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600V、47A N沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。栅极电荷与导通电
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新型-30V P 沟道功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS
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面积最小厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET ---Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减
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汽车用功率 MOSFET 专用系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO
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三款新型500V N沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
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新款ThunderFET™功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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全新HEXFET功率MOSFET产品（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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RS推出1200种三洋半导体产品
RS Components宣布，通过其在线目录RS Online渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。 此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通
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MAX305精密双低导通电阻模拟开关电路图
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MAX303精密双低导通电阻模拟开关电路图
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具有最低导通电阻的全面集成型负载开关（TI）
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体，从而简化子系统负载管理。采
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具有最低导通电阻的全面集成型负载开关（TI）
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体，从而简化子系统负载管理。采
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新款20V P沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4
