英特尔45纳米高-k金属栅极处理器全面无铅化
英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破,采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以
通过对IGBT损坏机理的分析,根据其损坏的原因,采取相应措施对其进行保护,以保证其安全可靠工作。
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