Globalfoundries宣称将在30天内公布除了AMD之外的至少一家芯片代工客户,此前据传Nvidia将是可能性最大的人选之一。据 Globalfoundries的公关部经理Jon Carvill称,他们的首批客户将是“为消费电子市场提供低功
为积极朝向22纳米制程技术前进,台积电宣布与法国半导体研究机构CEA-Leti签订合作协议,将参与由CEA-Leti主持的IMAGINE产业研究计画,就半导体制造中的无光罩微影技术进行合作,这项计画为期3年。
台积电先进制程晶圆出货正式突破500万片大关,达到535万片,若将这些晶圆堆迭起来,厚度将是台北101大楼的8倍高!这还是不包括目前正加紧量产的40纳米制程,同时台积电预计2009年第4季将量产32纳米泛用型制程,2010年
台积电(TSMC)宣布成功开发28纳米低耗电技术,同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)制程,将32纳米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米制程,使得半导体可以
近日台积电宣布成功开发28nm技术工艺,配合双╱三闸极氧化层制程,将32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工艺制程,使得半导体可以持续往先进制程技术推进。此一制程技术的优势还包括高密度与低六晶体管
正在建设中的大连芯片厂(Fab 68)将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。英特尔大连芯片厂总经理柯必杰(Kirby Jefferson)在第七届软交会上上宣布了这一决定
英特尔大连芯片厂总经理柯必杰19日在“第七届中国国际软件和信息服务交易会”上宣布,正在建设中的大连芯片厂(Fab 68)将采用65纳米制程技术,这座300毫米芯片制造厂2010年建成投产。 英特尔大连芯片厂投资总额25亿美
台积电自40纳米制程顺利量产后,积极向下世代制程技术28纳米制程演进,据了解,台积电内部正积极着手28纳米制程研发进入量产阶段,同时也规划将于7月正式发表28纳米制程技术的设计流程(Design flow)10.0版本,开始正
台积电自40纳米制程顺利量产后,积极向下世代制程技术28纳米制程演进,据了解,台积电内部正积极着手28纳米制程研发进入量产阶段,同时也规划将于7月正式发表28纳米制程技术的设计流程(Design flow)10.0版本,开始正
DRAM产业的春天逐渐来临,台系DRAM厂包括力晶、南亚科、华亚科等将逐渐缩短员工无薪假,力晶从5月底开始,无薪假由塬本8天缩短为4天;南亚科除12吋厂因转换制程之故,部分生产线人员未能如期归队,内部评估将提早结束
第四次江陈会谈规划将两岸标准检测认验证列入议题,“经济部”标准局近期将整合业者意见,规划两岸合作优先级项目,使产业规格需求经由两岸建构共同标准,进而成为国际标准。据指出,目前列入第一波产业包括平面显示
第四次江陈会谈规划将两岸标准检测认验证列入议题,“经济部”标准局近期将整合业者意见,规划两岸合作优先级项目,使产业规格需求经由两岸建构共同标准,进而成为国际标准。据指出,目前列入第一波产业包括平面显示
全球DRAM厂持续减产,以减少亏损及资金流出,并放缓制程技术推进时程;集邦科技预期,今年全球DRAM产业资本支出约54亿美元,年减56%。 集邦科技表示,50纳米制程技术每片晶圆颗粒产出量可望较60纳米制程增加40%至5
针对NAND Flash产业,研究机构集邦科技最新研究报告指出,三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座,而海力士则因大幅减产,市占率恐将下滑剩下10%,落居第5名。 据中国台湾媒体报道,集邦科技根据各NAND Flash供货商目
针对NAND闪存产业,研究机构集邦科技最新研究报告指出,三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座,而海力士则因大幅减产,市场占有率恐将下滑剩下10%,落居第5名。 集邦科技根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能
全球DRAM厂持续减产,以减少亏损及资金流出,并放缓制程技术推进时程;集邦科技预期,今年全球DRAM产业资本支出约54亿美元,年减56%。集邦科技表示,50纳米制程技术每片晶圆颗粒产出量可望较60纳米制程增加40%至50%,
台塑集团旗下南科董事长吴嘉昭近日表示,台塑集团会在DRAM领域坚持走下去,而美光技术在当下是「上选」,如果政府不帮忙,南科和华亚科也会自强,将办理增资,改善财务结构。吴嘉昭指出,南科在DRAM制程技术研发说可
IBM与法国原子能署下属的电子资讯科技实验室(CEA/LETI)近日宣布将合作研究开发半导体与纳米电子相关技术。双方将就22nm制程工艺有关的高级材料,设备及制造工艺方面进行合作,合约期为5年。 研究工作将在IBM公司在东