-
新款20V P沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4
-
业界最小的芯片级MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道S
-
新型20V P沟道功率MOSFET （Vishay）
该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
-
为便携式产品选择合适的模拟开关
在便携式产品设计中，一直以来，模拟开关主要作为音频信号切换器使用。后来，随着双卡双模手机的普及，模拟开关成了双卡切换必备的选择；最新的数字电视DVB，CMMB等在一定的条件下也需要使用模拟开关。那么选择这些
-
OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飞凌）
英飞凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快
-
下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
-
主动“ORing”方案降低了功率损耗和设备尺寸
全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起，在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50％的空间。
-
OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飞凌）
英飞凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快
-
下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
-
主动“ORing”方案降低了功率损耗和设备尺寸
全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起，在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50％的空间。
-
便携式产品中模拟开关的选择要点
在便携式产品设计中，一直以来，模拟开关主要作为音频信号切换器使用。后来，随着双卡双模手机的普及，模拟开关成了双卡切换必备的选择；最新的数字电视DVB，CMMB等在一定的条件下也需要使用模拟开关。那么选择这些开关时需要注意哪些设计问题呢？
-
数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
-
数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
-
数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
-
选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
-
选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
