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  • 高通抢了联发科生意：P30获OPPO和vivo认可

    去年下半年至今，帮助联发科的芯片出货量创下新高的OPPO和vivo转而与高通密切合作并达成专利授权合作，这导致联发科去年四季度和今年一季度的业绩都表现不佳，近期台媒传OV下半年将采用联发科的helio P30芯片。 OPPO和vivo与联发科的深厚友谊。OPPO和vivo在2014年曾与高通密切合作，全面采用它的芯片推出4G手机，在当时国内开始商用4G的情况下取得了不错的业绩，不过之后考虑到芯片的成本问题，OV两家转而与联发科合作大量采购它的芯片。 2015年和2016年，OPPO和vivo凭借在三四五线城市和农村乡镇市场所拥有的强大线下渠道优势，出货量不断攀升，去年上半年OV进入全球前五大手机品牌的位置，当时OV两家大量采用联发科的MT6755芯片，这帮助联发科的季度业绩连连创下新高。 不过OPPO和vivo带给联发科的也并不全是好消息，在它们帮助联发科连连创下季度营收新高的情况下，毛利率却不断创下新低，这不禁让人思考OV两家大量采用联发科芯片的情况下却在不断压低其芯片的价格。这倒也与OPPO和vivo的营销策略相关，它们偏向于采购中低端芯片，获得更高的毛利，以与渠道分享利润从而获得渠道的支持，而它们疯狂的广告营销也需要大笔的费用。 在OPPO和vivo的出货量不断冲高的情况下，它们占优势的三四五线城市和农村乡镇市场开始逐渐饱和，这就要求它们开始进入一线城市。不过一线城市在华为和小米等的培养下，用户对手机的性能相当熟悉，OPPO和vivo的“低配高价”在这里要赢得用户支持并不容易，于是去年下半年开始OPPO和vivo开始转向于品牌形象和产品性能都更高的高通合作。 2016年10月，国内最大运营商中国移动要求手机企业和芯片企业支持LTE Cat7技术，由于中国移动占有国内手机市场的六成市场份额，对市场具有强大的影响力，而联发科直到去年底都没有芯片可以支持LTE Cat7技术，这成为OPPO和vivo放弃联发科芯片的又一个因素。 台媒指OPPO和vivo将会再次采用联发科芯片倒也不是不可能，联发科下半年发布的helio P30芯片性能接近高通的骁龙660，应该会支持LTE Cat7及以上技术，当然更重要的是性价比高。由于联发科当下市场表现不佳，OPPO和vivo作为全球前五大手机品牌，采购规模当然不会小，在这样的情况下相信联发科会给予OV让利。 OPPO和vivo引入联发科芯片也有利于它们平衡与高通的关系，毕竟任何手机企业都不希望完全受制于一家手机芯片企业，那样不利于企业降低成本，在芯片供应方面也更有可能受制于人。 当前OPPO和vivo无法摆脱对高通的依赖，它们正努力开拓国际市场，不过这两家手机企业缺乏专利，也正是这个原因它们去年与高通达成了专利授权合作，希望凭借后者的专利优势为它们走向海外市场保驾护航。小米早在2014年底被爱立信以专利侵权为由被爱立信起诉，随后借助高通的专利获得暂时解禁，不过采用联发科芯片的手机却被禁售，这是值得OPPO和vivo吸取的教训。 因此，在考虑众多因素后，OPPO和vivo采用联发科芯片的可能性是相当大的，不过迫于性能和专利等方面的影响其采购联发科芯片的量方面应该会有限，联发科想再靠这两家手机企业的支持重演去年上半年的辉煌已不可能。

    半导体 oppo vivo 联发科

  • 国内晶圆制造28纳米制程再获突破

    据报道，近日联芯集成电路制造(厦门)有限公司(下称“联芯”)顺利导入28纳米制程并量产。联芯是由厦门市政府、联电以及福建省电子信息集团三方合资新建的12寸晶圆代工厂，其28纳米制程技术就来源于联电。 今年一季度，联电正式量产旗下最新的14纳米制程技术，按照相关规定，可以向子公司联电输出28纳米技术。 所以在今年三月底，联电就表示，将尽快推动联芯导入28纳米制程。 没想到布局速度这么快，刚过去一个多月，联芯就实现了28纳米技术的量产。 据悉，联芯目前的量产良率高达94%，刚导入就能取得这么高的良率确属不易，也证明了联电28纳米制程的稳定性。 目前，联芯月产能为6000片，预计今年年底月产能可达1.6万片。 随着联芯28纳米制程工艺顺利量产，未来将快速带动厦门甚至福建集成电路产业集群的形成，也将增加国内28纳米晶圆出货量在全球市场的出货占比。 根据拓璞产业研究院资料显示，此前中国大陆本土纯晶圆代工厂商只有中芯国际量产了28纳米制程晶圆，但其28纳米晶圆产能全球占比不足1%，与台积电(66.7%)、格罗方德(16.1%)、联电(8.4%)仍有较大差距。 预计联芯28纳米制程的快速量产未来可能会对中芯国际28纳米的布局产生较大影响。 虽然中芯国际28纳米制程工艺已在这之前开始量产，但从产品规格来看，中芯更多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术，对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深，而联电授权联芯的28纳米在量产时间上领先中芯国际两年，技术水准也相对更加全面和稳定。

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  • 都是套路！AMD为何做8核16线程的Ryzen

    AMD的Ryzen处理器已经发布了Ryzen 7和Ryzen 5系列,已经有8核、6核及4核型号,不过我们之前已经从AMD官方那边确认了目前的Ryzen处理器都是原生8核的,其他核心都是屏蔽部分核心、缓存阉割而来的,未来的Ryzen 3也不例外。 原生8核阉割到4核未免有些浪费,AMD难道不心疼吗?但是AMD这么做也是有好处的,更关键的是Ryzen 8核的良率非常高,达到80%以上。 我们之前提过AMD要是出个原生4核8线程的处理器就更好了,这样在中低端市场很有意义,省得用原生8核阉割到4核这么浪费,不过Zen架构的处理器对AMD来说不止是桌面处理器,他们更看重的是高性能服务器市场,AMD推出了32核64线程、128个PCI-E通道、8通道DDR4内存的Naples跟Intel竞争,Zen架构必须要考虑到这一点。 从前几天AMD展示的数据中心品牌EPYC来看,每个32核Naples处理器内部是有4个Ryzen处理器组成,正好是8核16线程,当时我们也分析了AMD为何做8核16线程的Ryzen了——4x8核的组合做32核处理器要比8x4核更简单。 AMD做原生8核可能还有更深的问题,那就是良率,在同样的300mm晶圆下,芯片成本不仅跟芯片面积有关,良率也非常重要。意大利bitchips网站爆料称Ryzen 8核的良率达到80%以上,而良率越高,成本就越低,所以AMD能以非常低的价格制造出32核处理器。 原文还提到了AMD Naples处理器已经吸引到了厂商注意,Dropbox就对Naples和ThreadRipper很感兴趣,表示内部评估对EPYC处理器印象深刻,核心性能、内存带宽及I/O的组合使它独一无二,Dropbox将持续评估EPYC作为他们基础设施的可能性。 他们还提到有家大公司将购买数量庞大的Naples处理器,很快就会公布名字了。良率确实是影响处理器成本的一个重要问题,越复杂的芯片良率会越低,成本也会更高,具体到每家公司的产品来说,良率都是不同的,也是各家的机密,所以我们无法从公开数据去对比Ryzen 8核的80%良率到底是什么水平,Bitchips这里认为80%的良率是很高了,有助于降低32核Naples的成本,所以AMD可以只搞已成原生8核的Ryzen,通过它来实现高中低端桌面及服务器处理器产品线划分。 不过原生4核Ryzen对消费者来说依然很有意义,可惜这一代的Ryzen上是见不到了,不过Ryzen APU中有4核8线程的,还有Vega架构显卡,预计在今年下半年发布。

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  • 国人荣耀！我国研发成功全球首款二维雷达

    根据相关新闻报道，近日中航机载雷达研究所(607所)完成了世界首部风冷机载两维有源相控阵火控雷达研制，并且经过了试飞，取得了重大技术突破。 中国研制成功风冷机载有源相控阵火控雷达，可以方便对现有战斗机进行升级对于战斗机来说，没有配备有源相控阵火控雷达，可能就难以适应2020年之后空战环境。 这部雷达研制成功表明国产现役战斗机可以方便用有源相控阵雷达替代现有机械扫描雷达，从而提高战斗能力，并且这种雷达也可以用于国外战斗机升级改造，成为中国防务出口一个新的增长点。 我们知道有机载源相控阵火控雷达与现役机械扫描雷达相比，探测性能、多目标跟踪/攻击能力、多用途性能、抗电子干扰能力更强，已经成为现代作战飞机主流配置，因此有人认为战斗机如果不配备有源相控阵雷达，可能就无法适应2020年之后空战环境。 有源相控阵雷达并不是没有自己缺点，其中一个主要缺点就是T/R模块能量转换效率偏低，我们知道有源相控阵依靠天线上的T/R模块将电能转换成电磁波辐射出去，受到现有电子技术限制，目前有源相控阵T/R模块转换效率还比较低，一般在30%左右，也就是输入进来电能只有一小部分能够转换成电磁波，大部分都转变成了热能，我们知道高温是电子设备大敌，对于半导体材料来说，工作环境温度不能超过30度，如果这些热能无法及时散发出去，就会让环境温度迅速上升，从而影响雷达和其他航空电子系统工作，这样就需要高效制冷系统配合有源相阵雷达工作。 另外中国还可以把这型有源相控阵雷达推向国际市场，用于其他国家战斗机升级改造，上世纪90年代以后，许多国家引进了米格-29、F-16这样三代作战飞机，这些飞机同样配备机械扫描雷达，也到了升级时候，这是一个非常有潜力市场，实际上中国已经涉足相关领域，根据相关资料，中国相关单位曾经将国外空军F-5战斗机升级为综合火控系统，因此在前期项目基础上，可以向潜在用户提供一套完整有源相控阵火控雷达升级方案，避免对战斗机进行较大改进，节省费用，这对于许多发展中国家来说是非常有吸引能力的。

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  • 华为麒麟970将采用10nmFinFET工艺

    10nm工艺的高通骁龙835、三星Exynos 8895、联发科Helio X30已经陆续出炉，传说中的华为麒麟970又在哪儿呢?据说它也会上10nm FinFET工艺，并且会在华为下一代旗舰Mate 10中首发。 随着10nm工艺的骁龙835处理器新机陆续问世，华为海思麒麟970何时推出也成了不少网友关心的话题。根据网友@草Grass草在微博上的最新爆料称，华为下代麒麟970处理器将采用10nm FinFET工艺，GPU则或将首发ARM Heimdallr MP (北欧神话人物海姆达尔)。这意味相比现在16nm工艺的麒麟960处理器无论在功耗还是发热控制等方面都会有更好的表现。 假如网友@草Grass草在微博上的爆料属实，那么和骁龙835还有猎户座8895相比，麒麟970的参数一点都不差，甚至性能还要更为强大! 此外，消息表示这款处理器仍然沿用目前的4*A72+4*A53的架构，据说GPU或许会良心发现地升级到MP8，也就是八核心级别。这么看来对比自家产品的上一代来说，提升也是非常巨大的了。 虽然麒麟960在性能上已经够好了，但是和骁龙835比起来还是落后了太多，所以今年的麒麟970那是势在必行的! 在网络制式方面，该款处理器将集成基带，支持全网通网络以及全球大部分的频段，支持5载波聚合、256-QAM调制，并且还将提前支持5G网络的一些特性。 怼骁龙845已经没有“隔代差”优势 尽管以上消息的真实性还有待证实，但如果爆料属实的话，那么麒麟970处理器还是完美解决了当前麒麟960所存在的一些不足，包括工艺带来的功耗和发热问题，以及GPU表现较为逊色等等。 麒麟970无疑会在华为下一代旗舰Mate 10中首发，而发布时间还是老规矩，也就是今年10月份发布麒麟970、11月份再发布Mate 10。 根据华为一贯的战略，其将会打田忌赛马的时间差，比骁龙835高那么点，抢占骁龙845登场前的时间制霸。不过，由于今年第四季传出高通还有骁龙845处理器推出的消息，所以麒麟970以往的“隔代差”优势将不复存在，由此可见高通已经掌握了华为麒麟的节奏，年底的处理器大战将会变得更加的精彩。 当然根据华为的特性，或许这枚处理器在发布时会美如画，在实际终端搭载会有功能上的阉割吧。 而在此前，德国网站Win Future曾经在高通官网上发现骁龙845和骁龙660、骁龙630等处理器同时出现在一个表单中。虽然该款处理器的信息很快便被删除，但据称将在今年第四季推出，并采用台积电的7nm工艺，可以封装在更小的体积中，同时性能将提升25%-30%。

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  • 富士康等4家苹果代工厂拒付专利费 遭高通起诉

     高通与苹果之间的专利战此前一直处于僵持状态，日前有消息称，高通表示，已起诉富士康(鸿海)集团等4家苹果代工厂拒付专利费。高通与苹果之间的专利战升级，有评价称这样会间接给苹果施压。这一举措使两家公司之间的紧张关系严重升级，无论结果如何都会造成市场紊乱。 专利战升级 代工厂被起诉 其它被高通起诉的苹果代工厂还包括：和硕、纬创和仁宝。 高通称，已在加州南区联邦地区法院提起诉讼，指控为苹果公司制造其在全球销售的iPhone 和iPad的四家制造商——富智康集团有限公司和鸿海精密工业有限公司(合称为富士康)、和硕联合科技股份有限公司、纬创资通股份有限公司和仁宝电脑工业有限公司——违反了他们与高通之间的许可协议和其它承诺，并拒绝就使用高通向其许可的技术付费。 由于高通有关iPhone和iPad的许可协议不是直接与苹果签署，而是与生产这些设备的代工厂商签署的，因此它无法直接起诉苹果拒不支付专利使用费。 在起诉中，高通指控苹果“精心导演”了其代工厂商拒绝支付专利使用费的行为。起诉书称，“除不向被告支付应当支付给高通的专利使用费外，苹果还唆使被告不向高通支付专利使用费。更有甚者，苹果还同意为代工厂商因违背与高通的协议而蒙受的损失买单，进一步表明了苹果的强势。” 两家公司间的纠纷起始于1月份。苹果在2017年透过联邦贸易委员会(FTC)向高通求偿10亿美元，并发表声明表示高通收取的权利金，是其它移动通讯专利授权者加总金额的5倍。高通则辩称，苹果如果没有采用高通提供的快速移动通讯连线功能，就不可能打造出大获成功的商业产品。 苹果于4月底表示在双方解决法律纠纷之前，将停止支付高通与iPhone有关的权利金。 苹果拒付权利金导致高通被迫下修2017会计年度第3季财务展望，高通坦言，由于苹果扣留应付给合约制造商的权利金，致使合约制造商无法支付高通相关权利金。 有分析认为，苹果与高通的争议之所以现在才爆发，原因与5G即将推出脱不了关系，因为苹果与其它手机厂都希望在5G普及之前，与高通协议新的授权费用。 利益攸关寸步不让 比拼双方决心 实际上，此次争议对双方可谓都是利益攸关。 在高通而言，专利费是其利润的重要来源。现阶段高通专利授权业务利润比芯片销售还高出3倍，高通估算全球约有13.7亿台采用3G和4G的装置必须向其支付权利金。 全球将于2018年开始部署5G，而高通几乎与所有主要5G电信商建立紧密的联盟关系。另外，高通将3万多项专利列为必要智能财产权，苹果无法具体得知哪些专利已获得授权，目前有争议的专利便有20项，以苹果在移动通讯领域的处境来看，应仍会继续向高通、诺基亚(Nokia)、爱立信(Ericsson)等支付权利金。 在苹果而言，iPhone的高利润是苹果每年利润的核心，所以它奋力反抗避免任何情况的利润减少。而专利费确实是其一笔庞大的支出。 苹果称，过去数年高通向它多收了“数十亿美元”的专利使用费，与其无线通信技术专利相比，高通收取了“过高的专利使用费”。苹果执行长Tim Cook日前针对与高通的专利争议表示，苹果不否认高通在标准必要专利方面的贡献，但高通的元件只占iPhone一小部分，却以iPhone售价的百分比收取权利金。在双方各自认为有理情况下，只好诉请法院裁决。 如果法院判定高通必须根据元件而非手机价格计算费用，这对手机厂来说可谓是一大胜利。但高通、诺基亚、爱立信等行之有年、仰赖专利授权获利的商业模式恐将遭到破坏。 也因此，双方此次力战寸步不让，愈演愈烈。 有分析指出，高通是否会通过美国国际贸易委员会寻求禁令还有待观察。苹果可能会选择解决问题，如果iPhone 8因为进口禁令推迟发布，无论推迟时间多短暂，苹果的股价可能会面临巨大打击。 知识产权律师游云庭在与《证券日报》记者交流时表示，根据专利法规的规定，生产是法定的侵权专利的方式之一。对于这些诉讼，如果高通的专利确实成立，胜诉应该没有什么悬念。但对于苹果方面来说，这些诉讼可以看作是高通对苹果的敲打。“如果苹果铁心承受损失也要将专利费砍下来，我个人觉得他们可以挺下去。”

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  • 全球半导体市场趋向集中购并业者

    根据调研机构Gartner最新公布的2016年半导体市场规模最终统计报告，当年全球半导体市场规模为3,435.14亿美元，较2015年3,349.34亿美元，成长2.6%。 Gartner研究总监James Hines表示，2016年半导体市场，由于一开始时的库存调整，使得市场需求疲弱，而引发不少担忧。他指出，全球半导体营收成长主要受惠于诸多电子设备领域产能增加、NAND Flash存储器价格改善，以及相对有利的汇率走势，因此2016全年全球半导体市场整体表现大幅优于2015年。 然而随著各半导体业者彼此间的收购或整并案不断，2016年全球营收前25大半导体业者合计营收，较2015年前25大增加了10.5%。相较而言，当年营收前25大以外的所有业者合计营收，则是大幅下滑了15.6%。这意味，全球半导体业市场，正在趋向主要业者集中。 资料显示，2016年全球营收前25大半导体业者合计营收，已占当年整体半导体市场规模的74.9%。 而在2016年前十大半导体业者中，英特尔(Intel)与三星电子(Samsung Electronics)营收分别年增4.6%，与5.9%，以540.91亿美元与401.04亿美元续居全球前二大。 高通(Qualcomm)与SK海力士(SK Hynix)营收虽然分别年减4.1%，与10.2%，但仍以154.15亿美元与147.00亿美元，位居全球第三与四名。2015年SK海力士排名为第三，高通为第四。 至于2016年全球营收排名第五的业者，则是由原名为安华高科技(Avago)的新加坡半导体业者博通(Broadcom)取得。安华高于2016年初完成对美国芯片设计业者博通购并作业后，将合并后的新公司仍命名为博通。 新成立的博通2016年营收大幅年增191.1%，达132.23亿美元。营收排名也由2015年的17，跳升为2016年的第五。 2016年营收排名因购并案而攀升的业者尚包括，如购并快捷半导体(Fairchild)的安森美半导体(ON Semiconductor)，以及购并新帝(SanDisk)的威腾(WD)等。 Gartner表示，如果将各收购案中的收购者与被收购者营收回归至原个别业者来计算的话，那么2016年营收前25大半导体业者合计营收，仅较2015年前25大成长1.9%，前25大以外所有业者合计营收，则会较2015年成长4.6%。 资料显示，台湾地区芯片设计业者联发科2016年营收为87.25亿美元，年增30.1%。该公司2015年与2016年营收排名均为第十。

    半导体 半导体 市场

  • 安森美半导体打造行业首款支持快充的智能单芯片移动电源方案

    当下的碎片化信息时代，随着碎片式内容的日益丰富，移动设备的使用频次越来越密集，一款集时尚轻薄的外形与快速充电于一身的充电设备，自然更得消费者青睐。所以， 更智能且支持快充的移动电源方案便应运而生。 用户通常都是在远离电源的场合使用移动设备如玩游戏、看视频、发微信等，需要随时随处频繁为移动设备充电，这种需求促进移动电源市场的增长。根据有关市场调研机构的预测，移动电源的出货量将从2016年的不到5亿只增加到2019年的超过9亿只，从而使得市场年均增长率高达17.5%。TMR最新研究报告指出，预计到2022年，全球移动电源市场规模将超过361亿美元，2014-2022期间年复合增率高达25.9%。   图1：移动电源市场趋势 在市场发展的不断推动下，仅仅具备简单的充电功能的移动电源，已经远远不能满足消费者的期望， 而更智能的特性和更前沿的设计则是消费者的普遍期待，尤其是能使电池尽快充满电的移动电源，可将不便减至最小。安森美半导体高度集成的单芯片移动电源方案LC709501F，可实现功能丰富且更具差异化特性的智能移动电源产品，更智能且支持快充，帮助移动电源供应商在市场竞争中处于有利地位。 开创的功能：与移动设备通信，于移动设备显示电池信息数据 相信很多消费者都有过因携带的移动电源电量不足而无法为移动设备充电的恼人经历。安森美半导体的智能充电控制器LC709501支持通过USB 2.0 全速主机控制器获取移动电源电池信息如1% 步进剩余电量、电池温度、电池电流及电池健康指标(电池充放电周期数)，提供行业首款电池信息数据显示App用于移动设备，让消费者通过移动设备随时知悉所携带的移动电源的各项指标，大大提高用户体验。 如图2所示，只要基于LC709501的移动电源被连接到移动设备如智能手机，创新的移动电源应用程序就自动启动，移动电源的详细运行信息及关键参数将显示在智能手机的屏幕，如移动电源电池剩余电量及动画运行、移动电源电池使用时间、剩下的充电时间、电池温度、快充开关按钮等等，并且该方案还支持移动电源供应商在该App界面显示其公司Logo。 图2：与智能手机的通信显示电池健康和充电信息 系统架构简单且高度集成 传统的移动电源方案通常包括微控制器(MCU)、低压降稳压器(LDO)、USB检测模块和充电稳压模块等多个元件，需要大量的设计整合时间，以及软件开发时间来处理逻辑和控制功能。安森美半导体新的单芯片方案LC709501F 将多个元件集成到单个封装，减少元件数，节省约20%的空间，实现紧凑的、超薄的高性能系统，支持平台设计，外置的FET还可扩展充电能力。该单芯片方案包括集成的电量计功能、可配置的I/O、LED驱动器、I2C接口、USB 2.0全速主机控制器，和用于外部功率MOSFET的预驱动器，提供领先业界的功率密度。 图3：移动电源之传统方案架构对比安森美半导体方案架构 支持最新的快充标准 为加快充电速度，缩短充电时间，市场上产生了各种快速充电标准，其规格和充电速度及输出功率如图4所示。一般而言，输出电流和输出电压越高，充电越快。安森美半导体的移动电源方案LC709501可自动检测移动设备的电池标准，并集成最佳充电方式选择功能，通过更新固件支持最新的快速充电标准，如高通快速充电QC2.0和QC3.0等专有充电协议，并可通过额外的软件支持USB PD和Type-C连接，资深用户甚至可对LC709501F重新编程以实现定制的充/放电协议，通过改变外部MOSFET支持最大12V、2.5A(30W)的输出功率等级。 图4：快速充电标准概览及比较 丰富的保护机制 移动电源的安全问题不容忽视，如若其保护机制的设计不合理，将有可能引发火灾、爆炸等安全事故。安森美半导体的LC709501F提供过流检测、过压检测、安全计时器和冗余电池保护等全面的保护机制，并采用一个热敏电阻用于温度监测，增强安全性。此外，其自适应充电算法能在兼顾电池健康状态的同时，实现最大化的电荷存储容量，确保更长的电池使用寿命。 能效测试 安森美半导体对LC709501F作了6组能效测试，6组数据的能效都超过90%，如图5所示。 图5：能效测试曲线 总结 安森美半导体打造的行业首款支持快充的智能单芯片移动电源方案LC709501F，开创了移动电源与移动设备通信的功能，可准确可靠地于屏幕显示电池信息数据，提供全新的用户体验，具备智能特性以及同类最佳的集成度，系统架构简单，有利于实现紧凑的、时尚轻薄的移动电源，支持平台设计，并兼容最新的快速充电标准，满足消费者对随时随地为便携式电子产品充电的需求，提供宽广的功率和5 V、9 V甚或12 V工作的电压输出范围，通过简单的FET选择，最大充放电能力达30 W，全面的保护机制增强安全性并确保电池使用寿命。此外，为帮助移动电源制造商加速产品上市进程，安森美半导体还提供参考设计套件，最大限度地缩减设计人员重设计硬件的时间。

    半导体 安森美半导体 单芯片移动电源

  • 以CMOS技术实现的微型化毫米波传感器

    大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz汽车雷达系统满足自适应巡航控制时的高速度要求，但它们体积过大、过于笨重，占用了大量电路板空间。 随着车辆中雷达传感器数量的不断攀升，目前车辆中至少有10个雷达传感器(前置、后置和车角)，空间上的限制就要求每个传感器必须体积更小、功耗更低，并且性价比更高。某些正处于开发阶段的现有雷达系统将促使发射器、接收器、时钟和基带功能集成在一个单芯片内，而这将把前端芯片的数量从4个减少到1个，不过这只适用于雷达前端。 通过充分利用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，并将嵌入式微控制器 (MCU)和数字信号处理(DSP)以及智能雷达前端集成在内，TI已经将集成度提升至新高度。前端具有处理功能将尽可能降低雷达系统尺寸、功率、外形尺寸和成本，从而进一步实现车辆内多个雷达系统的安装。 图1：由CMOS实现的单芯片集成 CMOS技术的传统优势包括更高的晶体管密度和更低功率。CMOS内的数字缩放降低了功率，缩小了尺寸，并且提高了每个节点的性能。在数字晶体管改进的推动下，CMOS的速度不断提高，现已足以满足79GHz ADAS应用的需要了。 79GHz波段提供4GHz带宽，这对更高范围的分辨率至关重要。未来的雷达系统还将需要对短距离的支持，将更佳的角分辨率转化为雷达系统内的更多天线。采用CMOS技术的TI传感器能够支持此项扩展能力，实现高容量的大批量生产。 CMOS技术进一步提高了TI在模拟组件中嵌入数字功能的能力，从而实现了在雷达系统部署方面的全新系统配置和拓扑。例如，TI单芯片毫米波(mmWave)传感器内的嵌入式MCU可实现射频(RF)和模拟子系统的半自主控制。TI的CMOS传感器为模拟组件提供数字辅助，以便适应环境和生产过程中的变化，同时保持灵活性和稳健耐用性，数字辅助能够灵活生成调频信号并能实现实时高级自监控。 一个雷达系统的动态范围取决于接收器噪底，以及在保险杠反射所导致的自干扰下的耐受能力。而这在很大程度上取决于架构和系统能力，这样就使一个CMOS系统——具有更宽的中频(IF)带宽、更多信道和精确的低噪声线性闭环调频信号生成——对于特定的雷达应用具有出色的系统级性能。 CMOS技术改变了毫米波传感器的设计，并嵌入更高的智能化和功能性。CMOS技术已经使TI能够提供高性能、低功率毫米波传感器产品组合，涵盖了从高性能雷达前端到单芯片雷达的整个范围。

    半导体 cmos技术 微型化毫米波传感器

  • 意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管，兼备出色的能效和先进的稳健性

    意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。 意法半导体的碳化硅制程可以制造出稳健性极高、正向电压同级最好(VF最低)的二极管，给电路设计人员更多的发挥空间，用低价的小电流二极管取得高能效和高可靠性，让碳化硅技术更容易打开成本敏感的应用市场，例如太阳能逆变器、工业电机驱动器、家电和电源适配器。 同时，意法半导体最新的1200V碳化硅二极管可满足高性能应用对高能效、低重量、小尺寸或最好的散热性的要求。更低的正向压降(VF)产生更高的能效，给很多汽车设备带来重大利好，例如，车载充电器(OBC)和插电式混动汽车或纯电动汽车(PHEV/EV)充电桩。另一方面，总体比较稳健的电性能确保其最适合电信级电源、服务器电源、大功率工业开关式电源(SMPS)及电机驱动器、不间断电源(UPS)和大型太阳能逆变器。 除最大限度提升碳化硅能效外，最低的正向压降VF 还有助于降低工作温度，延长应用设备的生命周期。此外，意法半导体的制程确保产品具有很小的VF (数据手册规定的正向电压)压差，在原始设备制造商量产电路时，这可以确保电路有很好的再现性。 意法半导体的新系列1200V 碳化硅二极管覆盖2A至40A额定电流范围，包括DPAK HV(高压)和D²PAK贴装的汽车级元器件或通孔TO-220AC和TO-247LL (长脚)封装产品。目前市场上只有意法半导体一家公司提供D²PAK封装的1200V 碳化硅二极管。TO-220AC封装的10A STPSC10H12D二极管。

    半导体 意法半导体 碳化硅二极管

  • 通用适配器来了，氮化镓技术做后盾

    在过去的半个世纪，硅一直是现代电子工业的基础，原因很显然：到现在为止，硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在，面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料，硅的局限性受到了挑战。 这种颠覆性材料就是氮化镓(GaN)，自上世纪90年代以来主要用于LED和RF器件的化合物。尽管GaN并不是刚刚发现或新奇的材料，但是GaN刚刚进入下一代电子设备的功率半导体应用，创造了速度和转换效率的新高度。 Dialog与台积电(TSMC)合作，推出市场上首个高电压GaN功率IC +控制器组合。该功率产品组合(以SmartGaNTM产品系列为先锋)将实现转换效率可达94%的快速充电技术。 我们的新PMIC DA8801与Dialog具有专利的数字式 Rapid Charge™电源转换控制器结合使用，可以实现比目前的硅场效应晶体管(FET)设计更高效、更小、功率密度更高的适配器。事实上，DA8801可以使硅PMIC的功率损耗和尺寸几乎减半，进而使该技术的成本减半。 我们计划首先将这种技术应用于PC和手持设备的快速充电适配器。目前在快速充电适配器市场上，凭借Rapid Charge™快速充电技术，Dialog的市场占有率已超过70%。GaN具有十分惊人的促使这类产品的功能、外观和成本发生革命性变化的潜力：因为GaN技术可使功率电子器件的尺寸减小50%，一个典型的45W GaN驱动的适配器的尺寸可与传统25W设计的尺寸一样甚至更小。通过更紧凑的设计，适配器能变得更轻巧，有助于在不久的将来实现能为所有移动设备供电的通用适配器。 GaN技术提供全球速度最快的晶体管，这些晶体管是高频和超高效功率转换的核心。Dialog的DA8801半桥将栅极驱动和电平转换电路与650V功率开关相集成，可使功率损耗降低达50%。同样重要的是，这些特性有助于无缝应用GaN技术，而无需设计复杂的外围电路。 这使GaN技术能够顺利地集成入其他产品。因此，DA8801集成式GaN半桥为提升各种技术的效率带来了几乎无穷的可能性，从助力更快速的物联网(IoT)应用，到提升服务器和数据存储操作的效率。到目前为止，硅材料对我们提供高效、敏捷的技术发挥了重要作用，而GaN将会在未来带我们走的更远。

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  • MACOM宣布推出适合测试和测量应用、噪声系数性能卓越的宽带低噪声放大器

     MACOM 于今日推出MAAL-011141-DIE。下一代测试和测量系统需要简单易用、外形更小、性能更好的宽带元件，用来实现更小的模块化解决方案与缩短上市时间。MACOM的宽带低噪声放大器便是满足这些测试和测量要求的理想解决方案，其工作频率范围为DC至28 GHz。 60多年来，MACOM的设计和应用专家始终在射频、微波和毫米波领域引领创新。经过考验的工程和应用支持团队继续书写着这种传奇，设计出下一代宽带MMIC解决方案，可满足要求最为严苛的客户应用。 性 能 分 析 MAAL-011141-DIE在整个频率范围内都具有低噪声系数特性，可实现宽带应用(如测试和测量以及任务关键型航空航天与国防应用等)的信号完整性。MAAL-011141-DIE只需正压，无需负压电源，从而所需元件和电源轨更少，可减轻客户设计负担。 此外，这款低噪声放大器还具有可变偏压特性，为客户提供更大的自由度去折衷线性度和功耗。MAAL-011141的输入和输出均为50 Ω匹配，典型回波损耗>15 dB。通过创新的设计，这款放大器的噪声系数比其他替代品更低，尤其是在低频范围内表现更出色。 “ 增益平坦度高、噪声系数低以及阻抗完全匹配的特性使得这款产品非常适合高要求的测试和测量应用。而且正偏置电源和可变偏压特性也极大拓宽了其应用范围。MAAL-011141-DIE仍将以5 mm QFN封装的形式发布，属于下一代MACOM宽带放大器全新系列的一部分。 ” —MACOM产品经理Paul Beasly

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  • 奥宝科技推出适用于先进HDI mSAP制程PCB生产解决方案

    奥宝科技作为工艺创新技术解决方案和设备的领先供应商，致力于推进全球电子产品制造业变革，公司将于5月17日至19日在中国苏州举行的CTEX 2017上展出一系列最新的创新的PCB量产制造解决方案。 奥宝科技解决方案现场演示于5月17日至19日在苏州国际博览中心C1号展厅AJ12号展位举行。 针对PCB制造商不断向超高精密的印刷和柔性电路板转变的趋势，奥宝科技将重点介绍一系列支持mSAP制程、先进HDI制造和自动PCB应用的前制程、生产和良率管理解决方案。即将亮相的mSAP型解决方案包括用于高精密量产DI(直接成像)的Nuvogo Fine10、AOI(自动光学检测)的Ultra Fusion 300进一步提升性能，目前可实现自动化二维测量制程质量控制，以及用于AOS(自动光学成形)的Precise 800——业内唯一一款针对断路、缺口和短路的一站式解决方案。 公司还将展出面向工业4.0的新型奥宝科技智能工厂解决方案。该解决方案与奥宝所有产品相连，可以实现实时的生产分析、双向通信和数据分享，以及可追溯性和按需数据分析。此外，奥宝科技还将展出CAM与工程软件解决方案InCAM和InPlan。 CTEX期间，奥宝科技会在展览会的NPI(新品发布)研讨会上举行两次会议。在第一次会议(5月17日13:00-13:40)上，奥宝科技亚太区高级市场经理郑晶晶女士将介绍奥宝科技的mSAP整套解决方案。第二次会议(5月18日13:00-13:40)由奥宝科技亚太区市场经理王俊杰先生主持，他将展示奥宝旗下符合工业4.0理念的解决方案——奥宝科技智能工厂——如何提供可以实现全面监控的可追溯性工具，从而帮助全亚洲的客户优化工作效率。 奥宝科技亚太区总裁Hadar Himmelman先生表示：“我们发现，随着‘超级’智能手机型号的日益增多，PCB制造商对mSAP和先进HDI应用的需求也不断增加。通过与客户的持续合作，奥宝科技研发了一系列全面的生产解决方案，用于满足mSAP和先进HDI应用的关键需求。Nuvogo Fine和Precise 800可以帮助我们的客户生产适用于市场上最先进应用的高品质PCB，同时最大程度提升良率，提供最佳的成本结构。CTEX期间，我们还会展示奥宝科技智能工厂解决方案和用于AOI的二维测量插件，这些都可以满足PCB制造商对可追溯性、测量和自动化的需求。” 即将在CTEX 2017上亮相的奥宝科技PCB生产解决方案包括： Nuvogo Fine10：Nuvogo Fine10是奥宝科技旗下行业领先直接成像(DI)解决方案的一员，专为mSAP、先进HDI和FPC PCB应用而生。Nuvogo Fine配备奥宝科技一流的光学、机械和电子系统，能够提供高分辨率(L/S=10/15μm)，同时兼具出色的成像质量和超高产能。Nuvogo Fine采用了奥宝科技经过业界验证的大镜面扫描技术(Large Scan Optics Technology)，能够提供无可比拟的景深(DoF)和成像均匀度。多波长激光技术(Multi Wave Laser Technology)的运用也赋予了它最佳的曝光灵活性。 Ultra Fusion 300+2D计量：UltraFusion 300是一款mSAP和先进HDIAOI解决方案，是奥宝科技推出的领先市场的高性能AOI系列的一员，运用多重影像技术(Multi-Image Technology)，实现出色的检测，减少误报。奥宝科技的Ultra Fusion 300进一步提升性能，现在可以利用自动化二维测量实现IPQC(制程质量控制)，可以对顶部和底部的导线宽度持续进行自动在线检测，并且通过快速、简单的采样和先进的可追溯性确保精确、可重复的测量结果。 Precise 800：突破性的Precise 800是唯一一款“一站式”自动光学成形(AOS)解决方案，专为mSAP、先进HDI和复杂多层板PCB制造市场而生，能够采用一站式自动化过程对任何缺陷进行成形：断路、裂纹和短路。Precise 800能够对最先进的PCB设计进行精准、高品质的3D成形，几乎避免PCB报废，从而大幅提升产品良率。Precise 800可以解决全部缺陷，包括内层和外层、多线路、角落和焊接点缺陷的缺陷。 具有超高速自动化功能的Sprint 200：具有超高速自动化功能的Sprint 200文字喷印机是奥宝科技专门针对PCB生产打造的量产数字化文字喷印解决方案。作为奥宝科技高性能PCB文字喷印机系列的最新产品，它可以凭借极具成本效益的方式带来最高品质的工业级喷印，即使是最复杂的文字设计，都能以始终如一的品质进行准确生产，满足任何制造量需求。文字喷印机支持自动和手动两种模式，是一款成本效益极高的先进解决方案，可满足当前和未来的PCB文字和序列化喷印需求。 InCAM和InPlan：InCAM和InPlan是适用于硬板、软板和软硬结合板生产的软件解决方案。InCAM这款专用的CAM解决方案将分析和编辑功能与自动化生产数据优化相结合，为PCB制造提供高精准的CAM工具。InPlan是一款自动化工程系统，将复杂的工程实践知识与尖端制前计划工具相结合，从而设计最佳生产流程。

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  • ARM开发大脑芯片 可植入人脑恢复神经疾病

     外媒报道，芯片设计巨头ARM已与美国研究人员合作开发出了一种大脑芯片，这种芯片可以被植入人脑中。 这种芯片的设计目的是为了帮助脑部或脊椎损伤的病人。它可以被植入人的头骨内。 它不仅可以让人们执行各种任务，而且还能够接受感官反馈信息。 但是，我们可能需要等待一些时日才能看到这种芯片的好处。 ARM公司将为华盛顿大学感觉运动神经工程中心(CSNE)设计的移植物开发芯片。 这些研究人员已开发出了早期的原型机。 “他们已开发出了一些原型机。”ARM卫生保健科技负责人彼得-弗格森(Peter Ferguson)说，“现在的挑战就是能耗和热量问题。他们需要个体超小、能耗超低的芯片。” 第一阶段就是设计“芯片系统”，帮助将大脑的信号传递给骨髓中植入的刺激物，从而让那些患有脊椎或神经疾病的人恢复控制他们的身体活动。 最近这个研究团队，包括位于俄亥俄州克里夫兰的凯斯西储大学的研究人员，率先在一个全瘫患者身上进行了试验，并帮助患者恢复了由大脑控制的手和手臂运动。 但是，CSNE还希望该设备能够将感官信息传回给大脑。 “它们不仅要能读取大脑的信号，而且还要能给大脑传回信号。”弗格森解释说。 这种设备可以让人们衡量他们抓取物体的牢固程度，或感受物体的温度。 研究人员称，这种反馈信息还可能帮助大脑恢复正常工作，帮助某些病患者恢复正常，例如中风患者。 “想一想吧，对于那些有脊髓损伤的患者，这种技术可以帮助联通脊髓，让肌肉群再次活动起来。” 弗格森说。 与此同时，他表示，这种技术还可以被用来治疗中风患者、帕金森氏症患者和老年痴呆症患者。 ARM公司位于英国剑桥，去年它作价240亿英镑卖给了日本软银公司。 在今年3月，软银据说准备将其25%的ARM公司股份销售给一家沙特阿拉伯投资公司。

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  • 我国首部集成电路产业人才白皮书发布

    近日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在京发布了《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》。这是我国首部集成电路产业人才专题的白皮书，对我国集成电路产业人才的供需状况进行了全面的分析和总结。CSIP同期举办了主题为“如何营造适合中国集成电路产业发展的人才培育环境”的论坛。中国教育学会会长、原北京师范大学校长钟秉林，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武，中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)主任卢山，工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰等出席并致辞。来自展讯通信、中芯国际、清华大学、中科院等业界代表共计100余人出席了活动。     中国教育学会会长钟秉林在致辞中表示，《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》的发布可以推动我国高等院校更加明晰人才培养目标和规格，深化人才培养模式的改革。高校应加强与企业合作、产教融合，为产业发展真正提供高素质人力资源支持。白皮书的发布也为其它学科探索适应产业发展需求的人才培养方式树立了典范。   国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示，《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以来，我国集成电路产业得到快速发展。与此同时，人才匮乏的问题凸显出来。白皮书的发布让业界首次系统认识到集成电路人才的层次、数量、来源及其区域分布。   中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心主任卢山介绍，《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》是为进一步贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》文件要求，准确把握我国集成电路产业人才状况，了解我国集成电路产业人才结构和分布，联合新思科技、安博教育、摩尔精英共同编撰，对我国集成电路产业人才状况进行了全方位的摸底和分析。卢山表示，随着集成电路产业的快速发展，人才的短板成为无法回避的问题。希望白皮书的发布能够促使更多人关注集成电路人才的培养，更多优秀人才加入到集成电路产业发展中来，更期望我国集成电路产业能够培育更多的大家、名匠。   工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰表示，人才是集成电路产业的第一资源，也是制约集成电路产业发展的关键瓶颈。CSIP联合相关机构共同编撰的这部《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》具有很强的现实意义，是CSIP在集成电路人才工作方面的重要成果，填补了产业界的一项空白。   安博教育集团董事长黄劲表示，安博教育集团通过创新集成电路人才培养模式，来推动各重要要素的完善和发展。黄劲董事长本人以及安博教育集团核心团队多位成员都是硅谷顶尖的集成电路设计专家。安博教育集团又在软件及互联网人才培养领域深耕十余年，与国内数百所高校合作，培养数十万人才。黄劲表示，此次白皮书的编制与发布只是一个开始，编委会将继续携手合作，对中国集成电路人才进行跟踪研究，每年发布一版白皮书，推动产业的发展。   新思科技中国区董事总经理葛群认为，人才是加速创新的核心驱动力。新思科技自成立至今一直致力于集成电路人才的培养，坚持集成电路人才的培养需要高校和产业相结合，通过培育实践创新相融合的战略，将全球工业界最新技术融入教学及实训体系建设,帮助中国集成电路产业培养复合型创新人才，为中国集成电路产业的跨越式发展提供强有力的支撑。   工业和信息化部软件与集成电路促进中心副处长徐珂对白皮书进行了解读：《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》编委会对我国集成电路全产业链的600余家企业以及开设有微电子等相关专业的100余所高校开展了调研，对我国集成电路人才数量、结构、地理位置分布、薪酬状况、学历分布、高等院校人才培养状况等业界普遍的关心问题进行了多维度分析。 按照白皮书的总结，我国集成电路产业人才现状有四大关键词：一是我国集成电路产业人才呈“一轴一带”分布：东起上海、西至成都、重庆的“沿江分布轴”和北起大连，南至珠江三角洲的“沿海分布带”。二是我国集成电路人才“缺”：产业人才的供给与产业发展的增速不匹配，依托高校培养IC人才不能满足产业发展的要求。三是重点关注集成电路人才“供给侧改革”: 面对新时期产业发展对人才提出的新要求，关注人才供给侧，改革创新人才培养方式，注重高端集成电路产业人才培养工作。四是“产学研”融合培养：产学研深度融合，共同来发现人才、培养人才、储备人才。   对于我国高校集成电路人才培养状况，白皮书指出，一是我国高校地域分布不均衡;二是高端人才数量缺口巨大;三是创新人才培养机制，需要“产学研”协同育人。   《中国集成电路产业人才白皮书》将按照年度发布，并无偿向社会公开。

    半导体 人才 集成电路产业

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