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阿尔特拉与英特尔合作，按产品区分对待14nm和20nm技术
大型FPGA供应商阿尔特拉与全球最大规模的半导体企业英特尔日前宣布，双方已达成一致，阿尔特拉今后的FPGA产品将采用英特尔的14nm工艺三栅极工艺技术制造。身为无厂半导体供应商的阿尔特拉此前是委托全球最大规模的硅
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阿尔特拉与英特尔合作，按产品区分对待14nm和20nm技术
大型FPGA供应商阿尔特拉与全球最大规模的半导体企业英特尔日前宣布，双方已达成一致，阿尔特拉今后的FPGA产品将采用英特尔的14nm工艺三栅极工艺技术制造。身为无厂半导体供应商的阿尔特拉此前是委托全球最大规模的硅
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Altera采用Intel的14nm三栅极技术开发下一代高性能FPGA
Altera公司和Intel公司日前宣布，双方已经达成协议，未来将采用Intel的14 nm三栅极晶体管技术制造Altera FPGA。这些下一代产品主要面向军事、固网通信、云网络以及计算和存储应用等超高性能系统，将突破目前其他技术
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Altera采用Intel的14 nm三栅极技术开发下一代高性能FPGA
21ic讯 Altera公司和Intel公司今天宣布，双方已经达成协议，未来将采用Intel的14 nm三栅极晶体管技术制造Altera FPGA。这些下一代产品主要面向军事、固网通信、云网络以及计算和存储应用等超高性能系统，将突破目前其
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MOSFET结构及工作原理
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
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台积电投资90亿美元建五条28～16nm生产线
在2013年2月6日举办的“全球半导体论坛＠东京2013”（主办：《日经电子》）上登台演讲的台积电日本公司代表董事小野寺诚介绍了台积电（TSMC）2013年的微细化投资计划。台积电2013年的设备投资额计划为90亿美元，比上
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常用功率器件MOSFET基础介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管
硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究
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英特尔有望明年实现22nm工艺SoCs芯片
近日消息，据路透社报道，英特尔重申，明年有望实现22nm工艺SoCs芯片，因为该公司正在试图缩小他和ARM、高通和NVIDIA等竞争对手之间的差距。 “英特尔的22nm工艺SoC芯片，将于2013年开始准备大批量制造”本
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NAND闪存要“长生不老”：测试1亿次循环挂不了
固态硬盘普及了，随之而来的可靠性和寿命问题越发引人关注，特别是随着NAND闪存工艺的进步，反而越来越不耐用了：MCL NAND闪存再25nm时代还有3000-5000次的编程/擦写循环(P/E)，20nm时代就只有3000次了
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IGBT绝缘栅双极晶体管栅极过压保护电路图
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
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带栅极外偏置电路的场效应管放大电路图
在该放大器电路中.MPF162型场效应管的栅极采用外部电压偏置,从而能够很好的控制工作电和获得好的偏置条件。
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功率管理技术介绍
随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品
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电子管放大器抑制交流声的原理介绍
一、灯丝电压放大器的影响 电子管栅极与灯丝之间存在电容Cf，50赫的交流灯丝电压将通过Cf使灯丝与栅极之间出现漏电流IA，IA流过输入端从而带来了干扰，这个在输入级产生的干扰电压虽然很少，但经过几级放大后，对放
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光电探测器阵列CCD摄像器件
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明[82]，此后关于CCD的研究蓬勃发展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm，像素单元也从最早的不足2000增加到两千六百多万[83]。
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如何突破EDA功率的瓶颈
要点:1,虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。2,功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念
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电子管的三种工作状态
电子管放大器的工作状态决定于放大器栅极电路中所加栅偏压Eg的大少，见图Z，改变栅偏压Eg，阳极电流中的直流分量就要发生变化。当栅极偏压Eg等于截止栅压Ug0的一半时，在交流信号变化的整个周期内均有阳极电流流过，
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工作在高频率的简单锯齿波发生器
脉冲宽度调制信号发生器电路通常会使用一个模拟锯齿波振荡器功能，但它也可以用于其它应用。图1中是一只廉价的锯齿波发生器，它用于频率可高达10MHz甚至更高的小功率应用，以及那些对斜坡线性度和频率精度要求不高的
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流
