近日,一件传言很久的大新闻终于尘埃落定:一家主导了世界上几乎所有芯片架构的公司要落户中国了。这家公司就是ARM,它将和厚安创新基金合资成立公司,然后提供芯片设计所需的知识产权、技术支持和培训。 ARM可以说是承包了地球上几乎所有的芯片架构,不管是你的手机还是kindle、系统是iOS还是Android。这样一家公司如今进入了中国这个芯片消费大国,中国的芯片厂商很开心,而芯片霸主高通可能此时正哭晕在厕所。 目前,绝大部分手机处理器架构都基于ARM架构,不论是高通、三星、华为,但ARM不亲手去做芯片,而是通过对外开放授权的方式,出售说明书,厂商自己设计生产。你可以把ARM的架构理解为一份秘制基础菜谱,它销往世界各地,不同的芯片厂商是不同的厨师,根据自己的需求,用这份基础菜谱做成不同的菜系。 ARM授权的方式主要有两种,一种是套餐,授权打包解决方案,把ARM架构和IP内核都拿出来,厂商可以直接用。这种方案也叫公版架构。 另一种是单点,只授权ARM架构,内核由厂商自己设计,也叫自主架构。 ARM公司拥有版权的只是他们每年更新出来的公版架构。公版架构性价比较高,不需要耗费研发时间和人力,买下最时尚的芯片架构,用最经济的方式跟随潮流,联发科、三星、海思的芯片使用的都是ARM公版架构。 不少芯片厂商都选择先买一年的套餐,随后等到自己的相关技术成熟之后,再根据以前买的版本发展私有版本。三星此前一直采用ARM公版Cortex内核,但从2015年开始也在Exynos上采用了自主研发的Mongoose内核。 而像高通这样的公司,虽然也会在心有余力不足的情况下选择ARM公版,但是大多数情况会选择自主架构。买下ARM架构,然后根据自己的需求设计内核,有更高的自由度。这样的方式更加烧钱,也有可能在性能上超越公版。 但高通的野心不止于此。 高通除了在芯片设计上还是使用ARM,在基带芯片和通信技术上基本垄断了所有专利,几乎没有任何一项技术能绕过高通这个专利收费站。高通之所以成为世界上最赚钱的公司之一,是因为可以双渠道赚钱:一个是芯片销售费,另一个就是专利授权费。 高通差不多算是芯片界“人缘”最差的公司了。手机厂商当中,除了苹果、三星、华为和小米,大多数的厂商都还不够实力研发自己的CPU处理器,而会选择高通性能更好的CPU。高通也因此建立了“专利收费站”的坏名声,常被指责欺负人,然后吃反垄断罚单。 2015年2月,高通向中国反垄断部门支付了9.75亿美元罚款,12月遭到欧盟反垄断控诉,2016年12月,韩国反垄断部门对高通开出了8.54亿美元的罚单。 就在5月13日,高通还收到了来自英特尔和三星的诉状书,称高通滥用专利,在向手机厂商授权技术专利时采用了不正当竞争方式。三星的Exynos芯片因为高通不愿意授权,所以无法出售给其他非三星的电子设备。 虽然ARM的食谱可以卖给世界各地的厨师研发自己的菜谱,比如高通、三星。但是高通除了是一名会做菜的厨师,同时还种菜,其他厨师就算有了菜谱,也要从高通那买食材。 而高通如今连菜谱都不想用ARM的了,想要研究自己的菜谱。在骁龙820/821处理器上完全使用自己的Kryo架构处理器,最近推出的骁龙835处理器也采用半定制化Kryo八核。想要摆脱ARM的控制自己单干的意图很明显。 而在国产手机厂商当中,除了华为和小米研发自己的处理器,大部分手机厂商都只能依赖高通做研发生产。数据显示,2016年中国集成电路进口额高达2271亿美元,连续4年进口额超过2000亿美元,这个额度甚至超过了石油行业,成为第一大进口商品。中国每年消费的芯片价值超过1千亿美元,占全球出货总量的近1/3,但芯片产值却仅占全球的6%-7%。 尤其垄断霸主高通的自研的势头还越来越强。在去年7月日本软银收购ARM后,还有很多人担心还中国和ARM之间多出一层微妙的关系,离自己制造芯片越来越远。中国拥有庞大的消费市场,却不具备自主“造芯”的实力,中国政府和制造业一度痛心疾首。 面对越来越膨胀的高通,ARM抢先一步进入中国,不仅确立了自己“独家菜谱”的江湖地位,还打消了中国人对ARM被收购后的顾虑。 要为ARM这次入华加一句对高通说的台词的话,可以是:你可以做自己的菜谱,但是大部分厨师都还是要买我的。
全球知名的高品质机电开关品牌之一 C&K 今天宣布推出使用寿命更长并具有即时检测功能的全新系列检测开关。全新 ATS 开关针对智能电表、报警系统和 POS 终端等新一代通信设备开发,可为需要可靠检测设备被拆开或被攻击的应用提供经济型解决方案。 C&K 全新 ATS 系列结构小巧,具体尺寸为 6 x 3.8 mm。该系列高度为 3.2mm,采用软启动器,机械行程达 1.1mm。这包括0.4mm 超程,用于使设计人员轻松实现集成。 C&K 全新 ATS 开关的防护等级为 IP54、防腐蚀,是适用于恶劣环境和防篡改应用的理想解决方案。 该系列开关以 2000 件一捆的方式交付,交货周期为标准交货周期。
德州仪器(TI)正将前所未有的高精度和智能化引入包括汽车、工厂和楼宇自动化、以及医疗市场在内的广泛应用中。TI的全新毫米波单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)产品组合包括5个解决方案,横跨具有完整端到端开发平台的76至81GHz传感器的两大产品系列。AWR1x和IWR1x传感器产品组合提供比目前市场上毫米波解决方案高3倍的感测精度,样片现已供货。精密模拟设计技术与数字信号处理的完美结合能够让设计人员在其系统中实现智能化和非接触式感测。 毫米波传感器产品组合的主要特性和优势 · 高度集成:借助全集成式CMOS单芯片(集成同类产品中最佳的数字信号处理器(DSP)和微控制器(MCU)或只有一个MCU或DSP),设计人员可以根据需要选择最佳的处理能力。每个芯片都能够提供智能、高精度的独立感测,具有小于4厘米的距离分辨率,距离精度低至小于50微米,范围达到300米。 · 全面的产品系列:由5款器件组成的产品组合让设计人员能够选择合适的解决方案来满足其设计需求,同时,功耗和电路板面积减少50%。 · 高度智能化:TI的毫米波76至81GHz单芯片传感器产品组合可以动态地适应不断变化的情况与条件,支持多种功能模式,以避免误报,并为多种应用提供大范围的感测。 · 环境灵活性:IWR1x和AWR1x 毫米波传感器可以透过塑料、干燥墙壁、衣服、玻璃和很多其它材料,并且能够穿过光照、降雨、扬尘、下雾或霜冻等环境条件进行感测。 · 立即开始工作:TI全新的毫米波软件开发套件(SDK)包括示例算法和软件库,它们通过不到20个的简单应用编程接口(API)简化RF设计。通过利用TI的mmWave SDK平台,工程师可以在不到30分钟内开始他们的应用设计工作。 专为汽车雷达设计的具有突破性的精度 通常,开发人员在车辆中创建美国汽车工程师学会(SAE)国际2级及以上功能时会遇到阻碍,主要来自传感器尺寸和为特定组件供电。通过内置的质量标准、在小外形尺寸和低功率封装中所达到的前所未有的精确度,TI的AWR1x 毫米波产品组合让开发人员能够满足这些要求,同时实现低成本。设计人员不但可以提高高级驾驶员辅助系统(ADAS)和自主驾驶的安全特性—包括可实现汽车安全完整性等级(ASIL-B)的ISO 26262—而且提供了自动泊车辅助、行人探测,以及承载率和驾驶员监控等全新特性。 将稳健耐用的毫米波感测引入到工业应用中 为了应对工厂、楼宇自动化系统和智能基础设施中对于更高效率的需求,开发人员现在能够充分利用TI的智能化且稳健耐用的毫米波传感器产品组合。此外,在一些需求不断增长的应用领域,如医疗设备、箱内液位感测、机器人视觉和无人机等,这项感测技术可用于改造现有的一些功能。TI的IWR1x 毫米波非接触式传感器不受环境中的光照、降雨、灰尘、下雾或霜冻的影响,这使它们在室内或室外都能稳健运行。通过确定设备周围物体的所处范围、速率和角度,这些传感器能立即适应动态变化的场景。
说到“内容为王”,也许大家第一时间联想到的新媒体或者是电视台、新闻门户网站等媒体渠道的内容运营,但其实越来越多电商网站的运营也逃离不了“内容为王”的原则。近两年,内容电商在蓬勃发展,阿里划分了微淘发现、淘宝头条、必买清单等多个频道,京东上了一个发现频道,苏宁也有了青春社区频道……可以说在内容大潮之下,巨头都在布局。 如果说,各大巨头们做内容,一方面是对未来的投资,一方面是怕被时代淘汰的无奈之举。那么今天笔者要分析的元件分销行业的垂直电商——世强元件电商,则更像是要通过内容,带动整个产业链的发展。 世强元件电商在2016年1月上线,短短一年多的时间里,已经成功累积了数万份的新元件、新技术、新方案的资讯,超十万份的机密元件资料,逐渐成为智能硬件工程师研发设计过程中,必不可少的“工具书”。不仅如此,世强元件电商还上线了技术支持模块,并为此组建了一个由近百位资深专家组成的FAE技术团队,帮助工程师们解决单单看“工具书”不能解决的研发设计难题,创造性的解决了广大中小企业硬件工程师因原厂资源分配的问题获取创新服务难的问题。 不难看出,世强元件电商这个平台就是想通过“内容为王”来帮助和吸引更多硬件工程师——用对硬件工程师有用的内容将其吸引,再通过创新服务帮助他们解决研发设计中面临的实际难题。不仅解决了工程师的难题,也通过内容的持续更新解决了现今大部分以销售为核心的元件电商用户粘性低的问题。 世强元件电商通过以创新服务为核心的元件电商模式,将线下的创新服务移到了线上,打破了以销售为核心的元件电商模式中小企业获取创新服务难的局面。以扫地机器人为例,在世强元件电商首页输入“扫地机器人”,进行搜索,弹出页面的相关内容包含了扫地机器人优选器件方案、最近资讯、技术资料、技术问答、元件供应等多个方面的内容,其中优选器件方案所推的元件产品都是经过客户端验证过、已成功DI或实际案例支撑的,整个方案具有型号具体化、应用实例化的优势,可以说为硬件工程师提供了最有价值的信息。 值得一提的是,目前世强元件电商线上可供下载的资料,包括数据手册、测试报告、应用手册、优选方案、白皮书、应用方案开发工具等内容,覆盖了工业电子、汽车电子、通信设备、消费电子、测试测量等领域。基于此,世强元件电商通过为硬件工程师提供大量的内容服务和技术服务,创造性的将内容切到元件供应模块,完成交易,最终再通过资料资讯的持续更新增强工程师对平台的粘性,循环往复,实现平台的良性发展。 通过上图,我们可以清晰的看出,世强元件电商的商业理念。而这种理念,不仅提升了用户的使用体验、增强了平台的粘性,还把传统的以技术服务为导向的分销模式移至到了线上,填补了销售型元件电商缺少创新服务的遗憾。据笔者了解,目前世强元件电商作为首家以内容为切入点的元件分销电商平台已经小有成就,短短一年就覆盖了百万工程师,服务2、3万家创新企业。在未来,这种模式能否形成更大量级的发展,带动整个元件电商领域销售额的爆发,我们拭目以待。
派更半导体公司首席执行官Jim Cable近日宣布,派更半导体将对其高管团队进行重大调整,公司将任命Stefan Wolff担任新的派更半导体首席执行官。而Cable将转任派更半导体公司主席兼首席技术官,并担任派更半导体母公司村田制作所(Murata)的全球研发总监。这一系列大胆举措的目的均旨在增强派更的半导体业务能力。 Jim Cable表示:“我们都非常熟悉Stefan,我们与他及他的团队已开展了多年合作,我很高兴他能够与我们一道加快我们及母公司村田制作所的发展。同时,我也非常期待回归自己的技术专业,专注于推动村田制作所的创新发展。我们的未来发展将越来越好,我非常高兴看到这样的改变。” Stefan Wolff拥有近15年的半导体与通信技术领域综合管理经验。在加入派更半导体之前,他在德国慕尼黑担任英特尔公司移动通信业务副总裁兼总经理。在英特尔任职期间,Wolff领导一支全球团队开发和生产蜂窝调制解调器及移动连接产品,成功开展了多项备受关注的研发合作,并与领先经销商签订了多项重要订单。在就职英特尔之前,Wolff在英飞凌公司负责管理智能手机与射频业务部门,并曾在西门子移动美国公司负责领导射频开发中心。他的职业生涯起步于汽车电子行业,担任博世公司射频设计工程师。除具备杰出的领导才能之外,Wolff还拥有深厚的技术背景,包括获得柏林工程应用科学大学的电子工程学士学位。所有这些教育背景及职业成就都将使Wolff完全胜任派更半导体公司首席执行官这一新角色,并在高管层面引领公司的技术成长。 Wolff表示:“多年来,我一直十分赞赏村田制作所及派更半导体团队,两支团队间存在着很好的协同效应。同样,我还看到了任何其它公司所无法实现的创新。我已迫不及待地想要看到我们将会为行业带来哪些重大技术变革。” 除上述重大调整以外,Cable还任命Dylan Kelly担任公司新的首席运营官。Kelly自2010年起就开始担任派更半导体移动无线解决方案业务部副总裁兼总经理。Kelly于2000年加入派更半导体,曾在产品开发、营销及销售部门担任过多个技术与管理职务。在加入派更半导体之前,Kelly还曾在摩托罗拉公司从事收发器设计工作。他拥有德克萨斯大学奥斯汀分校电子工程学士学位及加州大学圣地亚哥分校电子工程硕士学位。他撰写了多篇技术论文,并拥有37项专利和正在审批的专利。 Cable说:“多年来,Dylan为我们移动业务的增长做出了巨大贡献,在公司内外赢得了广泛的尊敬。我相信他有能力在派更半导体公司担任肩负更大职责的领导角色。” Kelly表示:“凭借我们的创新文化,我的职业生涯都奉献给了派更半导体公司。自公司成为村田制作所旗下一员以来,我们获得了惊人的成长。因此,此次高管人员调整表明,我们的团队将有能力去创造更多的创新。我很自豪能够成为这个充满活力的领导团队的一员。” 村田制作所通信与传感器业务/能源业务部执行副总裁Norio Nakajima称:“我们将半导体视作技术组合的重要组成部分。半导体一直以来都是我们解决方案的一部分,但未来我们将投入更多资源,推动半导体产品达到新的水平。为实现这一目标,我们将组建一个新的半导体部门。” Nakajima还表示:“我们期待派更半导体公司团队帮助我们开发出尖端的射频半导体及独一无二的全新产品。由Jim、Stefan和Dylan组成的领导团队是实现这一愿景的理想选择。我与Stefan认识和合作已有20年了,我非常尊敬他,欢迎他加入派更半导体团队。多年来,Dylan成功管理和领导派更半导体的移动业务取得了巨大成功,而Jim是一个有理想的技术专家,我们需要他推动派更半导体获得更多的半导体业务创新,助力实现村田制作所的远大目标。”
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求,宽频范围可达9kHz~8GHz,并配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。派更半导体推出的全新高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、一流线性度,及快速开关时间与安定时间等特征,拥有业内领先的高掷数配置性能规格与灵活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是滤波器组切换及信号发射/接收(T/R)路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“派更半导体推出的全新SP6T、SP8T和SP12T开关实现了无可比拟的高掷数配置灵活性与高性能。基于较宽的频段范围及外接VSS脚,我们的团队对PE42562、PE42582和PE42512进行了优化,使其能够满足测试与测量市场的独特需求。测试与测量工程师们可借助这些高掷数开关,使自己的设计兼具高性能、可靠性与灵活性。” 这些高掷数开关产品具有一种先进的功能,即镜像端口选择功能,可通过单一控制总线实现射频路径同步选择。在双开关配置中,可使用两只高掷数开关,而无需使用多只单刀双掷(SPDT)开关。只需将一只开关的逻辑选择(LS)脚接地,第二只开关的LS脚“留空”,即可激活镜像端口选择功能。这一简化布局(一个逻辑控制信号同时发送至两只开关)可大大节省电路板空间和布局时间。了解镜像端口选择功能的更多信息,请登陆派更半导体公司网站下载“应用说明68:双开关配置中的同步路径选择”(Application Note 68: Simultaneous Path Selection in a Dual-switch Configuration)。 产品特性、封装、价格及供货 UltraCMOS PE42562(SP6T)、PE42582(SP8T)及PE42512(SP12T)开关适用于测试与测量应用程序,可覆盖9 kHz至8 GHz的频段范围。这些吸收性开关配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。这些高度灵活的开关在整个频段范围内都具有极高的端口间隔离度及较低的插入损耗。每只高掷数开关的高线性度可达60 dBm IIP3,连续波(CW)功率处理能力高达33 dBm,快速开关时间仅为200纳秒以内,并可实现快速的安定时间。 PE42562和PE42582均采用24引脚4x4 mm QFN封装,PE42512则采用32引脚5x5 mm QFN封装。样片与评估工具现已上市,量产零件将于3月底上市。订购1万片的价格为每只PE42562(SP6T)开关4.99美元,每只PE42582(SP8T)开关5.87美元,每只PE42512(SP12T)开关10.28美元。
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS® PE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员,PE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得极大成功的基础之上,并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一种取代砷化镓(GaAs)分立PIN结二极管功率限幅器的单片式方案,可保护设备不会受到过高RF功率、故意干扰及ESD事件的损害。PE45361能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“派更半导体的单片功率限幅器为我们的客户提供了一种增强射频功率保护的新奇而强大的方案。我们推出的PE45361基于我们UltraCMOS限幅器的关键射频性能及物料清单(BOM)成本优势,并可提供100瓦功率处理能力,实现较低的限幅阈值,从而保护敏感的低噪声放大器(LNA)。” 与PIN结二极管功率限幅器相比,UltraCMOS功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍,线性度(IIP3 )改善了10~40 dB,静电放电(ESD)保护能力提高了20倍。此外,UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于PIN结二极管功率限幅器。最后,UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚(VCTRL)调节限幅阈值,无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。 与其它UltraCMOS功率限幅器一样,PE45361也设有两种工作模式:功率限幅和功率反射,从而最大程度地提高性能与灵活性。用户可通过可编程管脚VCTRL选择模式。在功率限幅模式下,限幅器对负载不起作用。当输入射频信号功率超过VCTRL设定的限幅阈值时,限幅器将限制输入的射频功率。在极端环境中使用功率反射模式时,限幅器将把大部分入射功率反射回功率源。 产品特性、封装、价格与供货 PE45361功率限幅器覆盖10 MHz~6 GHz频段,可为高性能功率限幅应用提供卓越的功率保护功能。该限幅器可处理高达50 dBm或100瓦的大脉冲功率,可调限幅阈值为7 dBm~13 dBm,正向阈值控制为0伏至0.3伏。在6 GHz时,PE45361的低插入损耗为0.95 dB,高回波损耗为12 dB。PE45361的快速响应时间仅为0.6纳秒,迅捷恢复时间为1纳秒,线性度(IIP3)达37 dBm。PE45361静电放电功能极强,可达7 kV HBM。 量产零件与评估工具现已上市。PE45361采用紧凑型12引脚3x3 mm QFN封装,订购1万片的价格为每片4.30美元。
RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。 这两种60 GHz开关在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能,最高开关速度仅8纳秒。PE42525是5G系统中测试与测量(T&M)设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择。PE426525扩展了适用温度区间,成为工业市场中严苛环境应用的首选。 派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“去年10月初,我们在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会(European Microwave Week)上宣布将推出60 GHz开关样品和评估工具,获得了巨大的市场反响。这些高频开关在多个市场被广泛应用,包括5G、测试与测量和防务市场等。这些开关不仅打破了高频开关产品的范例,同时也改变了SOI快速开关的固有模式。” PE42525和PE426525是派更公司高频产品组合的成员,该产品组合包括多款开关产品、一种镜像抑制混频器,及多款单片相位与幅度控制器(MPAC)。派更公司的专属UltraCMOS技术平台可确保这些产品达到较高的频率,且不会对产品性能或可靠性造成影响。 产品特性、封装、价格与供货 PE42525与PE426525均为单刀双掷(SPDT)射频开关,可支持9 kHz~60 GHz的宽广频率区间。这两款反射式开关可实现惊人的8纳秒高速开关速度,以及3纳秒的RF TRISE/TFALL时间。这两款开关仅需390纳安的低电流。除所有关键射频规格均达到卓越性能外,它们还具备端口间高隔离度、低插入损耗、大功率处理能力、高线性度及杰出1 kV HBM ESD保护等性能。在50 GHz时,PE42525与PE426525的端口间隔离度为37 dB,插入损耗为1.9 dB。PE426525的扩展温度范围达到-55~+125摄氏度。 PE42525和PE426525采用500微米凸块间距的倒装片芯,这种外形最适应于高频工作,可消除因焊线结合长度而产生的性能差异。 量产零件与评估工具已上市销售。订购1千片时的价格为PE42525每片40美元,PE426525每片48美元。
据外媒报道,斯坦福大学的研究组研发出一款易弯曲的有机半导体集成电路设备,加入弱酸(如醋酸)后可实现降解。 该研究结果发表在5月1日的《美国国家科学院院刊》(Proceedings of the National Academy of Sciences)杂志上,该研究论文由斯坦福大学及惠普公司、加州大学圣塔芭芭拉分校(University of California Santa Barbara)的研究人员共同完成。 据联合国环境总署(United Nations Environment Program report)称,该研究旨在减少电子垃圾的产生。电子产品(尤其是两年一次升级的智能手机)的大量出现意味着电子垃圾的产生速度也在不断上升,预计到2017年将达到5000万吨,较2015年增长了两成多。 该团队还研发了一款可生物降解的纤维质基材,可安装到电子元件上。鉴于该类设备的电气接触点均采用黄金,研发人员采用了铁质元件,该环保产品对人体无毒害作用。 该技术采用了800纳米厚的基材制作伪互补聚合物晶体管(pseudo-complementary polymer transistor)及逻辑电路,在4V电压下可实现完全崩解(disintegrable)。
近日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在京发布了《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》。这是我国首部集成电路产业人才专题的白皮书,对我国集成电路产业人才的供需状况进行了全面的分析和总结。CSIP同期举办了主题为“如何营造适合中国集成电路产业发展的人才培育环境”的论坛。中国教育学会会长、原北京师范大学校长钟秉林,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武,中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)主任卢山,工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰等出席并致辞。来自展讯通信、中芯国际、清华大学、中科院等业界代表共计100余人出席了活动。 中国教育学会会长钟秉林在致辞中表示,《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》的发布可以推动我国高等院校更加明晰人才培养目标和规格,深化人才培养模式的改革。高校应加强与企业合作、产教融合,为产业发展真正提供高素质人力资源支持。白皮书的发布也为其它学科探索适应产业发展需求的人才培养方式树立了典范。 国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示,《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以来,我国集成电路产业得到了快速发展。与此同时,人才匮乏的问题凸显出来。白皮书的发布让业界首次系统认识到集成电路人才需求的层次、数量、区域分布及其来源。 中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心主任卢山介绍,《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》是为进一步贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》文件要求,准确把握我国集成电路产业人才状况,了解我国集成电路产业人才结构和分布,联合新思科技、安博教育、摩尔精英共同编撰,对我国集成电路产业人才状况进行了全方位的摸底和分析。卢山表示,随着集成电路产业的快速发展,人才的短板成为回避不了的问题。希望白皮书的发布能够促使更多人关注集成电路人才的培养,更多优秀人才加入到集成电路产业发展中来,更期望我国集成电路产业能够产生更多的大家、名匠。 工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰表示,人才是集成电路产业的第一资源,也是制约集成电路产业发展的关键瓶颈。CSIP联合相关机构共同编撰的这部《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》具有很强的现实意义,是CSIP在集成电路人才工作方面的重要成果,填补了产业界的一项空白。 工业和信息化部软件与集成电路促进中心副处长徐珂对白皮书进行了解读:《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》编委会对我国集成电路全产业链的600余家企业以及开设有微电子等相关专业的100余所高校开展了调研,对我国集成电路人才数量、结构、地理位置分布、薪酬状况、学历分布、高等院校人才培养状况等业界普遍的关心问题进行了多维度分析。 按照白皮书的总结,我国集成电路产业人才现状有四大关键词:一是我国集成电路产业人才呈“一轴一带”分布:东起上海、西至成都、重庆的“沿江分布轴”和北起大连,南至珠江三角洲的“沿海分布带”。二是我国集成电路人才“缺”:产业人才的供给与产业发展的增速不匹配,依托高校培养IC人才不能满足产业发展的要求。三是重点关注集成电路人才“供给侧改革”: 面对新时期产业发展对人才提出的新要求,关注人才供给侧,改革创新人才培养方式,注重高端集成电路产业人才培养工作。四是“产学研”融合培养:产学研深度融合,共同来发现人才、培养人才、储备人才。 对于我国高校集成电路人才培养状况,白皮书指出,一是我国高校地域分布不均衡;二是高端人才数量缺口巨大;三是创新人才培养机制,需要“产学研”协同育人。 《中国集成电路产业人才白皮书》将按照年度发布,并无偿向社会公开。
自主研究手机芯片似乎开始成为各大手机厂商的目标,前有小米手机提出要自研自己的手机芯片。有消息称,OPPO、vivo均已涉足芯片领域,步步高大老板段永平,以及OPPO CEO 陈明永先后入股了一家芯片处理器公司雄立科技。雄立科技的业务包括设计并销售数据网络和物联网领域内的高性能、低功耗的超大规模集成电路芯片、IP以及嵌入式系统平台。 尽管从目前的业务和产品来看,雄立科技尚未具体涉足手机SOC,但在市场趋势下,未必没有这个可能。 为什么要自主芯片? 芯片和屏幕,是智能手机的两大核心要素。其中,芯片承担着运算和存储的功能,一定程度上决定了手机的最终性能。在钉科技看来,对于国产手机品牌而言,涉足自主芯片领域的可能原因有四点:一是摆脱对外依赖;二是获得新的营销要素;三是向高端市场延伸;四是对外输出产品或技术,获得新的盈利模式。 我国芯片发展起步晚,但需求量大,手机芯片长期依赖进口。有数据显示,全球近七成手机由中国制造,但却只有不到5%的手机配有“中国芯”。而国产手机品牌与高通的数度“交锋”,更是显示出对外依赖导致的话语权不足。在钉科技看来,自主芯片的研发可以让手机厂商摆脱对外依赖,摆脱技术垄断的控制,在量产时间、价格、供应等方面取得更多自主权。 自主芯片对于手机的营销也是有利的,在如今智能手机的创新瓶颈下,“自主”几乎成为了媒体的宠儿、营销的新利器,而国产厂商在芯片、操作系统等领域的任何“突破”或卡位都常常会引发追捧与高预期关注。比如,小米的自研芯片虽然相较之下采用的制程工艺并不先进,在性能上也有待考量,却依然迎来了一片叫好。 除小米外,三星和华为的自主芯片,基本上都主要应用在自家的旗舰产品上。钉科技认为,自主芯片表征的是企业的技术实力,因此,也就成为了品牌向高端市场进军的推动力之一,比较明显的是华为,近几年将自家的麒麟芯应用在主打高端的P系列和Mate系列上,同时将其作为重要卖点之一。 一旦技术走向成熟,手机厂商不仅能在供应链方面占据主动,也可以向产业链上游进行业务拓展,从而输出技术或者产品,从而获得新的盈利模式。比如三星,就输出了它的芯片制造能力,至于产品,对于国内手机品牌而言,有时甚至“一芯难求”。 自主芯片前景如何? 目前苹果、三星、华为、小米等都有所谓的“自研”芯片,技术方面,前三者比较成熟,但真正能做到摆脱依赖、对外盈利的,目前可能仅有三星。 钉科技注意到,今年初,小米发布了自主研发手机处理器,成为中国第二家拥有自主芯片的手机厂商。但小米的自研芯片,目前看来,或许仍是概念大于实际。 其采用了28nm工艺制程的第一代面市芯片,尽管实现了自身的突破,但几乎已经是“过时”的技术。即便此前预计预计于今年第三季度量产,随第四季度的小米新机一同上市的澎湃S2,也仅采用台积电的16nm工艺制程,八核五模设计,相对于芯片厂商追求的10nm,依旧存在差距。毕竟,要做好芯片,需要攻克的技术难点很多,稍有不慎,就是致命危险。雷军自己也曾表示:“做芯片就是九死一生的事情。” 钉科技了解到,即便是华为的海思麒麟,从2004年诞生,到走向成熟被市场认可,依然用了近十年时间。即便制程工艺本身逐渐走向成熟,对于任何一个手机品牌而言,自主芯片都会是一次“长跑”。 OPPO、vivo会涉足自主芯片吗? 近两年,OPPO和vivo成长速度大家有目共睹,目前两家公司智能手机出货量已经达到全球前五、中国前三,不排除二者会在核心技术上继续迈进一步, 毕竟,之前就有消息传出OPPO、vivo等成立了OLED联盟,可能会涉足小尺寸面板领域。而vivo,更是有消息称其布局5G,在全球范围构建研发中心。 相对于屏幕方面可以寻求与京东方、华星光电等合作,芯片似乎的确需要OPPO、vivo自己动手,不仅仅是摆脱依赖的需要,也可以成为O、v两家的继续走向高端化的方式之一。 不过,就现阶段而言,O、v两家尚且需要更多的技术积累,芯片的研发也不仅仅在芯片本身,还包括其适配等方面。另外,经过了层层代理到线下促销员的利润分层,还有每年大量的明星代言跟综艺节目冠名赞助之后,企业是否还有资金用于芯片研发,也有待考量。如果依托雄立科技,这个过程似乎可以更快,但“自主芯片”的标签或许就难以打上。 根据小编的猜测,之所以O、v并未放出过自主手机芯片的消息,或许正是由于陷入了上述矛盾之中。
中芯国际新任CEO赵海军11日从副董事长邱慈云手上,接棒主持第一次对外法说会 。赵海军稳健、自信台风,为个人“处女秀”加分不少。不过,横梗在中芯当前的两大隐忧,第二季营收持续衰退,要达成年营收增长20%目标,赵海军坦言“非常挑战”;另外,市场法人对其28纳米屡屡追问,中芯预计最快延到第三季HKMG平台才会少量生产。 除了2017年第一季市场季节性调整与手机市况不佳,中芯第一季仍端出预期内不错成绩单。首季营收年增25%,毛利率27.8%,EBITDA(税息折旧及摊销前利润)创新高3.12亿美元。现金流达到1.47亿美元,营运与财务表现健康。 不过,新任CEO在法说会上被外界追问三大焦点。首先,在先进工艺制程方面,所有投资法人都带对中芯28纳米的疑问而来。 中芯国际表示,28纳米在Poly/SiON平台以实现量产,但是今年HKMG平台,将积极导入设备与试产,最快要第三季备妥产能,预期今年“会持续成长,但贡献度有限”。 赵海军指出,28纳米是生命周期长的工艺制程,许多40纳米客户转进,同时在RF SoC应用也有新客户。 中芯国际今年28纳米HKMG平台要顺利量产,成为新上任CEO第一个要通过的考验。 目前中芯28纳米仅占营收5%,反之,竞争对手台积电则占56%、联电约17%。而联电的厦门厂(联芯)更是要将28纳米直接供应在地量产;台积电南京厂更锁定下一个世代的16纳米,这让中芯承受更大的在地竞争压力。 面对对手竞争问题,赵海军展现了自信,他认为过去8吋厂中芯可以迎战,在12吋厂竞争中芯也有足够信心。 赵海军表示,2017年首季研发投入是去年的3倍,中芯将持续投入28纳米新平台与14纳米研发的推进。预计2019年14纳米投入试产。 此外,第一季受到手机市场调节影响,第二季营收预估也将续减3-6%,整体来说,如果要达成年增长率20%目标,要看下半年的成长力道。赵海军坦言,非常挑战(extremely challenge),但他认为两位数增长应不成问题。 为因应淡季效应与产能利用率下降,中芯国际也投入Nor flash、Nand Flash生产,填补晶圆厂产能利用率。 赵海军还提到,中芯国际也将抓住高成长的新领域,包括欧洲、中国汽车电子市场成长劲道强;此外,物联网领域,中芯国际的主要客户近日也累积出货达10亿颗芯片,作为主要供货商的中芯会享物联网崛起商机。
近日有消息称,三星正在计划发布一款最新的芯片Exynos 7872,最核心的改变则是,它将集成全网通基带,并很可能将在今年10月份出货。 三星Exynos7872芯片曝光 据目前已知的消息称,三星Exynos 7872基于14nm FinFET工艺制程,这相比于之前的28nm制程处理器,CPU性能提升70%,能耗效率也提升了30%。与此同时,它还拥有两颗ARM Cortex-A73核心+四颗ARM Cortex-A53核心,集成T830 MP2图像处理器,从这方面来看,这款三星Exynos 7872芯片极有可能会在三星Galaxy C系列和Galaxy A系列上面使用。 那么根据目前已知的消息,想必未来将要发布的三星Galaxy C系列和Galaxy A系列新品将会非常令人期待。
国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯”或“本公司”)于09日晚间公布截至2017年3月31日止三个月的综合经营业绩。 2017年第一季的销售额为7.931亿美元,较2016年第四季的8.148亿美元季度减少2.7%,较2016年第一季的6.343亿美元年度增加25.0%。2017年第一季毛利为2.208亿美元,相比2016年第四季为2.46亿美元及2016年第一季为1.538亿美元。2017年第一季毛利率为27.8%,相比2016年第四季为30.2%及2016年第一季为24.2%。2017年第一季中芯国际应占利润为6980万美元,相比2016年第四季为1.048亿美元及2016年第一季为6140万美元。 该公司预期2017年第二季度收入下降3%至6%,毛利率介于25%至27%的范围内。非公认准则的经营开支为扣除雇员花红计提数、政府支持的资金以及出售生活园区资产收益影响后,将介于1.78亿美元至1.84亿美元之间。非控制权益将介于正600万美元至正800万美元之间(由非控制权益承担的损失)。 首席执行官赵海军博士评论说:“我们团队给出了不错的季度成绩,收入同比上升,营业收入改善,税息折旧及摊销前利润加强。收入同比上升25.0%,环比下降2.7%。经营利润同比上升17.0%,环比上升57.9%。税息折旧及摊销前利润为3.124亿美金,创历史新高,同比上升42.8%,环比上升13.9%,税息折旧及摊销前利润率为39.4%。 2017年上半年,我们面临着客户市场地位的变化,季度性存货调整,以及中国手机市场整体疲软;然而,我们积极寻求多种客户和市场带来的新增收入,从而减少以上不利因素带来的影响。我们相信无论是从战略上还是从财务上看,我们都处于一个非常有利的地位,能度过这个周期性下调,并受惠于令人激动的未来趋势,包括汽车、工业类、物联网等。 在一季度我们28纳米收入上涨至晶圆收入的5.0%,环比上升39.0%。我们继续和我们的客户一起合作28纳米流片以应对广泛应用。55纳米晶圆收入同比上升29.1%,环比上升9.1%。我们继续上量28纳米、55纳米和8英吋上的各种产品;从器件角度上看,我们寻求如非易失闪存、射频/连接、电源管理等我们看见有真正客户需求的这些领域的收入成长。”
特朗普政府近日对于奥巴马在半导体领域采取强硬政策对待中国的呼吁表示强力支持,更把中国在该行业投资的潜在影响与全球钢铁行业出现的破坏相提并论。 美国本周的提名确认听证会上,即将在贸易政策方面扮演重要角色的新任商务部长威尔伯?罗斯(Wilbur Ross)表示了对中国不断发展壮大的半导体行业感到“非常、非常担忧”。中国对本国半导体产业的投资对美国经济构成巨大威胁,就像之前中国向钢铁和太阳能产业大举提供补贴那样。 在物联网问世和数字经济爆炸式增长之际,半导体是一种基础技术,而美国一直拥有最具创新精神和世界领先的企业。而中国人是世界上最大的半导体消费者,且主要是从美国进口。如今中国建立1500亿美元的基金来支持半导体行业,并列为战略行业,从而使得美国政府认为对美国经济构成巨大威胁。 不论在口号还是政策上,美国都在强力阻止中国半导体行业在全球扩张的脚步,先后阻止中资在海外的多次并购(紫光集团收购美国美光、飞兆半导体收购案、德国爱思强收购案),还呼吁同欧盟和其他盟友合作,加强对敏感半导体技术的全球出口管制,并由美国外国投资委员会(CFIUS)继续严格审查中国对该行业的投资。 中国半导体需求巨大,自寻发展威胁美国 芯片产业是中国产业计划的关键支柱,一直受到政府巨额补贴。但难以从国外收购技术是中国成为芯片大国的最大障碍之一。小小芯片却承载如此沉重的负荷。中国半导体行业在艰难起步后,如今又发现自己成为了中美彼此冲突的政治目标的焦点。 现在中国政府提供1500亿美元的巨额政府补贴,反映出国家对依赖海外市场的担忧——进口半导体的支出超过了进口石油的支出——也体现了另一层担忧,用一位银行家的话来说,“一旦美国关掉开关”,中国可能陷入黑暗之中。 贝恩咨询公司(Bain & Co)的数据显示,中国每年消费的半导体价值超过1000亿美元,占到全球出货总量的近三分之一,但中国半导体产值仅占全球的6%-7%。许多进口芯片被装配于个人电脑、智能手机以及其他设备,随后出口至海外,但国内芯片商生产的半导体数量与中国公众消费的半导体数量之间仍存在巨大缺口。 中国半导体破新发展,势如破竹 据咨询公司麦肯锡(McKinsey)调研,中国曾经在同一时期在逾15个省份投资了130家半导体工厂。但先前的这种努力却失败了。不过近几年,中国多家半导体企业已经开始表现出非常良好的发展势头。 在香港和纽约两地上市的中芯国际(SMIC),根据Gartner的数据显示,在2015年是全球第五大半导体制造商,主要生产用于通讯设备和消费产品的晶圆。中芯国际股价在过去12个月里的累计涨幅高达27%,远胜于基准的恒生指数。中芯国际2017年收入将会增长30%。 但就全国来说,中芯国际只是冠军企业之一。更具雄心的是紫光集团(Tsinghua Unigroup),其在2016年7月将存储芯片业务与政府运营的武汉新芯(XMC)合并。在2017年1月20日,紫光集团宣布计划投资2,600亿元人民币在江苏南京建设半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目,其中约300亿美元投向半导体基地,项目主要产品为3D-NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片等。 高德纳分析师Roger Sheng表示:“如果没有(通过收购和合资)获得技术或者取得技术许可,中国本土公司仍会缺乏生产高性能处理器和动态随机存取存储器(DRAM)/闪存芯片的能力。” 贝恩亚洲技术业务主管凯文?米汗(Kevin Meehan)补充称:“中国企业可能在整体生产能力方面取得进步,但没有获得前沿加工技术的清晰途径。” 虽然在技术方面不被众多国外企业看好,但是随着近几年中国企业技术的突破及发展,以及海外投资及技术的逐渐引入,中国半导体行业在国内的发展已经在经历质的飞跃。中国政府大胆的目标及投入,让许多跨国芯片制造商看到了形势的变化,也开始在中国设立制造工厂并展开合作。而美政府对于中国半导体行业的抵制只是在重复高通在全球的垄断轨迹,终将被有研发和生产能力的企业突破。