栅极

摄像管栅极降压保护电路

非一般的晶体管

“一个蝴蝶可以刮起一阵风，一个士兵可以开始一场战争”，那么一项伟大的发明呢？1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎，大名鼎鼎的、

台积电：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞

AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？

当AMD在去年出售位于纽约北部的制造工厂GLOBALFOUNDRIES时，AMD宣称此举是为了“缩小与Intel的差距”。AMD制造系统技术副总裁Tom Sonderman表示：“我们在45nm技术上与Intel相差一年，这一差距将在32nm技术上大幅缩小

台积电研究发展资深副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞

台积电副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其

首款单栅极逻辑产品（Diodes）

Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。74LVCE1Gx

IBM瞄准10nm以下工艺

美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

IBM确认瞄准10nm以下工艺

美国IBMT.J.华生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半导体制造技术相关国际会议“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认了工作情

IBM采用直径3nm FET25级环形振荡器动作，瞄准10nm以下工艺

美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认

GlobalFoundries宣布开发20nm工艺与22nm共存

GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与 22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。 台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强型

GlobalFoundries宣布开发20nm工艺 与22nm共存

GlobalFoundries今天宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。 台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强

直接上20nm? 台积电玩火又要坑NV+AMD

为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研发，直接上马更高级的20nm工艺。 有趣的是，台积电和GlobalFoundries这两大代工厂此前已经不约而同地先后取消了32nm Bul

台积电转守为攻

接收本杂志访问的台积电蒋尚义（摄影：山田 慎二） 台湾台积电（TSMC）推出了通过设备投资和技术开发超越竞争对手的战略。该公司2009年实现了31％的营业利润率，2010年将实施大幅超过其他竞争对手的48亿美元设备投资

传三星正积极研究Gate-last工艺

据消息来源透露，三星公司的芯片制造技术发展战略可能发生较大的变化，他们正在考虑转向使用gate-last工艺制作high-k器件。按照三星原来的计划，他们将在年内推出的28/32nm制程芯片产品中使用gate-first工艺来制作hi

台积电介绍20nm技术开发及晶圆处理能力提高状况

台湾台积电（TSMC）2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/2