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矽力杰今年下半年营运将可望逐季增长
据报道，矽力杰今年下半年营运将可望逐季增长，本季受到非苹智能手机阵营下单偏向保守，以及工业用SSD因缺货让出货受到压抑，不过今年第四季可望因为各项产品出货表现开始放量出货，全年合并营收将冲上年成长2成的高水平表现。
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半导体行业：“新入局者”带来“芯”未来
据报道，世界的半导体市场此前一直以美韩日厂商唱主角，现在中国企业正试图参与进来，而中国企业的巨额投资很有可能成为半导体市场混乱的风险因素。
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硅穿孔技术可提高闪存能源效率？
人们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品，而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的，就是东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗，同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述，这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。
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国产存储芯片加快建设 严重依赖日韩问题显现
中国的智能手机企业饱受存储芯片短期的困扰，存储芯片价格的暴涨导致国产手机企业的利润下滑，加上存储芯片对国家信息安全的重要性，这让中国加速发展自己的存储芯片产业，
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东芝停滞不前，三星趁机跑了多远？
据报导，东芝半导体原订在 6 月 28 日股东会同时，与日美韩联盟签约，但后来东芝以「联盟内部仍有意见待调整」为由，造成无法顺利签约，报导指出，主要关键在于 SK 海力士的态度。
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2D NAND和3D NAND横向对比，3D NAND完美接班
多年以来，2D NAND 一直都是半导体工业光刻(lithography)技术的发展推动力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。随着 2D NAND 的尺寸缩小到了十几纳米节点(16nm、15nm甚至 14nm)，每个单元也变得非常小，使得每个单元中仅有少数几个电子，而串扰问题又使得进一步缩小变得非常困难而且不够经济。
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SSD降价有望了，三星等“大咖们”都在提高产能
据外媒报道，从去年下半年至今，SSD/内存的价格就坐上了火箭，而且一点降价的迹象都没有，反而是SSD厂商不断传出不利因素，致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了，首先是三星即将量产第四代堆叠闪存，还有是SK海力士也在进一步提高产能。
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苹果出现NAND 闪存芯片供应不足，求助三星？
来自台湾地区的行业消息称，苹果公司(以下简称“苹果”)新一代智能手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。
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浅谈关于WD阻止东芝半导体出售的原因
储存技术和解决方案供应商 Western Digital 公司宣布成功开发出 96 层垂直储存的跨代 3D NAND 技术 BiCS4，预计 2017 年下半年开始向 OEM 厂商送样，并于 2018 年开始生产。BiCS4 是由 Western Digital 与其技术及制造合作伙伴东芝(Toshiba Corporation) 联合开发，最初将提供 256-gigabit 芯片，日后将会扩充其他容量，包括可达 1-terabit 的单一芯片。
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3D NAND Flash与ReRAM新制程之间的“战争”，究竟鹿死谁手
莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…
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东芝搞事情啊？研发96层3D NAND是真是假？
东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。
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供不应求 存储器产品价格依然在上涨
随着应用不断扩大，及系统产品内建容量持续扩增，今年来半导体硅晶圆、磊晶与内存等多项产品市况热络，在供应持续吃紧下，各项产品下半年价格依然看涨。
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从Nand特性谈其烧录关键点
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特
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如果你不理解为啥美光在存储行业潜力巨大，那就来看看吧
在最近结束的一次对美光CFO Ernie Maddock的采访中，他曾多次提到了关于“C”的观点。所以，我们现在简单整理一下这篇文章的论点。以便我们能够从中获取更多有价值的信息。具体而言，这篇文章主要是关于存储行业的循环周期和盈利的观点。
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三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片
三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的
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NAND Flash价格变化趋势扑朔迷离
市调机构集邦科技旗下内存储存研究(DRAMeXchange)指出，第1季整体NAND Flash市况延续去年第4季的缺货情况，即使第1季为传统NAND Flash销售淡季，但通路颗粒合约价却仍上扬约20～25%，使得第1季6大品牌厂营收合计约119.078亿美元，仅较去年第4季微幅减少0.4%。
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新兴内存技术抢占市场，抗衡DRAM、NAND Flash还是太嫩？
内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。
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挖来台湾DRAM教父,紫光要打破韩国NAND垄断
高启全表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
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存储设备涨价优势 三星半导体事业部跃居龙头位置指日可待
三星挟带存储器产业龙头优势，本季营收可望超越英特尔而荣登半导体产业王座，证明了后PC时代的到来，随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起，让原先并未扩产的存储器产业
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闪存市场将发生巨变 3D NAND走上舞台3D
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
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