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为什么3D NAND的平均生命周期很短？
随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
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NAND闪存深入解析
对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的
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大容量NAND FALSH的原理及应用
摘要:VDNF2T16VP193EE4V25是珠海欧比特公司自主研发的一款大容量(2Tb)NAND FLASH，文中介绍了该芯片的结构和原理，并针对基于FPGA的应用进行了说明。
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大容量NAND FALSH的原理及应用
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海欧比特公司自主研发的一款大容量（2Tb）NAND FLASH，文中介绍了该芯片的结构和原理，并针对基于FPGA的应用进行了说明。
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捍卫霸主地位 NAND芯片市场风云变幻
三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
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捍卫霸主地位 NAND芯片市场风云变幻
三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
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存储器价格持续上涨，背后意味着什么？
根据市场分析师表示，动态随机存取存储器(DRAM)和NAND的价格正居高不下，而且预计还会更进一步攀升。许多人认为目前的存储器市场情况只是暂时的供需不均衡。或者，他们预期当3D NAND快闪存储器(flash)的制造趋于成熟后，就能解决目前的市场情况。然而，以DRAM的市况而言，没人能知道DRAM供应何时会改善。
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东芝这个业务到底能不能卖出去了？
东芝未能在自行设定的周四截止日期之前达成出售芯片业务的交易。这令人怀疑该公司能否及时堵上财务窟窿以避免退市，并维持芯片业务的竞争力。芯片业务是东芝的重要资产。
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三星为确保晶圆货源，开启抢晶圆大战
2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿~220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球硅晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%，主要便是为支持三星产能需求做准备。
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NAND供不应求，三星扩产
不久前，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
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半导体供不应求，日本半导体市场走势向好
日本半导体设备市场，从2016年夏季日圆对美元汇率下跌以来，便持续成长，现在除短期的存储器与面板设备需求畅旺外，中长期还有5G与物联网(IoT)相关设备需求，市场开始认为这波不是传统的2年景气周期，而是更长期设备市场荣景的开始。
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再投70亿美元!三星欲扩大在华闪存芯片产能
近日消息，三星电子称预计未来三年将投资70亿美元，扩大其在中国西安工厂的NAND闪存芯片(晶片)生产。据路透社报道，该公司在一份监管文件中称，28日已批准70亿美元预期投资中的23亿美元支出。报道称，三星电子7月初曾
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eMMC/UFS/SSD全部小涨
研调机构集邦科技内存储存研究DRAMeXchange指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3～10%的季增水平。
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3D NAND亟待解决的技术问题，你知道答案吗？
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
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内存供不应求，三星/SK变成“热锅上的蚂蚁”
三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)碍于南韩新颁布的学生不得加班法令，满手订单却陷入缺工困境，正急着大举招募新人帮手。
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三星或于明年推出一款超大容量的3D NAND芯片
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
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1 Tb的3D NAND芯片，这样的三星，你爱吗？
据外媒消息，三星电子 NAND Flash 技术再升级，9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，预计明年问世。三星宣称，这一技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一，本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。
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存储器芯片市场“艳阳高照”，东芝却是“乌云密布”
由于云端应用带动数据中心建设、智能手机追求更大容量和更快运算，以及 4K 电视等高性能电视需要更多存储器等因素，数据暂存处理用的 DRAM，以及数据存储用的 NAND Flash，市场成长速度均高于电脑与智能手机市场的成长率。
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SK海力士斥巨资投资存储器，被警告产能过剩
据海外媒体报道，从去年下半到今年上半以来，DRAM 均价飙升 17%、NAND 均价攀涨 12%，主要是由于存储器进入制程转换，产能大减，使得厂商无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告，过度投资恐怕会导致产能过剩。
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紫光融资道路被截断 恐是风暴开端
近期大陆紫光集团抛出旗下紫光国芯终止对长江存储的股权收购，成为两岸存储器产业震撼弹，紫光国芯原本要100%收购专职3D NAND业务的长江存储，但紫光内部评估长江存储未来要进入获利阶段，可能要等上5年，因此，紫光国芯暂停该收购案，但紫光仍强调长江存储需要的人民币386亿元(折合新台币逾1，700亿元)资金全数到位，建设时程一切按既定计划。
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