MOSFET
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涨知识！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太阳能逆变器中的性能比较
点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！国际能源署的数据显示，到2030年，太阳能光伏 (PV)装置的装机容量有望达到3,300TWh，与2019年的水平相比，年增率为15%[1]，这意味着能源供应的比例在不断上升。光伏装置的安装是将微型、迷你和电力公...
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
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Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”
参与面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管现场讨论;直接观看点播来自Nexperia实验室视频演示
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MOSFET告急！大厂停工、交期不断延长，第三季再涨10%~20%
近日，马来西亚实施了更为强硬的「强化行动管制令」，当地IDM大厂都被迫停工，据悉，IDM均已通知客户交期延长至少2周以上，MOSFET供给缺口将再扩大，成为现今终端最缺的元器件之一，业界预期，受各家抢料及晶圆成本上涨，MOSFET第三季价格可望再涨10%~20%。多家MOSFET...
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东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！目前碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料，因为它比硅的电压更高，损耗更低。然而，虽然碳化硅器件具有很大的发展前景，但该类器件的产品可靠性一直备受争议，这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFE...
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超结型MOSFET前来助阵，TOLL封装为大功率产品锦上添花
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！根据数据统计显示，功率MOSFET约占据全球功率器件市场规模的22%。功率MOSFET在近几年间需求的快速增长，源于其独特的产品优势：第一，功率MOSFET驱动电路较为简单，通常可以由TTL驱动电路或者CMOS直接驱动；第二，功率MOSFET的...
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内含福利｜东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！环境和能源问题是一个重要的全球性问题。同时，随着电力需求持续升高，对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。而在这其中，功率半导体扮演着极为重要的角色。功率半导体具有将直流电转换成交流电的逆变器功能，将交流电转换成直流电的转换...
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东芝MOSFET来袭，是你的心中所想么？
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！MOSFET因其开关特性和驱动特性在电子设计领域引领风骚已有数十年之久。在实际应用场景中，MOSFET会根据不同的耐受等级来分类设计其电气属性，实现了物尽其用。一些电机驱动电路对控制信号的精度要求比较高，并要求经过MOSFET的损耗必须小，但一...
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手指一戳，车规级MOSFET就到面前了
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！MOSFETMOSFET所具备的开关特性和驱动特性在整个电子设计领域的历史进程中都具备划时代的意义。其中，汽车电子领域对MOSFET有很严苛的要求：1、在传输数字信号时候，精度要高；2、开关特性、驱动特性下的抗干扰能力要强；3、在正常运行下自身...
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关于MOSFET的十五个“为什么”
（1）为什么E－MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？【答】E－MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E－MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即...
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东芝SiC MOSFET降低功率损耗，迈向碳中和
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，而在高开关频率高功率的应用中，SiC器件优势明显，这就使得SiCMOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。S...
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MOSFET 数据手册，试试这样看！
▼点击下方名片，关注公众号▼MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表...
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MOSFET的每个特性参数都讲透了，干货满满！
01绝对最大额定值02电参数来源：机智的互联网——TheEnd ——
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MOS驱动电路设计需要注意的地方
来源| 巧学模电数电单片机一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流，然而，在MOSFET的GS两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI的要求话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关...
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英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
近日，英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。
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适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本
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MOSFET价格飙涨供货紧张，多家本土厂商就位
海外MOSFET供给有限，国内哪些厂商能够解市场之渴？
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大厂囤货！MOSFET告急，原厂交期延长至69周
国内本土厂商也迎来转单潮！
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台MCU厂按月涨价，历史首见！
7月22日，中国台湾地区微控制器（MCU）厂凌通举行股东日常会议，针对未来市场情况，凌通总经理贾懿行表示，下半年订单持续畅旺，使目前订单动能相当吃紧，值得注意的是，目前状况已经严重到产品单价出现过去没发生过的以月为单位的报价模式，厂商并预期，下半年需求仍将维持强劲水准。
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三极管和MOSFET选型规范
三极管和MOSFET器件选型原则
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