英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150
今天写两个电路设计失误,第一个是由于电流增益不够引起的,该电路是参考别的设计者引发的,看了之后可以了解一些知识。 第一个失误的主要原因是,设计者错误估算了R1的大
今天写两个电路设计失误,第一个是由于电流增益不够引起的,该电路是参考别的设计者引发的,看了之后可以了解一些知识。 第一个失误的主要原因是,设计者错误估算了R1的大
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领
引言 在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔,这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET。通常,专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔应用。 LTC®4234 是一款针对热插拔 (Hot SwapTM) 应用的集成型解决方案,其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中,以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试,并保证其能承受热插拔应用中的应力。
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点:高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器 (LEV) 、直
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其3mm x 3mm封装的SiZ340DT双片MOSFET在《今日电子》杂志的第十二届年度Top-10电源产品评奖中一举获得十佳电源产品奖和最佳应用奖等两项奖项。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括大功率直流电机,直流/交流逆变
采用PowerPAK® SC-70封装,2mm x 2mm占位面积可显著节省空间日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、1
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低
国际整流器(IR)推出IR25750通用电流感测积体电路(IC),并采精巧的SOT23-5L封装,为高电流应用提升整体系统效率及大幅节省空间。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示,IR25750电流感测IC是新的组合区块,利用功率金属氧化物
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V
随着通用串行总线(USB)在便携或手持应用中日趋流行,具有超低功耗的高质量开关在实现这种连接解决方案方面充当着重要角色。受消费者的需求驱动,设计人员需要不断创新、加速
Vishay 宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和
21ic 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ,占位面积2mm x 2mm,采用PowerPAK® SC-70封装21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小