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Global Foundries：主流制程下半年产能利用率下降10~15%
连于慧／台北 晶圆代工产业受到全球经济层面的景气影响颇深，台积电下调2011年资本支出、联电第4季恐面临盈转亏挑战，Global Foundries则是保守指出，虽然高阶制程产能满载，但预计65奈米以上的主流制程的产能利用率
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面板登陆 制程须领先
行政院最快本周内可望核定负面表列清单，据了解，检讨清单只有一项面板松绑，除可与国内同为N世代外，也同意登陆参股或并购不限比例上限。即使取消N-1规定，也要求业者登陆需经专案审查，制程技术确定领先大陆才可放
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铜进金退 长电科技加快技术改造
[世华财讯]近年来，随着封装技术的不断进步，封装所需要的材料也在逐步改进，封装行业正在经历铜取代金的转变。由于黄金价格最近几年的持续飙升，加快了封装行业铜制程的推进，很多芯片厂商开始纷纷改用铜线键合，这
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日月光7月营收回温达109.2亿元 月增3.6%
IC封测大厂日月光(2311-TW)今(8)日公布 7 月营收，合并营收为154.16亿元，较 6 月增加4.8%，仅看封测事业营收为109.27亿元，较 6 月也增加3.6%。 日月光 7 月封测事业营收微幅增温，达109.27亿元，较 6 月105.45亿
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台积电28nm制程产能爬坡计划推后执行
由于近期半导体芯片市场需求疲软，加上今年第三季度准备推行芯片库存调整计划，半导体芯片代工大厂台积电公司调低了其全年的资本投资计划金额，下调的幅 度为5%。原定的资本投资计划金额为78亿美元左右，计划调整之后
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台积电:28nm制程产能爬坡计划推后执行
由于近期半导体芯片市场需求疲软，加上今年第三季度准备推行芯片库存调整计划，半导体芯片代工大厂台积电公司调低了其全年的资本投资计划金额，下调的幅度为5%。原定的资本投资计划金额为78亿美元左右，计划调整之后
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台湾公司成立LED曝光制程设备研发联盟
近日，曝光机设计的专家科毅公司、系统控制的国外大厂美商国家仪器台湾分公司(NI公司)、影像处理技术专家美商康耐视(Cognex公司)、半导体与led制程技术的行家崇文公司、专注于特殊平台设计开发的全研公司、高精度机构
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洋华电容式触控失先机，毛利率恐逐步走低
电阻式触控面板大厂洋华光电（3622）切入投射式电容触控技术时点较晚，加上在中尺寸电容触控模组（贴合）制程良率迟迟未能有效提升，2010年下半年营运略显疲态。市场预期，洋华的中尺寸电容触控面板良率应可于2011年
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ST与CMP为产学界导入28奈米CMOS制程技术
意法半导体（ST）与CMP（Circuits Multi Projets）于日前携手宣布，大专院校、研究实验室及企业将可透过CMP提供的矽晶中介服务，使用意法半导体的28奈米（nm）CMOS制程开发晶片设计。双方在上一代CMOS合作专案的成功
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日月光：成长高同业10百分点
张达智/整理 半导体封测厂日月光(2311)营运长吴田玉看好下半年业绩可望持续逐季成长；在市占率持续扩张下，日月光今年营收成长率将比同业高出10个百分点以上。 中央社28日电，吴田玉表示，日月光第2季合并营
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台积电VCA伙伴
赵凯期 台积电早期在建立开放设计平台时，主要是采取Design Center Alliance(DCA)联盟的加盟方式，不过在进入12吋厂更先进的45及65奈米制程技术后，台积电又重新筹建一个Value Chain Aggregator(VCA)联盟，希望强化公
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台积电将加入日本主导的国际半导体工艺研发联盟
日本 Renesas Electronics(瑞萨电子) 和台积电，将加入一个由日本主导、从事新世代芯片制程技术开发的国际联盟。该联盟预计这个月开始研发 EUV (超紫外光) 微影技术，目标在 2015 年底前结束。企业成员将运用这项技术
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台积电将加入国际半导体工艺研发联盟
《日本经济新闻》日前报导，日本 Renesas Electronics(瑞萨电子) 和台积电，将加入一个由日本主导、从事新世代芯片制程技术开发的国际联盟。该联盟预计这个月开始研发 EUV (超紫外光) 微影技术，目标在 2015 年底前结
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英特尔拟将以色列厂升至15奈米制程 已申请补助
Thomson Reuters报导，以色列工贸部(Ministry of Industry and Trade)12日指出，英特尔(Intel Corporation)计划将Kiryat Gat厂“Fab 28”升级至15奈米制程技术，估计投资总额将达48亿美元，而该公司目前正在向以色列
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张忠谋：今年代工产值增15%台积市占会续升
台积电(2330)今(9)日召开股东会，董事长张忠谋指出，2010年是台积电营收/获利再创高峰的一年，成长动能来自于产能扩充、客户对先进制程的广泛应用和特殊制程的强劲成长。 技术开发方面，台积电将会继续投入资源发展特
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3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请
据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收
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3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请
新闻来源:Digitimes 据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获
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韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请
据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用
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韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请
据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收
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NAND闪存高级制程技术需上量方有意义
尽管NAND闪存厂商都在积极向亚30nm制程转移，但按闪存业者的看法，只有将这些高级制程投入量产使用才较有实际意义。NAND闪存产品向更高级制程节点转移时，所需的产品验证时间越来越长，便是这一看法的明证之一。
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