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CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能模块
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。
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借助Littelfuse栅极驱动器评估平台加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期
协助设计师为数据中心、汽车HEV和工业应用实现碳化硅节能
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罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议
该协议将提高SiC器件的制造灵活性，促进车规级和工业级SiC商用
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罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议
~有助于推动SiC在车载市场和工业设备市场的普及~
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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年1月14日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
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中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将投产，最大碳化硅材料基地即将诞生
今日，据悉，中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将投产，项目达产后，预计形成产值 100 亿元。该项目将有吸引上游企业，形成产业聚集的作用。打造电子装备制造、第三
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Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器，提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间
MAX22701E将CMTI性能提升3倍、总体系统能耗降低30%，有效延长系统运行时间
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低损耗
2019年12月9日，美国新泽西州普林斯顿--新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
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意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购
从材料专业知识和工艺工程，到SiC MOSFET和二极管设计制造，意法半导体加强内部SiC生态系统建设
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Cree和ST提高现有碳化硅晶片供货协议总价
基于碳化硅的电源解决方案在整个汽车市场中的采用率正在快速提高，因为该行业力求加快行业从内燃机向电动汽车的转型，提高系统效率，使电动汽车具有更长的续航里程和更快的充电速度，同时降低成本，减轻车重，节省空间。
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高能效车载充电方案
电动、混动汽车可通过直流充电桩或普通的交流电源插座对其高压电池子系统进行充电，车载充电器(OBC)是交流充电的核心系统。
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Cree和意法半导体提高现有碳化硅晶片供货协议总价并延长协议期限
中国，2019年11月21日——Cree有限公司和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体于19日宣布，双方将现有碳化硅(SiC)晶圆片多年长期供货协议总价提高至5亿美元以上，并延长协议有效期。这份延长供货协议将原合同总价提高一倍，按照协议规定，Cree在未来几年内向意法半导体提供先进的150mm碳化硅裸片和外延晶圆。
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科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议
科锐与意法半导体宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议至5亿多美元。意法半导体是全球领先的半导体供应商，横跨多重电子应用领域。这一延伸协议是原先协议价值的双倍，科锐将在未来数年向意法半导体提供先进的150mm SiC裸晶圆和外延片。这一提升的晶圆供应，帮助意法半导体应对在全球范围内快速增长的SiC功率器件需求，特别是在汽车应用和工业应用。
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Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目，共同开发新一代碳化硅衬底
该项目旨在通过提供先进技术与产品，提高碳化硅的可用性及性能，以满足电动汽车、通信及工业应用领域对碳化硅不断上涨的需求
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纯电动车三级充电桩的优选
采用Vienna拓扑有着诸多优势，但也会带来不小的挑战，因为采用该拓扑需要实现大功率高频转换开关操作，此举还会产生开关损耗，加之转换损耗所产生的热量也需要得到处理。
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基本半导体车规级全碳化硅功率模块斩获第十四届“中国芯”奖项
“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉，被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。10月25日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，并现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果。
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拐点来临，第三代半导体将催生万亿元市场
未来，第三代半导体应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。
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青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案，助力新能源汽车产业发展
9月19日，在青铜剑科技十周年庆典活动上，青铜剑科技、基本半导体联合发布了面向新能源汽车电机控制器的全碳化硅器件解决方案，采用自主研发的1200V碳化硅MOSFET芯片及车规级功率模块封装，配合稳定可靠的碳化硅门极驱动器，将有效提升新能源汽车电驱动系统关键部件性能。
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