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浅谈英特尔后栅极工艺
很多人知道28nm制程比40纳米先进，耗电更低、发热更少、集成的晶体管更多。更进一步，不少人还知道HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)是实现更先进制程的必备技术。但了解HKMG的两种工艺——前栅极/后栅极的人就
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英特尔为什么牛X——移动芯片制程工艺一览
说了一大堆，无非论证了，除了大家熟悉的xx纳米（线宽）越小制程越先进，评价目前半导体制程水平还有两点：Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距，以及如果同样是HKMG栅极的情况下，采用前栅极工艺（gate-first）和后栅
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英特尔台积电三星GF工艺制程对比
说了一大堆，无非论证了，除了大家熟悉的xx纳米（线宽）越小制程越先进，评价目前半导体制程水平还有两点：Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距，以及如果同样是HKMG栅极的情况下，采用前栅极工艺（gate-first）和后栅
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英特尔为何能当老大：后栅极工艺浅谈
讯：半导体制程工艺上，英特尔要是说第二，那没人敢说第一。晶圆制造这个圈子，英特尔毫无疑问处于第一流，其他厂商包括IBM，英飞凌，NEC，意法半导体以及东芝等公司，以及目前半导体代工行业的老大老二老三&m
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入门分享：3D三维晶体管的基础知识
众所周知，晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。但很多人都不明白什么是3D三维晶体管.今天就让我们一起从下文的五个方面来了解有关3D三维晶体管的一些基础知识。
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利用升压三极管获取更多功率的方法
核心器件: 6L6束射功率管本设计实例采用的6L6束射功率管尽管已经存在了66年，现仍然十分流行地应用于电吉他放大器中，与其同类的6CA7 (EL34)功率五极管也是高保真音响"发烧
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功率MOSFET应用于开关电源注意的问题
功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。(1)栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。(2)直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻
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键控音量耳机放大器
键控音量耳机放大器
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高频功率放大器的中和问题
以真空电子管为核心放大器件的大功率高频功率放大器，其电子管极间电容的存在，会引起高频功率放大电路直通和反作用的不良影响，进而影响高频功率放大器的稳定工作。本文通过分析极间电容直通和反作用产生的原理，给出了几种消除极间电容寄生参数的方法，并总结了实际中用中和电路消除极间电容寄生参数的调整方法，对高频功率放大器发射机的实际调试与维护有很强的理论与实际指导意义。
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栅极导电层Au 迁移导致放大器失效原因分析
针对限幅低噪声放大器使用过程中出现输出不稳定现象，利用扫描电镜和能谱仪对场效应管栅极表面的金属缺失层和栅源之间的金属堆积物进行微观分析，寻找放大器工作不正常的原因。结果表明：场效应管栅极Au层的电迁移，使导线局部电阻增大，温度升高，导致Au 的热迁移加重，引起导线出现孔洞和栅源中间堆积金属颗粒，使栅极导线出现开路和栅源极间产生不稳定接触，最终导致场效应管的工作参数漂移和放大器工作不正常。
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MOS管被静电击穿的几个原因
我们在实际电子产品设计调试过程中，经常会有这样的疑问，MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入
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HL402的内部结构及工作原理图
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音色纯真的电子管扩音机
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英特尔:突破科技极限 用创新引领未来
21ic讯—英特尔公司创立已经45年了，进入中国也已28年。今天的英特尔，正在设计和构建关键技术，为全球的计算设备奠定基础。英特尔有一个清晰的愿景：创新和扩展计算技术，连接世界上每一个人，让大家的生活更美
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Mouser率先备货Fairchild FOD8160逻辑栅极光耦合器
21ic讯 Mouser Electronics率先备货新的Fairchild FOD8160逻辑栅极光耦合器，该产品非常适合发电和配电、工业电机以及不间断电源应用。FOD8160高速光耦合器支持隔离式通信
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飞兆半导体的高速逻辑栅极光电耦合器 符合新宽体5引脚SOP封装的更高绝缘要求
10mm爬电和间隙距离;符合高压工业设计所需的严格安全标准从事工业应用的设计人员需要在噪声很常见(以电压瞬态和接地环路电流的形式)的环境中可靠地传输高速数据。 他们还需
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常用功率器件MOSFET的基础知识介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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人体接近报警器电路
人体接近报警器电路
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场效应管的检测和使用
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极
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MOS管简介以及判定电极、放大能力的方法
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电
