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22纳米到底如何小而强大？
最早由贝尔实验室在1947年开发的晶体管非常大，以至于可用手直接进行组装。与之形成强烈对比的是，一个针头上就可以容纳超过1亿个22纳米三栅极晶体管。 本文一个英文句点符号上可以容纳超过600万个22纳米三栅极
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场效应管检测方法与经验
场效应管检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
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场效应管检测方法与经验
场效应管检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
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利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
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利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
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栅极低压保护驱动电路图
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栅极低压保护驱动电路图
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【名词解释】非晶硅TFT（amorphous silicon TFT）
目前，大多数正在量产的液晶面板使用的驱动元件均为非晶硅TFT。非晶硅TFT的开关特性优异，利用非晶硅TFT驱动的液晶面板用途广泛，小至手机和数码相机等小型显示屏，大至超过30英寸的大尺寸液晶电视。 非晶硅是指
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从成本和技术角度看高通28nm产品HKMG工艺
大家都知道几天前高通正式发布了现有Scorpion核心的下一代移动微处理器krait产品系列，这款新产品由于较早地采用了28nm制程，因此引起了 各方的注意。不过，与大家的期望相反，不久前高通曾经在IDEM大会上表示其大
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GLOBALFOUNDRIES CEO：2011主攻28nm工艺
半导体制造商GLOBALFOUNDRIES日前在东京举行了公司战略新闻发布会，该公司首席执行官Douglas Grose发布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的总结和2011年的展望。 ● 重点提高晶圆加工能力 Grose首先对2010年进行了回
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GlobalFoundries公司的20nm工艺：将与台积电同样采用后栅极方式
日前，美国GLOBALFOUNDRIES公司首席执行官Douglas Grose就今后的发展战略及工艺开发等问题阐述了该公司的观点。这是在“世界半导体高层论坛＠东京2011～半导体产业发展宣言～”（2011年1月24日在“日经礼堂”举行，《
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GF的20nm工艺：“将与台积电同样采用后栅极方式”
日前，美国GLOBALFOUNDRIES公司首席执行官Douglas Grose就今后的发展战略及工艺开发等问题阐述了该公司的观点。这是在“世界半导体高层论坛＠东京2011～半导体产业发展宣言～”（2011年1月24日在“日经礼堂”举行，《
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GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年开始20nm工艺量产”
美国知名半导体代工企业GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在东京召开了记者招待会，该公司首席执行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工艺的量产和产能扩大计划。28nm工艺方面，预定2011年4～6月进行首批顾客的送
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IBM展示全世界第一块20纳米低功耗晶圆
上周举行的Common Platform 2011技术大会上，IBM领衔的通用技术联盟各自介绍了其半导体制造工艺的最新进展，蓝色巨人自己更是拿出了全世界第一块采用20nm工艺的晶圆。 全世界第一块20nm晶圆 据介绍，这块晶
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晶圆代工巨擘Globalfoundries今年资本支出拟倍增
晶圆代工巨擘Globalfoundries Inc.扩张版图企图心旺！该公司财务长Robert Krakauer在接受彭博社专访时表示，今(2011)年度计划将资本支出拉高至54亿美元，此金额相当于去年度的2倍。报导指出，这些支出为德国德勒斯登
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晶圆代工巨擘Globalfoundries今年资本支出拟增一倍
晶圆代工巨擘Globalfoundries Inc.扩张版图企图心旺！该公司财务长Robert Krakauer在接受彭博社专访时表示，今(2011)年度计划将资本支出拉高至54亿美元，此金额相当于去年度的2倍。报导指出，这些支出为德国德勒斯登
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英特尔发表多栅极型产品，在III-V族沟道FET一马当先
美国英特尔和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET（演讲编号：6.1）。提高了沟道控制性，与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏极感应势垒降低）
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三星电子筹划晶圆代工大跃进
日前召开的ARM技术大会上，三星电子传出消息，计划大力推动高-K介质的32nm制程。 今年6月，韩国三星表示自己的代工厂已经可以使用高-K/金属栅极技术，满足制造32nm低功耗制程的要求。三星即将成为首家符合高-k/
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三星电子筹划晶圆代工大跃进
日前召开的ARM技术大会上，三星电子传出消息，计划大力推动高-K介质的32nm制程。 今年6月，韩国三星表示自己的代工厂已经可以使用高-K/金属栅极技术，满足制造32nm低功耗制程的要求。三星即将成为首家符合高-k/金
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IBM晶圆厂联盟否认遭遇高介电/金属栅极制程问题
成员包括GlobalFoundries、Samsung等厂商的IBM晶圆厂联盟，反驳了业界传言该联盟在高介电/金属栅极(high-k/metal-gate)遭遇困难的传言。根据Barclays Bank分析师Andrew Lu的一篇报告指出，由于可减少栅极漏电流，高介
