封装
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台湾媒体称台将解除测试封装厂内地建厂禁令
据台湾媒体报道，台湾当局很快将解除禁止台湾半导体测试封装厂商前往内地设厂的禁令。报道引述台湾当局有关人士的话说，台湾当局已接近完成对允许台湾芯片封装测试厂商前往内地设厂可能产生的影响的评估工作。但是解
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江苏长电购买多台科利登ASLl000测试系…
江苏长电购买多台科利登ASLl000测试系统用于混合信号器件测试科利登系统公司宣布江苏长电技术有限公司购买了多台ASL 1000?测试系统。长电是国内领先的测试封装转包商，该公司将使用ASL系统进行混合信号消费类器件的高
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瑞萨科技发布安装面积大约减小40%的变容二极管
瑞萨科技公司宣布，开发出RKV5000DKK、RKV5010DKK和 RKV5020DKK超小型(1.0 × 0.6 mm)变容二极管，用于移动产品如笔记本电脑和PDA中的TV / VCR调谐器中。在2004年8月，将从日本开始样品发货。RKV5000DKK用于UHF调谐器
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批量挤压印刷工艺提升单一封装的装配性能
DEK公司推出能直接从工艺载体实施单一基底批量挤压印刷工艺的全新技术，可以简化单一封装的装配，无需将基底移入专用载体即可获得批量挤压印刷的优势，包括高生产量、增强的胶点形状和厚度控制能力，以及低空洞性能。
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新科封测和金朋达成换股合并的协议
不久前，金朋和新科封测宣布达成了换股合并的最终协议，将成立一个独立的全球大型牛导体封装和测试公司。据悉，该项交易总值约16亿美元。协议条款规定金朋股东按普通股1：0.87的比例获得新科封测的美国存托凭证。金朋
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中国半导体行业协会封装分会成立
中国半导体行业协会封装分会成立大会暨第一届会员大会于2003年10月27日在上海浦东大酒店召开。62家会员单位，共86名代表参加会议。应邀贵宾、记者17人出席。中国半导体行业协会副理事长毕克允、董宗光、王芹生出席了
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Maxim4MHz、500mA、薄型SOT和TDFN封装的微型同步降压转换器
MAX8560/MAX8561/MAX8562降压型DC-DC转换器专为那些优先考虑小尺寸和高效率的应用优化设计。它们利用专有的滞回PWM控制方案，允许用户在效率和尺寸间取得最佳平衡。输出电流保证可达500mA，同时静态电流仅40µA
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180mA、1倍/2倍、白色LED电荷泵，采用3mm x 3mm TDFN封装
MAX1574充电泵型白光LED电源可提供恒定的驱动电流从而获得一致的发光亮度。采用自适应的1x/2x充电泵电路，在单节锂电池的电压范围内，具有180mA 的驱动能力和很高的效率。固定的开关频率(1MHz)允许采用微型的外部器件
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采用 ThinSOT 封装的降压型 DC/DC 控制器电流消耗仅为 16uA
凌特公司（Linear Technology）推出一个采用 ThinSOTTM（SOT-23）封装的降压型 DC/DC 控制器 LTC3801。该产品专为延长电池使用寿命而设计，可将待机电流消耗降至仅为 16uA。LTC3801 在正常工作、轻负载时的突发模式（
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采用 2mm x 2mm DFN 封装的 900mA 全集成锂离子电池线性充电器不会过热
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型单节锂离子电池线性充电器，它无需使用 3 个分立功率组件，在不使系统温度过高的情况下提高充电速度，并检测和报告充电电流值。此外，该产品采用最小的封装，但却没有
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高效照相闪光灯电容充电器采用 ThinSOT 封装
凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案，用于照相闪光灯电容充电，所需线路板面积最小，无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压（一般为 320 V
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具软启动功能、采用 ThinSOT 封装的高压 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器
凌特公司（Linear Technology）推出一个 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 内部开关和软启动功能。LT3467 采用恒定频率电流模式架构，在 2.4V 到 16V 输入电压范围内工作，从而使它成为单节锂离
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采用纤巧 ThinSOT 封装的四路电源监视器在 VCC 低至 500mV 时仍保证复位
凌特公司（Linear Technology）宣布推出采用纤巧 6 引线 ThinSOT™（SOT-23）封装的四路电源监视器 LTC2903-1，它在 VCC 低至 500mV 时仍保证提供有效的 RESET# 信号。与传统电源监视器的 1V 电平相比，用低至
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飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及
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东芝为功率半导体设备提供无铅封装
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助无铅封装提供对环境友好的产品的计划时宣布，该公司众多功率半导体的很多类型都将采用无铅封装或无铅涂层进行生产。由东芝公司 (Toshiba Corp.
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安森美半导体新推SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于不断推出高性能、节省空间的器件，新推出的五款保护器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563单封装内集成了多个瞬变电压抑制（TVS）元件。这些SOT5xx封装TVS器件不
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安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）不断提升产品性能，在其品种全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封装。这五十款器件[包括瞬变电压抑制（TVS）元件与肖特基二极管]现已提供低厚度的扁平引脚封装。今年稍后
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低功率轨至轨运算放大器为低电压设计方案带来高速度
凌特公司（Linear Technology）宣布推出分别为单路、双路和四路轨至轨输入和输出的低功率运算放大器 LT1803、LT1804 和 LT1805。这些电压反馈运算放大器具有高速性能、85MHz 增益带宽积和 100V/us 转换率，并结合了新
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IR推出绝缘型Co-Pack封装NPT IGBT 提高变速电机驱动器性能
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，
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飞利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封装的高性能低VCesa BISS晶体管
日前，皇家飞利浦电子集团在创新性的低VCesa BISS晶体管产品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成员，从而成为全球首个推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封装BISS晶体管的半导体厂商。PBSS4240V和PBSS5240V的集电极
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