封装
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日月光获英特尔南桥芯片大部分订单
全球最大晶片龙头英特尔(Intel)今年初开始关闭不具经济效益的封测厂，业界传出，英特尔评估将全面释出南桥芯片(south bridge)的封装代工订单，并由全球最大封测厂日月光囊括绝大部分订单，对日月光本季及下半年营运将
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便携式充电设备开关（Diodes）
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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双网口百兆以太网控制芯片（亚信电子）
亚信电子(ASIX Electronics)近日宣布将针对嵌入式以太网应用，新增二款采用LQFP 80引脚小型封装(10x10mm)的双网口以太网控制芯片：AX88782及AX88613。该组芯片可设定为网管型二层交换模块，其第三个网络端口可连接至
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灯饰企业：内销三年未过10%这道坎
全球最大的装饰灯企业在全球最大的消费市场却一直困顿不前 营销篇 “现在我有点怕了，不太想做银雨的经销商了，即便将来再合作，我也要慎重考虑！”景德镇永顺安装有限公司总经理刘波，在电话中语调疲惫地告诉记者。
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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全新系列功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST）推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950
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双网口百兆以太网控制芯片（亚信电子）
双网口百兆以太网控制芯片（亚信电子）
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双网口百兆以太网控制芯片（亚信电子）
双网口百兆以太网控制芯片（亚信电子）
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差分模拟霍尔效应传感器（Allegro）
Allegro MicroSystems 公司推出差分模拟霍尔效应传感器，可响应不断变化的磁场而进行开关操作。此款新器件的 EMC 能力增强，通过减少其外部组件数目且在某些情况下消除 PCB 模块，将确保用户优化其成品传感器模块。元
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新款全桥式MOSFET预驱动器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式 MOSFET 预驱动器 IC，扩展其现有全桥式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、 宽泛的工作电压（5.5
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Vishay推出采用可表面贴装的模压封装液钽电容器
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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