日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。栅极电荷与导通电
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET ---Si8800EDB,该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可减
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列,包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列,适用于需要低导通电阻的各种应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列,适用于需要低导通电阻的各种应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列,适用于需要低导通电阻的各种应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
RS Components宣布,通过其在线目录RS Online渠道推出三洋(SANYO)半导体公司的1200类半导体产品。 此次推出的产品中,除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通
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日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关,其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体,从而简化子系统负载管理。采
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关,其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体,从而简化子系统负载管理。采
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4