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台积电18英寸制造技术计划不变：2012年内开始试生产
台积电公司近日表示,尽管很少有半导体公司有较快推出18英寸晶圆制造技术的计划，但他们原定的2012年内开始基于18英寸(450mm)晶圆的试生产 的计划将如期进行。目前台积电正和设备及材料制造商积极合作，努力推进18英
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Intel 2013年第四季度转向15nm制程技术?
在上周举办的IDF2009秋季开发者论坛上，Intel曾提到会在2011年下半年开始使用22nm制程技术，而其后的下一步目标则将是15nm制程技术。而对手AMD的代工公司Globalfoundries则会在2012年启用22nm制程技术，两年后的2014
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英特尔22纳米制程技术最新动态
2009年秋季英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美国旧金山举行。今天，英特尔总裁兼首席执行官保罗•欧德宁(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22纳米制程技术的芯片。英特尔继
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东芝Sandisk明年下半年欲启用2xnm制程量产闪存芯片
据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产
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富士通、台积电合作开发28nm技术
日本富士通微电子与台积电(TSMC)宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28奈米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28奈米高效能制程。 之前富士通微电子已经与台积电就40奈米制程进行合作。这项协议
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8月下旬低容量NAND价格小涨 高容量基本持平
集邦科技指出8月下旬NAND Flash合约价大致呈现高容量颗粒持平及低容量颗粒小涨的情况，主要原因为随着供货商们的较先进的4xnm及3xnm制程技术产出比重逐渐增加，以较成熟制程技术生产的低容量颗粒供给也随之减少，同时
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尔必达：计划明年转向40nm制程技术
据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制
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DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现
台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次
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DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现
台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战！三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次
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自信心爆棚：Globalfoundries首脑称Fab3工厂项目近期出台
最近Globalfoundries公司可谓喜事连连，继纽约Fab2工厂正式奠基后，又与意法半导体成功签约。不过按GF公司主席Hector Ruiz的说法，他们现在已经开始筹划第三间制造厂Fab3的项目。目前在建的Fab2将采用300mm技术生产晶
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