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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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D系列MOSFET采用高压条带技术
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。今天发布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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D系列MOSFET采用高压条带技术
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。今天发布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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精确测量功率MOSFET的导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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精确测量功率MOSFET的导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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电源开关设计基础
作者：Philippe Pichot，德州仪器 (TI) 战略市场营销经理电源开关的使用较为复杂，甚至让大多数电子产品设计人员都感到困惑，特别是对那些非电源管理专家而言。在各种各样的应用中，例如：便携式电子产品、消费类电子
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Vishay荣获2012中国年度电子成就奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR 功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年
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对话Vishay:阔步创新50年，如何以专注赢得竞争优势？
Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰由于需求和工艺的发展，很多半导体公司创立之初的业务经过多年的发展后总会发生很大变化，不过，有一家公司却是个例外，50年前，FelixZandman博士创立了Vishay公司，生产高精密电
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对话Vishay:阔步创新50年，如何以专注赢得竞争优势？
Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰由于需求和工艺的发展，很多半导体公司创立之初的业务经过多年的发展后总会发生很大变化，不过，有一家公司却是个例外，50年前，FelixZandman博士创立了Vishay公司，生产高精密电
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威世展示丰富产品线 总部庆50岁生日
2月23下午，威世（Vishay）于深圳会展中心一号馆举行的IIC China 2012上展示该公司最新的业内领先的解决方案，Vishay亚洲区市场开发总监Y.C. Yang（杨益彰）就距离传感器在便携式电子产品中的应用范围做报告。与此同
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罗姆推出超低导通电阻的高耐压功率MOSFET R5050DNZ0C9
21ic讯 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热
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瑞萨电子推出低功耗P通道MOSFET
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子（Li-ion）二级电池的充电控制开关和与
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特瑞仕半导体推出LDO电压调整器XC6603/XC6604
21ic讯 特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出对应0.5V 低输入电压的1A 高速LDO 电压调整器XC6603/XC6604 系列产品。XC6603/XC6604系列产品是能从低电压0.5V开始工作的低导通电阻1A高速LDO电压调整器XC6602的
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特瑞仕半导体推出LDO电压调整器XC6603/XC6604
21ic讯 特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出对应0.5V 低输入电压的1A 高速LDO 电压调整器XC6603/XC6604 系列产品。XC6603/XC6604系列产品是能从低电压0.5V开始工作的低导通电阻1A高速LDO电压调整器XC6602的
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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开关电源的开关损耗
基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。 MOSFET完全打开时的导
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