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  • 韩国投资1亿美元 助西安半导体业蓄势扩张

    继美国美光科技公司“砸下”3亿美元发展半导体测试项目之后，韩国SIMMTECH公司昨日也掷金1．01亿美元，在西安建成该公司本土以外的第一个半导体零部件项目生产基地，西安为此新增就业近千人，也预示着西安半导体蓄势扩张“不差钱”。 1亿美元投向西安“半导体” 近日，韩国SIMMTECH公司投资1．01亿美元在本土以外成立的第一个生产基地—信泰电子半导体零部件项目正式启动。 记者现场采访获悉，今年8月4日，西安高新区与韩国SIMMTECH公司签订其半导体零部件项目投资协议，实现了当年签约当年开工。据介绍，韩企半导体零部件项目计划2011年上半年建成投产，年产值可达2亿美元。主要为美光、三星电子、LG、摩托罗拉、英飞凌、海力士、南亚等众多世界知名的半导体企业提供高品质的产品。 据了解，随着韩国SIMMTECH公司的加盟，西安高新区已经聚集了美光、应用材料、德国英飞凌、美国威世、科耐特、华晶电子、华山半导体等一大批国内外著名半导体企业，使西安高新区的集成电路产业有了发展的主心骨，加上区内已有的集成电路设计、测试、制造公司，高新区的集成电路呈现出百花齐放之态，产品领域更是涵盖了原材料生产、芯片设计、设备制造、封装测试等各个环节，已经成为中国半导体产业“第四极”。 1亿美元让西安近千人上岗 记者采访了解到，韩国SIMMTECH公司是一家国际著名半导体配套商，注册资本136亿韩元，是专业生产半导体零部件的世界性公司，其产品在国际市场中占有较大份额。此次怀揣1．01亿美元投资西安“半导体”，可谓信心十足。 据韩国SIMMTECH公司相关负责人介绍，投资西安的“半导体零部件项目”，占地40亩，一期投资4000万美元，5年内投资总额将超过1亿美元，主要生产半导体专用印刷电路板，是至今为止韩国在中国西部地区投资规模最大的项目，投产后年产值可达2亿美元。另外，该项目制造的计算机存储模板PCB将占全世界市场的33％，西安为此新增就业近千人。 省市领导为此高度评价说：该项目的建成，将对促进以美国美光公司、美国应用材料公司等跨国公司为龙头的西安半导体产业的发展将起到极其重要的作用，是完善半导体产业链、促进半导体产业集群发展的良好契机，也填补了西安高新区在此项半导体零部件行业的空白。

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  • 全球半导体销售额连续7月增长亚太地区过半

    据了解，半导体产业协会(SIA)近日指出，2010年9月全球半导体3个月移动平均销售额较前月的257亿美元增加2.9%至265亿美元，已连续第7个月出现月成长局面，与去年同期相比成长26.2%。Q3销售额年增26.2%(季增6.1%)至794亿美元。统计中显示，9月在各地区当中，美洲月增0.5%，日本增加3.7%，而欧洲大增3.9%，亚太地区增3.2%。与去年同期相比，美洲再度以39.5%的成长率居冠，亚太、欧洲各成长26.1%、24.4%，日本增加15.4%。亚太地区销售额超过全球的半数。SIA预定在11月4日公布最新的半导体销售预估。Toohey10月4日重申今年度销售额达2,905亿美元、成长28.4%的预估不变。

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  • 关于电子产业前景的5个好坏预兆

    时间已经进入第四季，但2010年的最后这几个月与2011年的前景却一片阴霾，以下是电子产业界目前显现的一些好预兆与坏预兆。好预兆1.SemiconductorIntelligence分析师BillJewell表示，2010年会是半导体市场表现强劲的一年，大多数预测都指出成长率可超过30%；虽然2011与2012年的成长速度会显著趋缓，但全球经济仍会持续复苏。WSTS与SIA在6月时预测，2011年与2012年的市场成长率，将会分别缩小到6%与3~4%的幅度；最近Gartner与iSuppli则预测，2011与2012年的成长率，将分别为5%左右与低于2%。SemiconductorIntelligence对2011与2012年的市场成长率预测值，分别为9%与8%。2.SemicoResearch预测，微处理器(MPU)市场的2011年成长率13.6%，可达到457亿美元的营收规模，并将持续稳定成长。3.针对NAND闪存市场，VLSIResearch表示，市场对高密度NAND产品需求强劲，尽管现货市场需求趋缓，供应仍相对吃紧，使得该市场整体平均销售价格(ASP)处于健康状态。4.Benchmark分析师GaryMobley表示，网通芯片供货商Broadcom的第三季业绩表现超出市场预期，第四季营收预测可达18~19亿美元，季成长率超过3%；该公司第四季业绩的成长力道，来自其VideoCore手机多媒体处理器获得Nokia采用，以及AppleiPhone、iPad产品热卖等因素。5.Bloomberg报告指出，美国太阳能市场因设备价格的下降以及政府大力支持，呈现爆炸性的成长；如果该产业能成功募集到估计约1,000亿美元资金，估计到2020年，美国太阳能发电量将达占据全国的4.3%，达到44gigawatts规模。坏预兆1.VLSIResearch在一篇报告中指出，现货市场主流DDR3需求急遽趋缓，而且短时间看来难以回温；中国的十一长假并未带来显著的需求，让许多经销商大失所望、也急着清库存。此趋势为内存市场带来严峻的价格环境，而且品牌与白牌组件无一幸免。2.NextInningResearch分析师PaulMcWilliams指出，市场传言笔记型计算机用的硬盘机(HDD)出现缺货现象，这对硬盘机厂商与硬盘控制IC厂商来说似乎是好消息，除了显示笔记型计算机需求上升，也可能意味着市场可能对高容量硬盘的需求更为殷切。在DRAM价格高的时候，PC厂商可能会寻求采用较小容量的硬盘以节省成本，但现在DRAM价格下滑，趋势可能会反转，但问题是硬盘机厂商并没有建立高容量产品的库存，市场缺货情形可能会恶化。3.FBR分析师CraigBerger最近表示，该机构已调降SiliconLabs的股票评等，并看坏该公司第四季营收，主要原因包括客户清库存、其成熟业务营收萎缩(包括嵌入式拨接调制解调器、欧洲网络芯片市场)，以及其FM调谐器芯片营收被Wi-Fi/蓝牙整合型芯片侵蚀。4.BarclaysCapital分析师C.J.Muse表示，半导体设备业者Novellus最近财报表现都不错，但该公司却因为晶圆代工业者与内存厂商客户的不确定，对未来前景抱持保守态度。该公司先前曾经对NAND市场前景非常乐观。5.VLSIResearch表示，IC设备产业的订单出货比(book-to-billratio)，在今年的最后者几个月大幅下滑，有可能会在10月份跌到1以下；尽管设备供货商仍对未来几季的前景表示乐观，但芯片制造商态度转为保守。例如最近半导体大厂TI，在公布了亮眼的第三季财报之后，也预告接下来景气可能会趋缓。

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  • 中芯国际投资武汉晶圆厂是调整发展策略

    中芯国际集成电路制造有限公司正在改变策略，投资晶圆厂。10月初，德州仪器公司收购了由中芯国际代成都市政府管理的成芯半导体制造公司。     中芯国际和拥有300mm芯片生产线的武汉新芯半导体有着类似的关系。中芯国际代武汉市政府托管这家晶圆厂，有报道称中芯国际没有向新芯进行投资。     之前曾有传言说中芯国际打算放弃新芯，新芯将由美光收购。     现在看来中芯国际与武汉新芯仍有联系，甚至将对其进行投资。武汉东湖高新技术开发区管理委员会与中芯国际签署了合作框架协议，双方同意通过现金注资的方式，对武汉新芯300mm芯片生产线项目实施合资经营。     自2006年武汉市政府投资建设武汉新芯之时起双方就展开了合作。武汉市政府与中芯国际接触，并将武汉新芯交由中芯国际托管。武汉新芯自2008年9月正式投入生产。     武汉新芯未来会专注于65-40纳米晶圆的生产，计划目标为月产量45,000片。合作双方表示：“此次合作将让双方互惠互利，并成为中芯国际下一个五年扩张计划的战略组成部分。”     通过此项协议，中芯国际与武汉市政府将在人才培训、芯片设计和完善产业链等方面进行广泛合作，“促进武汉光谷的经济发展，提升湖北省信息与技术产业。”     经历动荡期后，中国晶圆供应商中芯国际回到轨道。该公司CEO王宁国表示，中芯国际正在回复顾客的信心，专注于实现盈利、精简关注领域。  

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  • 诺贝尔碳芯片技术：用水蒸气开启石墨烯能隙

    石墨薄片──也就是石墨烯(graphene)──由于具备比传统硅芯片高出百万倍的导电性能，因此是颇具潜力的芯片上互连层(interconnectionlayers)替代材料。但若要用石墨烯制作半导体，需要开启让电子跳跃过的能隙(bandgap)，以做为让数字计算机运作的开关。     美国伦斯勒理工学院(RensselaerPolytechnicInstitute，RPI)的研究人员表示，他们已经发现了一种简单的方法，能用水来开启石墨烯的能隙。此外研究人员也证实了可透过控制芯片封装内的湿度，为特定应用调节石墨烯能隙。     材料的能隙是指从价带(valenceband，内含电子紧密结合之原子轨道)底部到导带(conductionband，内有自由电子轨道)顶端的能量差距；在铜线等纯导体中，价带与导带间并没有能隙，因此当一个电压电位(voltagepotential)出现时，所有的电子都是「待价而沽」的。     至于在纯绝缘体中，价带与导带之间有非常大的能隙，两者必须要有超越材料击穿电压(breakdownvoltage)才能桥接。而在纯导体与纯绝缘体之间的半导体，有一种磁阻(reluctance)可让电子跨越能隙，并能支持让数字电子组件运作的开关机制。     IBM曾在今年稍早宣布，该公司所研发的双闸、双层(dual-gatebi-layer)石墨烯架构，能有效地开启.13电子伏特(electronvolts，eV)的能隙；伦斯勒理工学院教授NikhilKoratkar所率领的团队，则是用简单的水蒸气就能开启.2eV的能隙。     此外，伦斯勒理工学院的研究人员也发现，只要透过控制芯片封装内的湿度，就能在0~.2eV(0是纯金属导体的能隙，.2eV是适用于红外线探测器的半导体能隙)的范围内，针对不同特定应用的需求，任意调节石墨烯能隙。     根据Koratkar的说法，目前的芯片封装技术应该可让芯片厂商在特定的组件或是计算机芯片周围，制作一个小小的围场(enclosure)，利用该空间，就能很容易地控制湿度。  

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  • 英飞凌喜获全球性物流大奖

    全球供应链协会（SCC）近日向英飞凌科技股份公司颁发“全球供应链卓越贡献奖”，以肯定英飞凌在物流流程改进方面做出的杰出贡献。此外，英飞凌还荣膺“供应链卓越运营奖”。这两个奖项都旨在表彰英飞凌在短短18个月内顺利完成公司全球供应链的重组。颁奖仪式于昨天在慕尼黑召开的“供应链欧洲世界大会”上举行，SCC首席技术官Joe Francis向英飞凌科技股份公司的供应链创新负责人Hans Ehm颁发了这两项大奖。 “能够赢得全球供应链卓越贡献奖和供应链卓越运营奖，我们感到十分骄傲，这是对我们在物流方面取得成就的肯定。供应链管理对企业竞争力的影响越来越大，已不仅限于半导体行业，而英飞凌在该领域已处于领先地位。” Hans Ehm表示。他还进一步指出，英飞凌的全球供应链包括数百家供应商和客户。此外，半导体制造商还面临半导体行业的诸多挑战：较短的产品寿命周期、长达几个月的生产周期和需求的频繁变化。 灵活满足动态市场需求 2008年，英飞凌根据SCC的供应链运作参考模型（SCOR模型）着手重组公司的整个供应链，目的是改善供应链内外的沟通与协作，从而确保比竞争对手更灵活地应对需求的变化。如今的生产规划是在整个英飞凌供应链进行全面沟通和通盘考虑的基础上制定的。通过最终分析得出的结论是，灵活性的提升有助于处理更多的订单。 员工培训 近两年来，英飞凌约有500名员工通过参加本公司供应链学院的培训班和网络培训课程，接受了有关新流程的培训。此外，英飞凌还与爱尔兰利莫瑞克大学合作，开设了文凭课程，旨在加强研究机构与行业之间的协作，分享理论成熟、实践可行的知识。“近几年来，高效供应链管理的重要性大幅提高。产品创新是“必备”的基础，但要想在竞争中脱颖而出，供应链必须能够快速应对不断变化的市场需求。得益于我们的供应链学院，英飞凌树立了供应链管理行业新标杆。” Hans Ehm指出。 有关SCC和供应链卓越贡献奖的更多信息 自2001年起，SCC每年颁发卓越运营、卓越理论和卓越管理技术等三个组别的供应链卓越奖，旨在表彰为供应链管理知识体系发展做出杰出贡献的企业。三位获奖者中表现最优异的将荣获全球供应链卓越贡献奖。 SCC是一个全球性的非盈利组织，也是世界上最大的高效供应链设计组织。SCOR模型是专门为解决供应链设计问题而开发的。SCC提供的相关工具可使近千名SCC成员机构决定、改进和比较他们在供应链运作方面的绩效。  

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  • 中芯45亿美元打造国内最大高端芯片基地

    昨日，内地最大集成电路制造商中芯国际，与东湖开发区正式联姻。中芯国际将注资45亿美元，助光谷打造国内最大高端芯片生产基地。 　　中芯国际是内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。早在2006年，中芯国际就开始 　　与武汉合作。当时由政府出资，建设武汉新芯公司。该公司12英寸集成电路晶片生产线，委托中芯国际管理。双方在人才培训、晶片设计和完善产业链等方面，进行广泛合作。 　　为进一步拓展芯片产业，中芯国际决定与开发区深化合作。昨日，中芯国际总裁兼首席执行官王宁国来汉，与东湖开发区签约。根据协议，武汉和中芯国际将通过现金注资的方式，对武汉新芯公司12英寸生产线实施合资经营。王宁国介绍，将在两年内向新芯注资10亿美元。未来5年内，投资总额将达到45亿美元。 　　武汉新芯集团总裁王继增表示，公司将主要生产40—65纳米规格的12英寸存储芯片。产品大部分供应大陆市场。至明年，武汉新芯月产能预计可达2万片左右;2013年底，月产能可达45000片，为现有产能9倍。届时，武汉新芯将成为国内最大高端芯片生产基地。 　　用纳米技术在芯片上“雕花” 　　武汉攻关世界一流芯片 　　传统芯片有5英寸、8英寸、12英寸规格之分。目前，8英寸芯片虽是市场主体，却在逐渐消亡。12英寸规格的芯片，加工技术要求最高，但成品率比8英寸芯片高近两倍，正成为未来芯片发展趋势。 　　基础芯片加工完成，下一步就需要以纳米技术，在芯片上布设线路。在精细的纳米技术下，1纳米的差距，将导致芯片效能的大大不同。在40纳米规格下制作的芯片，比65纳米的存储量高出一倍，工作效能也大大增加。 　　武汉新芯总裁王继增介绍，公司正在积极攻关30纳米加工技术。届时，该公司技术水平将达到世界一流水平。  

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  • 芯片市场正在回暖

    行业研究机构半导体协会SIA发布的最新报告显示，今年9月份全球芯片市场的销售总额达到了265亿美元，相比去年同期增长了26%，而与今年8月份相比则增长了2.9%。SIA在报告中表示，芯片市场的增长标明了需求正在恢复，而全球经济也出现了比较好的回暖，至少相比2008年的最低谷已经有了相当大的增长。 　　从整个第三季度来看，全球芯片市场的交易额达到了794亿美元，相比去年同期增长了26%左右，SIA总裁BrianToohey表示，全球芯片市场在今年年底之前的几个月里的增长速度将会放缓，这主要是因为PC、平板电视以及其它的移动计算产品的增长受到了一些不确定因素的影响。 　　SIA预计2010年全年全球芯片增长将达到28%，而2011年将增长6.3%，而2012年增长2.9%。市场调研公司iSuppli也表示，由于市场需求的增长相对疲软，今年9月份的增长速度实际上低于预期，而AMD和英特尔等芯片巨头也下调了相关的销售预期。 　　另外市场研究公司IDC和Gartner近期发布的研究报告也显示第三季度的全球PC市场销售将会明显低于预期，而美国是全球芯片市场同比增幅最大的地区，其第三季度的增长幅度达到了40%，但是相比第三季度增长的幅度只有0.5%而已。亚太地区的销售占到了全球市场50%以上的比例，而亚太地区9月份的芯片销售同比增长了26%。  

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  • 江上舟：中国集成电路产业形势分析与展望

    尊敬的关司长、尊敬的蒋理事长、罗院长，很高兴代表半导体协会在2010中国半导体市场年会做一个集成电路产业发展分析与展望。我在这里简单的给大家回顾一下，再讲一点我个人的观点。 首先，回顾一下国内外半导体在2009年的基本情况。 受金融危机的影响，全球半导体产业在去年大幅度下滑。但在各个国家经济刺激政策出台的影响下，全球经济在2009年下半年开始复苏，半导体行业也迅速回升。产业全年总比增速由年初下滑的趋势回升到负9%，整体规模达到了2263亿美元。全球半导体市场从2008年四季度开始大幅度下滑以后，在2009年二季度开始市场回升，同比已经恢复了将近30%的正增长。各个国家经济刺激政策的影响下，2009年美国半导体市场逆势增长。欧洲和日本的市场深度下滑。中国集成电路产业在2008年首次出现新实际以来的负增长之后，在2009年继续下滑，全年的产业销售额的规模同比增幅由2008年的负0.4%下滑到负 11%。总规模达到1109亿元。从2008年三季度以来，由于全球金融危机迅速波及实体经济，国内外半导体市场出现大幅度下滑，随着国家的拉动内需政策的刺激以及国际市场环境的回暖，2009年IC产业呈现了显著的触底回升的势头。从一季度产业出现最低点之后，开始进入回升。四季度迅速好转，出现了 39.8%的正增长。在家电下乡、三极管的建设、以旧换新等一系列刺激内需政策的拉动下，2009年IC设计业逆势增长。而芯片制造业、封装业对外的依存度很高，受国际市场影响更大，所以2009年芯片制造和封装业出口大幅度下滑，国内工装测试业也受到了较大影响。 受国内外市场下滑的影响，2009年集成电路进口首次出现负增长。 现在展望一下国内外半导体市场。国内外半导体市场将快速复苏，从2010年开始，无论是国内市场还是国际市场，都超过了两位数的增长。2006年以来，国内电子信息制造业增速已经开始回落。2009年受金融危机的冲击，电子信息产业在2010年将重新出现较快增长速度。2009年的电子信息产业投资同比增长46%，增幅低于2008年15.8%。电子器件增速缓慢。展望2010年，在全球半导体行业复苏和国内内需市场的影响下，国内的半导体产业将走出 2009年的低谷。预计2010年的电子信息行业规模将基本恢复到2008年的水平。中长期看，未来国内外市场的因一部回暖，电子信息产业将步入一个新的增长格局。“十五”后期到“十一五”初期，是我们国家电子信息产业发展非常好的时期，现在可望从今年开始，又将出现第二轮新的发展趋势。 从行业发展趋势看，设计业仍将是国内IC产业中最具发展活力的领域。在创业板推出鼓舞下，德可威(音)、海尔集成电路、深圳兴邦(音)、华亚(音)等多家企业正在酝酿登陆IPO市场，这将为国内的产业发展注入大量资金，并将吸引更多的风险投资投入到IC设计领域，将极大的推进IC设计行业的发展。芯片制造和封装设计领域，在出口拉动下，将呈现显著增长趋势，特别是芯片制造业。芯片制造业规模在未来两年，将有快速的增长。华为等多家IC设计企业已经开发下一代IC产品，并投入到手机、便携电子产品等终端产品应用中。长电(音)科技等封装测试企业在不断扩大生产规模的同时，在CSP等先进封装工艺方面取得突破。国家01、02专项正在深度实施，将大力促进产业发展。 华虹成立了华力微电，这为国内芯片制造企业整合重组开了一个好头。封装测试领域长电科技收购新加坡企业，无锡太极事业和海力士(音)半导体共同投资海太(音)半导体，未来国内IC产业国内、国外产业重组将进一步发展。终端市场的带动下，LED、太阳能光伏等领域，正在迅速成为产业发展的热点，许多国际 IC企业正在这些领域寻求新的发展。LCD、LED、太阳能光伏等新兴产业领域，也是目前电子器件产业的投资热点，2009年光电器件投资同比大幅度增长。国家目前大力发展战略新兴产业，为半导体产业带来了极大的机遇。国家明确加快培育新材料、节能环保等战略新兴产业，这不仅将成为十大产业振兴规划之后国家经济增长的又一强大动力，更将为国内的IC产业发展提供难得的机遇。在国家大力发展战略新兴产业的大背景下，3G、移动通信、半导体照明、汽车电子等新兴领域正在迅速发展，系中孕育着巨大市场，将促进我国的IC产业进一步发展。IC产业作为国家基础性战略产业，其发展需要政府的大力支持，在此我们将进一步的呼吁加快出台进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策，继续延长原来鼓励政策的执行期限。 现在讲一下我们当前的重点工作。 首先要开展集成电路产业“十二五”规划的编制规律。这次年会以后，我们要在上海举行几个关于“十二五”规划的座谈会，主要是在设计业和设备材料业方面。第二，我们要做好国家重大专项的行业服务。第三，加强国际交流，参加世界半导体理事会各专题会议。第四，办好ICChina2010。以前的名字都是中国国际集成电路展览，要把集成电路改为半导体。第四，加强行业统计。第五，继续进行半导体创新产品和技术的进步。 随着产业环境的不断发展，国内IC产业将重新回暖，国内的集成电路产业将迎来新一轮发展高潮。我们半导体协会一直在行业中积极的发挥作用，而且每年都举办高峰论坛，也表明了工信部对我们半导体行业的一贯高度关注和大力支持。现在正面临我们国家转变经济发展方式，特别是培育新兴战略产业的重要时期，这个时候，我们即将结束“十一五”规划，开始“十二五”规划的编制，这也是一个非常承前启后的关键时期。这个时候半导体协会的责任非常重大。同时我感到，我们半导体产业还没有取得令人满意的成果，这是非常可惜的一件事情。展望今后几年，特别是在“十二五”，我觉得时候到了，中国半导体行业应该迎来一个转型期。 在21世纪初的“十一五”快速发展的基础上，我们应该进一步做强。在产业链的每一个环节，无论是制造、封装还是设计，特别是设计业，都要出现一批具有国际竞争力的企业。我们行业协会要为我们的整个行业在“十二五”期间，真正实现自主创新、提高国际竞争能力共同努力。我们希望把企业的要求和规划搜集起来，特别是那些能够挑战世界竞争对手的企业，他们的需求、他们的愿望、他们要的条件，我们将反映给国家有关部门、工信部。我们要结合这次“十二五”规划，对半导体产业再次作为一个战略型产业，拿出一套切实可行的新的计划。我们一直想，1986年韩国执行的做大集成电路的计划以后，培育了三星、现代等一批世界级大企业。其间，政府大概花了6年时间，企业花了10年时间，投了几十亿美元。日本最后也逼着美国在80年代后期让出了半导体第一的宝座。我们国家一直这么支持半导体，一直没有形成韩国、日本、美国这种气势。这方面有一个很好的例子，高铁，有人骂把所有的国家的高铁技术都引进来了，比如西门子，没想到我们现在有了世界最先进的高铁技术。短短4、5年时间，我们开展了大规模的高铁建设，消化国外的技术，自己消化发展，也就变成自主创新了。我们半导体行业受国家这么多优惠，能不能在“十二五”也打一个漂亮的仗? 最近科技部搞了37个产业联盟，我们半导体协会也有老同志提出要搞新一代的产品，我觉得是很好的主意。特别是欧洲、日本甚至台湾，在半导体行业上都对中国进行技术壁垒。今年2月份台湾对中国大陆的投资还限于二代以前。绝大部分企业其实都没有参与跟军事工业有关的。这个条件下，我们发展确实比较难。这个仗一定要打好。打破国外人为的技术壁垒、市场壁垒。01、02专项基本跟集成电路有关，国家在科技上的投入是不遗余力的，而且我们也有自己的人才。希望在“十二五”我们可以打过国外，在半导体工艺方面，我们不一定要样样精通，只要有几样走在国外前面，就可以走出我们的发展道路。 我们希望国家能在两个方向给予支持，一个是设计企业，一个是制造企业，两方面给支持，希望在“十二五”能根本上改变现在我们还没有长大、还要靠国家扶持的现状。国家要制订一个雄伟的计划，拿出跟韩国、日本一样的强有力的措施，决战“十二五”是一个非常关键的时期，也希望这次市场年会以后，我们半导体协会召开的座谈会大家能够参加。我们不仅是在规划上，在今后解决企业问题上，我们会尽自己所能，每个企业只要敢于提出问题，敢于挑战国际水平的，代表国家前沿的，我们一定帮他传达给国家有关部门。谢谢!

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  • 英特尔欧德宁：在华布局更完善累计投资47亿美元

    英特尔大连芯片厂（Fab68）26日正式宣布投产，该厂的落成投产标志着英特尔在华投资累计达到47亿美元。今年是英特尔在中国的25周年。欧德宁表示，25年来，英特尔在中国不断投资，不断推动创新，与中国IT产业共同发展进步。英特尔大连芯片厂的投产是英特尔在华25周年的又一里程碑。截至目前，英特尔累计在华投入达到了47亿美元。欧德宁还表示，英特尔中国是除了美国之外功能最完善的机构，出了大连芯片厂，英特尔在成都设有大型芯片封装测试工厂，并在北京、上海和中国其他城市设有销售、渠道、研发中心和研究实验室等机构和部门。英特尔在中国大事记1985年，英特尔在北京设立了第一个代表处。1996年11月，位于上海的芯片测试和封装工厂破土动工。1998年11月，作为英特尔在亚太地区的第一个研究实验室，英特尔中国研究中心（ICRC）创建。2002年10月，英特尔亚太区应用设计中心（ADC）在深圳设立。2003年8月，英特尔宣布在四川省成都市投资建立封装和测试英特尔半导体产品的工厂。2005年5月12日，英特尔技术开发（上海）有限公司成立。2005年6月，英特尔宣布设立两亿美元的“英特尔投资中国技术基金”。2005年9月，英特尔亚太区研发有限公司在上海紫竹科学园区成立。2006年7月，英特尔与信息产业部签署了“共同推进中国农村、城市、企业和物流等信息化的合作备忘录”。2006年10月25日，成都芯片封装测试项目二期工程竣工。2006年10月30日，英特尔宣布为响应中国政府建设新农村的号召而推出的“世界齐步走，建设新农村”计划。2007年1月1日，中国成为一个独立的地区进行销售与市场运做。由此，中国成为与美国、欧洲、中东部非洲、和亚太区并列的第五个独立报告区域。2007年3月26日，英特尔宣布在大连投资25亿美元，建立一座90纳米技术的300毫米晶圆厂。2007年4月17日，以“多重动力，携手创新”为主题的“2007年春季英特尔信息技术峰会（IDF）”在北京国际会议中心举行。这是IDF首次在美国以外的国家首发。2007年9月8日，英特尔在亚洲的第一座300毫米晶圆工厂大连芯片厂破土奠基。2007年11月1日，“2007英特尔®未来教育项目应用成果展示活动颁奖典礼”在北京举行。英特尔®未来教育项目自2000年在中国启动以来，已经累计培训教师100万名，亿万中小学生将从中受益。2008年4月2日，英特尔公司在上海举办的”英特尔信息技术峰会”上发布了5款面向移动互联网设备（MobileInternetDevice，MID）的全新英特尔®凌动处理器和英特尔迅驰®凌动™处理器技术，以及其它嵌入式计算解决方案。2008年4月8日，英特尔公司的全球投资机构，英特尔投资宣布成立“英特尔投资-中国技术基金II”。新基金总额为五亿美元，致力于推动中国本土的技术创新并促进中国信息技术产业的发展。由此，英特尔投资在中国的技术基金总额已达7亿美元。2008年10月28日，在英特尔总裁兼首席执行官保罗•欧德宁先生访华期间，英特尔投资宣布为深圳创益科技提供2,000万美元投资，支持绿色科技发展。此外，英特尔正在投入1.5亿美元，支持67个项目，以推动中国IT产业生态系统建设和提升自主创新能力。2009年1月9日，英特尔公司宣布任命杨叙为英特尔中国区总裁，全面负责英特尔在中国的运营及战略。2009年2月5日，英特尔公司宣布对位于上海的投资性公司英特尔中国有限公司追加1亿1千万美元的注册资本，以增强其在华的投资运营。2009年4月8日，以“聚信与共，创赢未来”为主题的2009年春季英特尔信息技术峰会（IDF2009）在北京举行。IDF进入中国10周年。英特尔公司董事会主席贝瑞特先生亲临IDF并主持“2009信息技术推动新农村建设产业论坛”，从多角度探讨信息技术推动新农村建设的机遇、挑战和可行模式。2009年6月19日，英特尔公司宣布正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术，这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后，将生产制造先进的芯片组产品。2009年10月12日，英特尔中国研究中心正式升级为英特尔中国研究院，成为英特尔全球五大研究院之一。2009年10月，英特尔公司决定向英特尔产品（成都）有限公司增加7500万美元的注册资本，用于增强成都工厂的运营能力。增加投资后，英特尔在成都的总投资额增加至6亿美元。2010年3月26日，英特尔成都封装测试厂第4.8亿颗芯片下线，并正式投产最先进的2010全新酷睿™移动处理器，2010年下半年将建设成为全球晶圆预处理三大工厂之一。2010年10月26日英特尔大连芯片厂投产。

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  • 三星否认将与东芝、英特尔共同开发次世代半导体制造技术

    据韩国媒体报导，针对日前日本经济新闻发布的全球性半导体3大龙头三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)将共同研发次世代半导体制造技术等相关新闻内容，三星方面已郑重否认。 日本经济新闻10月29日报导三星、东芝和英特尔等将设立国际性研究组织，至2016年共同研究开发半导体线幅缩减至10奈米的制程技术。报导中指出，该企划是由东芝主导，并由参与的日本业者出资100亿日圆(约1.2亿美元)进行，其中日本经济产业省也将资助50亿日圆补助金。然而三星方面对该相关报导已慎重否认，并谨慎防范此举被扩大解释的可能性。 三星相关人员表示，相信半导体相关业者皆将积极研究开发次世代微细制程，然三星未曾公开表示将与日本方面共同开发相关设备及材料。报导内容看起来是日方的相关计划，但三星方面至2016年为止并无特定计划及相关发表内容。

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  • 2010年第三季度太阳能电池产能增加1GW以上

    2010年第三季度，太阳能电池的产能增加部分首次突破了1GW大关，达到1.12GW。据美国Solarbuzz的“PVEquipmentQuarterly”报告显示，产能增加部分中约80％是由中国大陆及台湾厂商实现的。估计2010年第四季度产能还会继续增加，因第四季度似将有约相当于1.3GW产能的生产线建成。增加的生产能力中约95％为结晶硅型太阳能电池生产线。据称，设备投资多是由中电光伏（ChinaSunergy）、旺能光电（DelSolar）、昱晶能源科技（Gintech）、晶澳太阳能（JASolar）、茂迪（Motech）、尚德（Suntech）及Solartech等有结晶硅型太阳能电池生产经验的厂商进行的，此外新加入的海润光伏（HareonSolar）、晶科能源（JinkoSolar）、LDK太阳能（LDKSolar）及昱辉阳光能源（ReneSola）等的投资额也很多。2010年第三季度结晶硅型太阳能电池的产能增加部分中，标准产品约占78％，其余22％为高效率产品。因面向标准产品的投资较多，因此应用材料（AppliedMaterials）、Centrotherm及Roth&Rau等结晶硅型太阳能电池用制造装置厂商也会从中受益。

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  • 意法半导体公布2010年第三季度财务业绩报告

    意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）公布了截至2010年9月25日的第三季度及前九个月的财务结果。第三季度净收入同比增幅16.8%，所有地区和市场（除了电信市场）的收入都实现增长。大中华区与南亚区以29%的同比增幅领先其它地区市场，美洲地区紧随其后，同比增幅达到27%。本季度公司净收入环比增长5%，大中华区与南亚区和日本区分别以9%和7%领先其它地区市场。从产品部门上看，IMS和ACCI两大部门收入同比增长分别达到43%和29%，而无线产品部的收入降幅为23%。从环比上看，IMS收入增长7%，ACCI和无线产品部均实现4%的增长。公司总裁兼首席执行官CarloBozotti评论表示：“第三季度财度业绩反映市场对我们的产品需求旺盛，我们的企业模式的经营杠杆率卓有成效。本季度财报完全符合预期，收入和毛利率双双超过我们预期目标的中等水平。本期财务结果突显我们的产品组合的质量，验证我们的提高投资收益的发展计划。“本季度ACCI和IMS两大产品部门双双创造销售额记录，IMS的季度销售额首度突破10亿美元大关。“营业利润也很好。ACCI的营业利润率增长到11.7%，IMS的营业利润率也增长到19.7%，这归功于我们的强化产品组合的产品策略，这两个部门已提前达成2010年底的营业利润率目标。“ST-Ericsson在现行的产品组合转变和重组行动中继续取得进展，第三季度销售额环比增长4%，营业利润也显著改善。_________(*)归属意法半导体的净资产收益率(RONA)是一项非美国公认会计原则评价指标。归属意法半导体的净资产收益率是税前会计项目，计算方法是用按年计的调整后的归功于意法半导体的营业利润除以财报中的净资产（扣除意法半导体合账中的ST-Ericsson的50%净资产。有关公司为什么认为这些评价指标很重要，以及如何按照美国公认会计准则调帐，参见链接。.“明显增长的营业利润和快速的净资产周转率促使净资产收益率和归属意法半导体的净资产收益率分别达到13%和19%；即便处于对无线技术研发非常规的投资时期，我们仍然提前达到了资产收益目标预期。*“我们对产品组合的研发投资、成本结构优化措施和市场营销行动，再加上有利的市场环境，促使意法半导体在2010年前三个季度连续取得优异的财务业绩。总的来说，意法半导体在第三季度完成或超前完成了所有的主要财务目标。”

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  • 海力士半导体第三季营业利润为1.01万亿韩圜

    海力士半导体(000660.KS:行情)公布第三季财报,季度获利为纪录第二高,因出货量增加,且产品重心转向高价值晶片,缓解了普通芯片价格大幅下降带来的影响.海力士半导体周四公布7-9月当季综合营业利润为1.01万亿(兆)韩圜(合8.849亿美元),超过汤森路透I/B/E/S分析师预估的9,610亿韩圜.

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  • 挪威InnotechSolar德国新工厂破土动工

    InnotechSolar(ITS)德国新工厂28日上午破土动工，放入了第一块奠基石。ITS已经选择德国东部城市哈雷作为新工厂厂址，此举为德国繁荣的光伏产业提供了进一步的证明。这家工厂今天正式开始兴建，将会提升太阳能电池的性能。ITS在投资过程中得到了德国联邦外贸与投资署(GermanyTrade&Invest)的协助。这项投资最初将为该地区新增80个工作岗位，并且计划在未来进一步提高员工人数。ITS总部位于挪威的纳尔维克，致力于购买太阳能电池和使用工业生产技术来提升电池的输出功率并保证其品质。ITS首席执行官ThorChristianTuv表示：“德国为我们提供了加强商业活动的理想条件。对我们而言，繁荣的光伏产业集群和该国良好的基础设施是必不可少的要素。我们确信哈雷的位置将给予我们独一无二的竞争优势，支持我们延续公司的卓越发展。”投资德国的决定证明该国的光伏产业非常发达。德国拥有最集中的光伏企业、制造商和研究机构，去年光伏产业的营收超过了86亿欧元。制造商能够受益于“MadeinGermany”（德国制造）的声誉，获得高质量产品、完善的行业基础设施、大型设备供应商基地以及合格的劳动力。德国还是全球领先的太阳能生产国。2010年至今，德国新安装光伏容量达4.8GWp。与上年同期相比，太阳能系统需求的增长超过300%。这可绝非易事，因为德国在2009年底就已经拥有了全球近一半太阳能组件。最新的统计数字表明，德国累计的光伏总容量达到了14.6GWp左右，而且这一数字还在增长之中。德国的基础设施在ITS投资于哈雷的决定中也发挥了重要作用。2010年世界银行(WorldBank)一项研究表明，临近Leipzig-Halle机场和直接接入GermanAutobahn（德国高速公路）使ITS能够连接全球第一的基础设施。ITS在投资过程中获得了德国联邦外贸与投资署和InvestmentandMarketingCorporation(IMG)Saxony-Anhalt的帮助。德国联邦外贸与投资署是德国的外贸与对内投资促进机构。该机构致力于为寻求在德国市场拓展商业活动的非德国公司提供建议，并向希望进军非德国市场的德国公司提供外贸信息。

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