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MOSFET栅极驱动电路重要参数解读：导通电阻+驱动功率
以下内容中，小编将对MOSFET栅极驱动电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET栅极驱动电路的了解，和小编一起来看看吧。
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MOS管驱动电路详解
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车(LEV)、电动二轮车、电动踏板车、电动摩托车，以及商用车和农用车(CAV)等其他交通应用。
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MOS管开关时的米勒效应的影响与解决方法
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降)。
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
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EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET为各类电源应用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。
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适用于移动和便携式产品应用的MOSFET产品
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下来让小编带领大家一起学习MOSFET。
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降低压降并减小传导损耗的30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP
随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如p沟道功率MOSFET。
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值得了解的新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的RDS(ON)导通电阻吗?
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值得了解的新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级-SiZ240DT
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如集成式MOSFET。
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Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²
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ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
~可加快车载主机逆变器等的普及速度~
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Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。
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英飞凌亮相PCIM Asia 2019，以最新产品技术助力多领域实现节能增效
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)近日参加在上海世博展览馆举办的2019年上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2019)及相关论坛会议。
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从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用
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10步法则：实用的MOSFET选型方法
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂;P沟道可以直接驱动，驱动简单。
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Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。
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Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积)，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
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