第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议于12月1日到3日在广州召开,会议由中国电子学会半导体与集成电路分会、电子材料分会主办,是国内化合物半导体、微波器件和光电器件方面最高级别的学术会议
多事之秋的2008年再有一天就要过去了,而充满更大风浪的2009年马上就要来临。继一波一波裁员降薪之后,全球半导体业仍将保持一段时间的动荡。相比较吃饭穿衣这些生活必需品,当电子消费品已经排在了消费者消费清单的尾部时,销售下滑趋势向上游零部件的传递,在2009年才刚刚开始。也就是说,如今半导体零部件企业的举措,仅仅是建立在对未来判断的基础上的,而届时市场情况究竟有多糟糕,现在谁也不得而知。
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装,具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装,具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封
LED(半导体照明)是一种新型固态冷光源,它具有高效、节能、环保、使用寿命长、体积小、可靠性高等特点。科技部已批准上海、大连、南昌、厦门、深圳五个LED产业化基地,按这五大基地预计目标,2010年我国LED产业产值将
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式,它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形(11mm2)的各种系统而设计,其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。
集邦科技(DRAMeXchange)表示,DRAM产业正处于冰河时期,DRAM纷纷降低制造成本、鼓励员工休假甚至减少投片量来顺应这波的不景气,而下游的封测产业也受到影响。 集邦指出,DRAM产业严重供过于求,再加上全球经济持续
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式,它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形(11mm2)的各种系统而设计,其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。