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自给偏压共源放大电路
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固定式偏置电路
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场效应管三种组态电路c
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场效应管三种组态电路b
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场效应管三种组态电路a
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高输入阻抗缓冲放大器
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台积电公布开发蓝图 “45nm的量产有望07年Q3开始”
【导读】台积电公布开发蓝图 “45nm的量产有望07年Q3开始” 台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本横浜市举行了记者招待会，披露了其技术开发蓝图以及针对日本市场的措施。台积电的孙元
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Diodes 推出全新逻辑产品 性能超越业界标准器件
【导读】Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。
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三栅极3D晶体管，无法左右英特尔ARM之争
【导读】。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题，然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布三栅极3D晶体管之后，关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。 摘要： 。英
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MOS开关管的选择及原理应用
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一
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Altera展示基于Intel 14nm三栅极工艺的FPGA技术
Altera公司日前展示了基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术。基于14 nm的FPGA测试芯片采用了关键知识产权(IP)组件——收发器、混合信号IP以及数字逻辑，这些组件用在Stratix 10 FPGA和SoC中。Altera与Intel合作开发了
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Altera树业界里程碑：展示基于Intel 14nm三栅极工艺FPGA技术
14 nm FPGA测试芯片确认了在使用业界最先进的工艺技术时 Altera获得的性能、功耗和密度优势21ic讯 Altera公司今天展示了基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术。基于14 nm的FPGA测试芯片采用了关键知识产权(IP)组件&
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栅极电阻与泄放电阻
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S;第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的
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7nm之后 晶体管技术何去何从？
FinFET晶体管大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩
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7nm之后 晶体管技术何去何从？
FinFET晶体管大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩
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移动芯片大比拼之工艺制程分析
移动通信芯片领域，高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商，2013年是28nm制程的普及年，除了联芯和展讯还在使用40nm制程外，其余各家移动通信芯片厂商都不约而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有两个工艺方
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FinFET工艺之后 晶体管技术何去何从？
大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们?在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩小到10nm节点
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N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，
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中芯国际将通过微细化获得客户，已建立28nm工艺量产体制
中国最大的半导体芯片代工企业——中芯国际（SMIC）的CEO邱慈云在“SEMICON Japan 2013”（2013年12月4～6日，MESSE国际会展中心）首日举行的“GSA论坛”上登台演讲。邱慈云表示，美国的大型无厂企业一直都是中芯国际
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浅谈英特尔后栅极工艺
很多人知道28nm制程比40纳米先进，耗电更低、发热更少、集成的晶体管更多。更进一步，不少人还知道HKMG(high-k绝缘层金属栅极)是实现更先进制程的必备技术。但了解HKMG的两种工艺——前栅极/后栅极的人就很少了吧。H
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