台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC2010ExecutiveForumonLeadingEdgeTechnology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/28nm及22
美国GLOBALFOUNDRIES公司和英国ARM公司共同开发了移动设备用28nm级的SoC技术,并在正于西班牙巴塞罗那市举行的 “Mobile World Congress 2010(MWC 2010)上发布。该技术基于ARM的“Cortex-A9处理器”和物理层IP内核
台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/2
台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/2
美国GLOBALFOUNDRIES公司和英国ARM公司共同开发了移动设备用28nm级的SoC技术,并在正于西班牙巴塞罗那市举行的“Mobile World Congress 2010(MWC 2010)上发布。该技术基于ARM的“Cortex-A9处理器”和物理层IP内核,
一、灯丝电压放大器的影响 电子管栅极与灯丝之间存在电容Cf,50赫的交流灯丝电压将通过Cf使灯丝与栅极之间出现漏电流IA,IA流过输入端从而带来了干扰,这个在输入级产生的干扰电压虽然很少,但经过几级放大后,对放
美国高通(Qualcomm)与台湾台积电(TSMC)将就28nm逻辑LSI的工艺开发与制造展开合作。台积电计划从2010年中期开始为高通量产28nm产品。高通将在该公司的便携终端用芯片组“Snapdragon”等产品上采用28nm工艺。
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。 据悉,
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。据悉,早
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。据悉,早
东芝公司今天在美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上宣布,其20nm级CMOS工艺技术获得了重大突破,开启了使用体硅CMOS工艺制造下一代超大规模集成电路设备的大门,成为业界首个能够投入实际生产的20nm级
据称,全球第一大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺,算上一直不顺利的40nm工艺真可谓是屋漏偏逢连夜雨了。 台积电方面尚未就此发表官方评论,不过已经有多个消息来源确认了这一点。 不过这并不意味着
瑞萨科技公司与松下公司共同宣布,在瑞萨那珂分部(茨城县日立那珂市)集中精力联合开发领先的SoC工艺技术,并将其28-32nm工艺开发线投入运营。在瑞萨那珂分部,两家公司正通过致力于对300mm晶圆产品线的联合开发和提供
瑞萨与松下联手打造新型SoC工艺技术开发线
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">随着半导体行业开始向下一代技术节点过渡,GLOBALFOUNDRIES有望占据代工技术领先者的地位。10月1日,在加利福尼亚州
英国布里斯托尔大学的研究人员们ijnri制作了一颗光学量子计算机芯片的样品,而且第一次执行了数学运算,向实用性量子计算机又迈出了重要的一步。 这个光学量子计算芯片非常小,之上搭载了更加迷你的二氧化硅波导。