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东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最
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IR 推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工业应用的系统效率
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，这些工业应用包括11
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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整流二极管与稳压二极管有何异同
二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，电路中常把它用在整流、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是
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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vi
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如何选择模拟开关
标签：模拟 电子 IT 电路模拟开关和多路转换器的作用主要是用于信号的切换。目前集成模拟电子开关在小信号领域已成为主导产品，与以往的机械触点式电子开关相比，集成电子开关有许多优点，例如切换速率快、无抖动、耗
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高品质管理使LED驱动更高效可靠
导读：为LED驱动提供高效可靠的电源转换方案，如将TV中的AC-DC电源转换与LED驱动整体考虑，提供完整的解决方案;为了获得较高的系统效率并解决散热问题，必须要求低导通电阻
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高品质管理使LED驱动更高效可靠
导读：为LED驱动提供高效可靠的电源转换方案，如将TV中的AC-DC电源转换与LED驱动整体考虑，提供完整的解决方案;为了获得较高的系统效率并解决散热问题，必须要求低导通电阻，但是LED灯条需要高压驱动，高电压、低导通
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CMOS模拟开关的选择与典型应用
一、前言：早期的模拟开关大多工作于±20V 的电源电压，导通电阻为几百欧姆，主要用于模拟信号与数字控制的接口，近几年，集成模拟开关的性能有了很大的提高，它们可工作在非常低的电源电压，具有较低的导通电
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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新能源市场已成为功率MOSFET强劲增长助力
目前，主要支撑MOSFET需求量的市场仍然来自于手机及笔记本电脑(Notebook)等大众消费类电子领域，且在一段时间内将会持续保持一定的成长率。但就未来的产品开发领域，大多数厂商表示，太阳能光伏、电动车、LED照明及显
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瑞萨电子推出新款超级结MOSFET
21ic讯 瑞萨电子公司日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这
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瑞萨电子推出新款超级结MOSFET
21ic讯 瑞萨电子公司日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这
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新的SiA436DJ在1.2V的栅源电压下就可以导通
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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恩智浦推出采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。即将面世的
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恩智浦推出采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。即将面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封装的车用功率MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。在N和P通道配置中，该新型55V平面器
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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