Diodes 公司今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET,以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间,包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。
节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m,Qg为6.5 nC
什么是电源IC的Vcc电压?它有什么特点?关于绝缘型反激式转换器的性能评估,除了规格以外,需要确认的“重要检查点”本次将说明“Vcc电压”。
“ASFET”采用专为特定应用量身定制的MOSFET参数
通常来说,选用哪类器件取决于成本、效率的要求并兼顾开关频率。如果要求硬开关在100kHz以上,一般只有MOSFET能够胜任。用于太阳能光伏发电系统逆变器(含输入直流斩波级)的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。
小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,工程师在选择MOS管时,一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,从而获得最佳的产品设计体验。
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。由于早期主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面,因此得名“电力电子器件”。
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。
通常我们都知道从电路性能上来考虑, 使用锗二极管或者肖特基二极管是最好的选择。
自从前些年白光LED诞生以来,白光 LED 的应用得到了稳步发展。与荧光灯相比具有使用简单、成本低的优势,与白炽灯相比可以提供更接近于白色的光,因此,其用量在最近几年呈现出稳步上升的趋势,在手持式产品中被广泛用作闪光灯、显示器背光等。当然,在实际应用中针对白光 LED 也存在一些有待解决的技术问题。
开关电源电路的PCB布局是怎么样的呐,小编根据自己的经验,为大家分享了实装 PCB 板布局相关的注意事项。
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。
提升散热性与安装可靠性,非常适用于日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器
目前,受更好的显示和存储器技术的推动,以及即将来临的北美地区数字电视播送的最后期限,高清晰度视频开发的热度正在快速上升。近期技术所取得的进展,已经使得从体积小到手机、MP3播放机,大到视频墙
半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅(SiC)器件,包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管(SBD)和功率 MOSFET。与此同时,由于可供分析的现场数据有限,这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些 SiC 供应商已开始根据严格的工业和汽车(
半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下,LED照明系统商正面临出货递延的窘境,因此晶片商正加紧发表整合高
现今电力电子技术在电源模块中发展的趋势是低电压、大电流。使得在次级整流电路中选用同步整流技术成为一种高效、低损耗的方法。由于功率MOSFET的导通电阻很低,能提高电源效率,所以在采用隔离Bu
东芝公司(Toshiba CorporaTIon)推出了一种低导通电阻功率MOSFET,该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A