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
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在迈出了产业化标志性的一步之后，长江存储3D NAND有啥突破？
在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。寻求存储技术阶跃性的突破和创新，是发展下一代存储器的主流思路。
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美光计划出售 NOR Flash 业务 点名华邦电接手
近年来，企业加速整合并购，有一些企业也自我断臂修整，以让关键业务盈利能力更强，由于经济效益不明显，美光计划出售Nor Flash业务，全力发展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根据
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3D NAND Flash 自主存储器的出口
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
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疯狂的存储器 继DRAM、NAND之后，NOR也涨疯了
最近几年存储器市场大热，储存型快闪存储、DARM在淡季爆出“大冷门”，飙出历年最大涨幅后，编码型快闪存储也紧随其后，在蛰伏4年后，首次涨价，首季调涨5~7%不等，下季涨幅更大，估计会超过10%。
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中芯国际28nm存储芯片 VS NAND闪存?完胜！
对数码、家电等产业来说，存储芯片是不可缺少的部件之一，企业的进步代表了一个国家芯片的发展程度。无论是对于产业链来说，还是在实际应用中，存储芯片的重要性还是很明显的。日前中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。
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赶超日韩不是梦 国产化芯片比NAND快一千倍
存储芯片一直是数码、家电等领域的必备芯片之一，企业代表着一个国家芯片的发展程度，它的重要性就如同前阵子国产“圆珠笔头”获得成功一样。无论是产业链来说，还是实际应用，存储芯片都显得很重要。
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