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ROHM开发出比以往产品小50％的世界最小晶体管“VML0604”
不仅实现更低导通电阻，还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化21ic讯—日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备，开发出世界
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ROHM开发出比以往产品小50％的世界最小晶体管“VML0604”
~不仅实现更低导通电阻，还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化~21ic讯 日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种
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Vishay发布采用ThunderFET技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET
采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的100V N沟道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面积为5mm x 6mm21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布首颗通过AEC-Q1
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Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封装，最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封装的P沟道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移动计算21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低
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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装尺寸，可用于移动计算，在4.5V下导通电阻低至8.0mΩ21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出
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SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势
通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成
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德州仪器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低导通电阻
小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。
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东芝推出业界最低的导通电阻负荷开关集成电路
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出内嵌反向电流阻隔电路[1]的负荷开关集成电路，该集成电路提供业内最低的[3]导通电阻，即18.4mΩ[2]。这些集成电路可作为智能手机、平板电脑、超极本(Ultrabo
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东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
21ic讯 低导通电阻可减少移动设备的传导损失东芝公司宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导
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东芝推出650V系统超级结MOSFET“DTMOS IV”系列
实现顶级1低导通电阻性能东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品，“TK14A65W&rdq
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东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖低导通电阻和高速交换性能。主要功能1
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东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
低导通电阻可减少移动设备的传导损失21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用
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东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
推出拥有顶尖[1]低导通电阻性能和高速交换性能的60V产品东芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品
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MOS管使用扫盲
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允
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CMOS基础知识
MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增
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IR推出40V汽车级COOLiRFET TM 为重载应用提供基准导通电阻以提升系统效率
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出汽车级COOLiRFET ® MOSFET系列，为重载应用提供基准导通电阻 (Rds(on))，这些应用包括电动助力转向
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东芝推出600V系统超级结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产
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