随着2020年物联网(IoT)市场的半导体商机可望达到115亿美元,封装技术将扮演开发系统更重要角色。评论指出,其中又以可以节省厂商成本的系统级封装(SiP)技术最受欢迎。 据E
1、BGA|ball grid array 也称CPAC(globe top pad array carrier)。球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。
什么是显示屏用LED封装技术?它有什么特点?led受到广泛重视并得到迅速发展,与它本身所具有的优点密不可分。这些优点概括起来是:亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性,可靠性、全色化方向发展。
你知道COB与MSD封装技术的不同点吗?我们知道在直插时代结束后进入了长达15年的表贴MSD封装时代,MSD混色好,易操作,现如今COB的优劣势较MSD又有那些区别呢?
这里主要介绍两个PCBA的封装技术,插入式封装技术(ThroughHoleTechnology)和表面黏着式封装技术(SurfaceMountedTechnology)。
据聚飞光电证券事务代表张瑞琪介绍,公司在2018年研发并广泛应用于全面屏手机的超薄、高色域系列中小尺寸背光LED产品,能良好地匹配窄边框液晶屏,光耦合效率较高,图像鲜艳、色彩对比度较高,可以媲美
“SamMobile”日前爆料称,三星预计将会在三星Galaxy S11系列中采用与三星Galaxy Note 10系列一样的PMP (Protection Module Packages)电池
4月8日后,我们已看到海外长线资金开始回流中国资产,配置优质的港股(包括中概股),也通过北向沪深港通配置A股。市场大幅波动无疑将提高稳健的“分红”股票吸引力,尤其在股价调整后,估值更具优势。 目前,对于长期价值投资者,单纯从“高分红”的角度配置并
4月11日消息 在日前举行的英特尔年度战略“纷享会”上,官方介绍了其先进封装技术。英特尔表示目前有两种封装技术可以使用,一是EMIB,另外就是Foveros。英特尔中国研究院院长宋继强表示,EMIB可
2015年代号为Fiji的AMD Fury X显卡发布,代表着HBM显存第一次进入大众视野。将传统传统的2D显存引向立体空间,通过堆叠,单个DIE可以做到8GB容量,位宽也高达1024bit。相比之下
大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面,随着科学技术的发展,LED技术也在不断发展,为我们的生活带来各种便利,为我们提供各种各样生活信息,造福着我们人类。这些因素彼此既相互独立,又相互影响。其中,光是LED封装的目的,热是关键,电、结构与工艺是手段,而性能是封装水平的具体体现。从工艺兼容性及降低生产成本而言,LED封装设计应与芯片设计同时进行,即芯片设计时就应该考虑到封装结构和工艺。否则,等芯片制造完成后,可能由于封装的需要对芯片结构进行调整,从而延长了产品研发周期和工艺成本,有时甚至不可能。
繁华的城市离不开LED灯的装饰,相信大家都见过LED,它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方,也照亮着我们的生活。毫无疑问的,这个世界需要高亮度发光二极管(High Brightness Light-Emitting Diode;HB LED),不仅是高亮度的白光LED(HB WLED),也包括高亮度的各色LED,且从现在起的未来更是积极努力与需要超高亮度的LED(Ultra High Brightness LED,简称:UHD LED)。
随着科学技术的发展,LED技术也在不断发展,为我们的生活带来各种便利,为我们提供各种各样生活信息,造福着我们人类。LED 被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。
在科技高度发展的今天,电子产品的更新换代越来越快,LED灯的技术也在不断发展,为我们的城市装饰得五颜六色。随着材料及封装技术的不断演进,促使LED产品亮度不断提高,LED的应用越来越广,以LED作为显示器的背光源,更是近来热门的话题,主要是不同种类的LED背光源技术分别在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管(CCFL)更具优势,因而吸引业者积极投入。
在科技高度发展的今天,电子产品的更新换代越来越快,LED灯的技术也在不断发展,为我们的城市装饰得五颜六色。LED封装方式是以芯片(Die)借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板Submount(次黏着技术)连结而成LED芯片,再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。
2019年7月24日,美国新泽西州普林斯顿---新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。
4月22日,台积电完成全球首颗3D IC 封装,预计将于2021 年量产。业界认为,此技术主要是为了应用在5nm以下先进制程,并为定制化异质芯片铺路,当然也更加巩固了苹果订单。
Stephanie表示,随着时间的推移,封装技术已经成为芯片的关键差异化因素之一。
前段时间,晶圆代工业掀起了一场“撤退潮”。由于摩尔定律的每年工艺微缩愈发困难,导致研发投入与产出不均衡,联电(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行业巨头纷纷表示暂停7纳米以下先进工艺的研发,专注优化现有技术和市场。行业分析师认为,随着先进工艺陷入少数玩家的寡头垄断领域,半导体材料和封装技术将成为下一波市场热点。
英特尔在今年的Hotchips会议上再次展示了EMIB封装技术,能够把10nm、14nm及22nm不同工艺的核心封装在一起做成单一处理器。