【导读】华邦电80纳米制程下季投产,沟槽式阵营暂缓颜面 台湾DRAM业者华邦电总经理徐英士近日于法说会时表示,华邦电于2006年完成初步扩产计画,12寸厂月产能已达2.4万片,2007年华邦电并无大规模扩产计画,
【导读】70奈米技术 DRAM厂生存关键 为强化竞争力,全球DRAM厂持续积极朝先进制程技术发展。有鉴于DDR2世代来临,今年DRAM厂商竞争淘汰赛,将以90纳米技术为基础关卡,70纳米为领先关键;今年,包括力晶、茂德
【导读】CPU与芯片组未来将合而为一? 制程技术的进步可能意味着CPU和芯片组未来可能会整合在一起,但并不代表这会成为广泛的趋势。 近年来在PC领域,对于历史悠久的PC芯片组将存在或消失的争论开始升温,
【导读】台积电今年65奈米制程业绩上看600亿 独霸全球 台积电 (2330) 65奈米制程技术发展持续逐季高成长,今年第二季65奈米制程业绩已达新台币158.65亿元,已是竞争对手联电 (2303) 的12.57倍,拉大与竞争对
【导读】台积电2011年资本支出将达78亿美元,年增31.4%,主要以提高研发竞争力为主,公司也在年关过后宣布,启动18寸晶圆厂投资计划,预计于2013年导入试产线,2015年以20纳米开始量产。 关键词:台积电,晶圆,
【导读】2012年3月22日,中国上海——GLOBALFOUNDRIES今日宣布,其在德国德累斯顿的Fab1工厂已经出货了超过25万个基于32纳米高K金属栅制程技术(HKMG)的半导体晶圆。这一里程碑体现了GLOBALFOUNDRIES同其它代工厂相比
【导读】联电14奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米FinFET制程技术,预计效能可较现今28奈米制程提升35~40%,可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势,扩大抢
【导读】美国高通公司与台积公司今日共同宣布,美国高通公司的全资子公司美国高通技术公司将率先采用台积公司28纳米高性能移动(28nm High Performance Mobile, 28HPM)制程生产芯片。台积公司28HPM制程领先业界,率先
【导读】矽智财大厂英商安谋(ARM)及台积电扩大合作,安谋针对台积电28纳米HPM制程,推出以ARMv8指令集为架构的Cortex-A57与Cortex-A53处理器优化套件矽智财(POPIP)解决方案,并同时发布针对台积电16纳米鳍式场效晶体
【导读】日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报,营收同样继续维持成长,主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。 摘要: 日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报,营收同样继续维持成长
台积电共同执行长魏哲家昨(29)日指出,台积电过去五年已斥资近兆元,投注于晶圆制程技术研发及产能扩充,缔造多项惊人成就。其中,20纳米即斥资约3,000亿元,获得高通等大厂青睐,并将创造五个月内产能即由零到逾4
18寸晶圆制程可望更趋成熟。为持续降低IC制造成本,半导体业界正积极开发18寸晶圆制程技术,并成功藉由策略联盟与资源整合方式,克服研发资金及技术门槛过高的挑战;目前包括台积电、英特尔(Intel)与三星(Samsung)等
据iSuppli公司分析,由于全球内存芯片厂商在2005-2007年间已经耗费了大量资本进行设备投资和产能扩展,因此现有的产能已经可以满足2012年的市场需求,这便意味着在未来两年之
看好凹板转印技术的市场潜力,李长荣化工与工研院、台大等产学研单位组成「精密凹板转印技术」研发联盟,近期并获得经济部业界科专支持,未来技术指标成功达成后,除了能提供凹板转印制程技术完整的解决方案,相关材
大尺寸触控面板制程有大突破,工研院机械所研发的凹板转印技术,将可取代黄光微影及ITO的触控制程,用新材料、新制程取代,至少可节省三到四成的制程成本。这项核心技术已技转荣化 (1704),并取得经济部科专支持进
东芝和SanDisk公司共同开发并即将量产世界上第一批15纳米制程技术的NAND闪存芯片,数据传输率比前代19纳米制程快1.3倍,将广泛应用在智能手机和平板电脑领域。对用户来说,低成本结构的杀伤力不容小觑。东芝还表示将
IC载板大厂景硕连续2年进行高额资本支出,布建新丰厂的14/16纳米制程载板产能,总经理陈河旭表示,进入14/16纳米世代,全球IC载板厂将面临又一次产业分水岭,为跨越技术挑战、维持产业领先地位,载板厂的生产、管理方
日月光(2311)今日召开法人说明会,财务长董宏思表示,首季系统级封装业绩占整体业绩比重约7%,第2季占比将会在下滑一些,下半年则会明显增加,预估第4季SiP业绩占比可突破20%。 日月光封测事业营收首季为343.51亿
barron`s.com报导,台积电(2330)的20奈米制程技术准备进度传出比市场预期还要快,应可顺利达成苹果(Apple Inc.)要求、为次世代iPhone与iPad制作A系列处理器。 研究机构BlueFin Research Partners分析师John Donovan
全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,FD SOI)是 28奈米与 20奈米半导体制程节点的最佳解决方案,主要原因是该技术与块状CMOS制程技术相比,其成本与泄漏电流较低,性能表现则更高。 同样是100mm