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大功率VDMOS(200 V)的设计研究
摘要：介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析，并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标，通过器件和工艺的仿真，确定了该器件合理的参数
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大功率VDMOS(200 V)的设计研究
摘要：介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析，并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标，通过器件和工艺的仿真，确定了该器件合理的参数
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封装提高效率
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率
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Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率
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Vishay Siliconix推出超小N沟道和P沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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罗姆推出34ｍΩ的低导通电阻
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
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罗姆推出导通电阻值Max0.5mΩ的跳线电阻器
21ic讯 罗姆株式会社开发出导通电阻值降低到Max0.5mΩ、同时使额定电流大幅提高的超低阻值跳线电阻器“PMR跳线系列”。本产品已经开始提供样品（样品价格：20日元/个），并于9月份起以月产1000万个的
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罗姆推出34ｍΩ的低导通电阻
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
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Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
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Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDK
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为便携应用选择合适的低成本USB开关
USB已经成为PC与外备进行通信的最通用标准。键盘、打印机、网络摄像机、数据存储设备、移动电话、MP3播放器、数码相机和游戏机等设备都可以通过USB接口与PC连接起来。USB应用厂商论坛(USB-IF)为USB设立了标准，设备必须通过严格的测试后才能获得USB认证。
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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车用平面 MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
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车用平面 MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
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40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重
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40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重
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