MOSFET
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最大限度提高性能的一组全新的MOSFET产品
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下来让小编带领大家一起学习MOSFET。
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英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。
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可以驱动开关电源如MOSFET，JFET的栅极驱动器
伸缩门栅极驱动器?它的工作原理是什么?栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。这就要求栅极驱动的栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。
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什么是开关电源的同步与非同步整流？有什么特点？
你知道开关电源的同步与非同步整流吗?文主要介绍开关电源的同步与非同步整流，及其各自的特点。同步是采用导通电阻极低的专用功率MOSFET，来取代续流二极管以降低整流损耗。能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
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Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET
Diodes 公司今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。
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Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率
节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC
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关于电源IC的Vcc电压，你了解吗？
什么是电源IC的Vcc电压?它有什么特点?关于绝缘型反激式转换器的性能评估，除了规格以外，需要确认的“重要检查点”本次将说明“Vcc电压”。
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Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能
“ASFET”采用专为特定应用量身定制的MOSFET参数
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电力电子器件选用原则是什么？
通常来说，选用哪类器件取决于成本、效率的要求并兼顾开关频率。如果要求硬开关在100kHz以上，一般只有MOSFET能够胜任。用于太阳能光伏发电系统逆变器(含输入直流斩波级)的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。
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MOSFET器件的选择技巧
小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择MOS管时，一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，从而获得最佳的产品设计体验。
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功率器件的前世今生
电力电子器件(Power Electronic Device)，又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。由于早期主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面，因此得名“电力电子器件”。
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东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源)，并于今日开始出货。
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充电电池的电路设计
通常我们都知道从电路性能上来考虑， 使用锗二极管或者肖特基二极管是最好的选择。
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如何改善白光LED？线性稳压器(LDO)可以吗？
自从前些年白光LED诞生以来，白光 LED 的应用得到了稳步发展。与荧光灯相比具有使用简单、成本低的优势，与白炽灯相比可以提供更接近于白色的光，因此，其用量在最近几年呈现出稳步上升的趋势，在手持式产品中被广泛用作闪光灯、显示器背光等。当然，在实际应用中针对白光 LED 也存在一些有待解决的技术问题。
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实装电源电路 PCB 板布局相关的注意事项的经验分享，值得收藏
开关电源电路的PCB布局是怎么样的呐，小编根据自己的经验，为大家分享了实装 PCB 板布局相关的注意事项。
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贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块，兼具SiC MOSFET与二极管之长
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。
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ROHM开发出1mm见方超小型车载MOSFET!
提升散热性与安装可靠性，非常适用于日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备
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Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²
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IGBT 系统设计详解
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器
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智能MOSFET可提高医疗设计的可靠性及性能
目前，受更好的显示和存储器技术的推动，以及即将来临的北美地区数字电视播送的最后期限，高清晰度视频开发的热度正在快速上升。近期技术所取得的进展，已经使得从体积小到手机、MP3播放机，大到视频墙
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