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检测显像管时应从哪几个方面进行
(1)灯丝好坏的检测显像管灯丝是否正常，可通过万用表Rx1挡进行检测给以判断。让红、黑表笔分别接灯丝两引脚，测其阻值，正常值应为1OΩ左右，如阻值为的，说明灯丝已断。给显像管通电时，观察管颈尾部的灯丝是否
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透射电子显微镜的结构与成像原理介绍
透射电子显微镜的结构与成像原理 透射电子显微镜是以波长极短的电子束作为照明源，用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率、高放大倍数的电子光学仪器。 There are four main components to a transmission electron mi
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场效应管检测方法及相关测试经验
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个
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场效应管检测方法及相关测试经验
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个
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带栅极外偏置电路的场效应管放大电路图
在该放大器电路中.MPF162型场效应管的栅极采用外部电压偏置,从而能够很好的控制工作电和获得好的偏置条件。 620)this.width=620;" onclick="window.open(this.src)" style="cursor:pointer" alt="点击看大图" />
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Globalfoundries与AMD协议分手将完全独立
AMD上周日宣布放弃其剩余的14% Globalfoundries股权，支付4.25亿美金给Globalfoundries作为晶圆代工厂供应协议修改的费用，该协议将允许AMD和其他代工厂合作实现28nm工艺节点。Globalfoundries同意放弃为AMD在特定时
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英特尔为Tabula代工，22nm三栅极技术将导入FPGA产品
Tabula公司主页上刊登的图片，突出两个“3D”。（点击放大） 美国Tabula宣布，美国英特尔将为其代工22nmFPGA “ABAX”（英文发布资料）。英特尔在开发代号为“Ivy Bridge”的22nm微处理器中采用了被称为“三栅极（
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联华电子稳扎稳打提前推出28纳米芯片(组图)
联华电子将会提前推出采用28纳米工艺制造的芯片。分析机构相信联华电子将能够在第二季度或者第三季度采用UMC 28LPT技术为德州仪器生产OMAP5系统级芯片(SoC)。芯片代工厂联华期待28纳米生产工艺能够为2012财年带来5%左
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瑞萨领先业界开发出40nm工艺的MCU混载闪存技术
试制的40nm闪存混载芯片瑞萨电子2011年12月14日宣布开发出了40nm工艺的MCU混载闪存技术。采用该技术的首款产品——车载闪存混载MCU预定2012年初秋开始样品供货。目前正在量产的闪存混载MCU，即使是最高端产
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GLOBALFOUNDRIES新CEO首次来日举办发布会
美国大型硅代工企业GLOBALFOUNDRIES于2011年12月12日举行了记者发布会，此次是该公司新任首席执行官Ajit Manocha首次来到日本。Manocha在发布会上表示，“我们构建了新的硅代工模式。今后将作为业界领头羊开辟未来”
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电子管放大器抑制交流声的原理及方法
一、灯丝电压放大器的影响 电子管栅极与灯丝之间存在电容Cf，50赫的交流灯丝电压将通过Cf使灯丝与栅极之间出现漏电流IA，IA流过输入端从而带来了干扰，这个在输入级产生的干扰电压虽然很少，但经过几级放大后，对放
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从栅极到电网——讲述英特尔的数据中心能效故事
随着云计算的普及和移动数据的爆炸性增长，我们正在面对一个难以支持的用电量快速攀升问题。据估算，当今数据中心消耗了全球约 1.5% 的电能i，年度成本高达 260 亿美元ii。从单个晶体管层面到处理器、服务器平
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台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次
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台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nmHP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nmLP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半
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台积电计划2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次
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台积电计划2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次
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台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次
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台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片
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英特尔3D三栅极晶体管设计获年度科技创新奖
10月21日上午消息，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键
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台积电28nm技术再次推迟
台积电作为全球最大的集成电路制造公司，其工艺进展情况关系到无数半导体企业的产品发布时间和计划。但前段时间，台积电两位高管发表的声明，备受关注的28nm工艺再次推迟。台积电CEO兼董事会主席张忠谋近日表示：“我
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