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尔必达发布上季度结算报告 公司继续维持亏损经营
尔必达发布了2011财年第一季度（2011年4～6月）结算报告。受DRAM价格大幅下滑影响，该公司第一季度仍持续营业亏损状态。但尔必达指出，即便在困境中还是确保了其领先于竞争对手的技术优势，并指出了其他竞争公司将被
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监控基站功率放大器的优化方案
监控基站功率放大器的优化方案
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功率管理优化功率的实现
随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品
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功率管理优化功率的实现
随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品
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下一代晶体管王牌：何种技术领跑22nm时代？
在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的晶体管。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到晶体管的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的晶体管技术。英特
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何种晶体管技术将领跑22nm时代？
在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的晶体管。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到晶体管的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的晶体管技术。英特
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可在同一真空下形成所有high-k积层膜，AMAT投产新型ALD装置
美国应用材料公司（AMAT）目前已开始投产用于22nm逻辑IC的栅极绝缘膜ALD（atomic layer deposition）装置“Centura Integrated Gate Stack”。该装置的特点是可在同一真空环境下形成所有高介电率栅极绝缘膜（high-
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应用材料发布Centura
应用材料(Applied Materials)在Semicon West发布了一套新系统，用以制备晶体管最关键的一层，这种晶体管见于逻辑电路。应用材料的新工具Centura，用在晶体管上沉积关键的一层，一次只沉积一个原子，这就带来了前所未
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Chipworks台积电28nm制程分析结果出炉
最近一周以来，Chipworks制程分析室的研究人员非常地忙碌，因为已经有很长一段时间没有采用较高级别制程的CMOS产品送到我们的分析室进行分析 了，而最近，我们几乎在同一时间就一下子收到了两款这样的样品芯片。这两
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透射电子显微镜的结构与成像原理
透射电子显微镜的结构与成像原理 透射电子显微镜是以波长极短的电子束作为照明源，用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率、高放大倍数的电子光学仪器。 There are four main components to a transmission electron mi
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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SuVolta将LSI功耗减少一半，用于28nm工艺high-k及金属栅极工艺
左为美国SuVolta公司总裁兼首席执行官Bruce McWilliams，右为该公司高级市场副总裁兼业务开发经理Jeff Lewis（点击放大） 可用于28nm工艺high-k及金属栅极工艺（点击放大） 美国SuVolta公司表示，LSI工作速度不
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英特尔宣布22nm芯片采用全新3D结构(图)
5月4日，英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来， 3D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(
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观点：22纳米3D晶体管是否足以使英特尔击败ARM？
英特尔最近发布了22纳米三栅极晶体管技术(参阅电子工程专辑报道：图解英特尔提前量产3D晶体管，进入22nm时代)，市场研究公司IHS iSuppli认为该技术使得这家世界第一的芯片厂商得以进军智能手机与多媒体平板市场、同时
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高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产，批量投产研发代号Ivy BRIDGE的22纳米英特尔CPU，并在美国展
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英特尔再掀科技革命 3D晶体管技术解析
2011年5月4日，英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小元件，自50多年前硅晶体管发明以来，3-D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特将推出被称为三栅级(Tri-Gate)
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图解英特尔提前量产3D晶体管，进入22nm时代
作者：孙昌旭 业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产，批量投产研发代号Ivy Bridge的22纳米英特尔
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Intel 22nm三栅技术后续报道：听听分析师们怎么说？
作为对Intel 22nm三栅技术的后续追踪报道，我们搜集了多位业界观察家对此的理解和意见，以便大家能在Intel不愿意过早透露22nm三栅技术较多技术细节的情况下能更深入地理解这种技术。 鳍数可按需要进行调整（Intel 2
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英文句号"." 容下约600万个电晶体
Intel 宣布将正式量产全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体，再次向宣示其半导体领域的领导地位，回首半导体技术发展，首颗电晶体成品非常大，甚以可以用手直接进行组装，与全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体相较， 1
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