MOSFET
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用集成MOSFET解决方案取代 BJT
功率因数校正 (PFC) 阶段就像好寿司中的米饭。正如大米创造了一个让其他成分发光的基础，PFC 阶段可以让其他成分为最终产品提供动力。金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 对 PFC 控制器输出信号变化的响应对 PFC 级至关重要。为了使时序正确，栅极驱动电路必须仅在应有的时候切换 FET。
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意法半导体新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗
点击“意法半导体PDSA"，关注我们！2021年10月26日,中国——STPOWERMDmeshK6新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如，LED驱动器、HID灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。意法半导体80...
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意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗
2021 年 10 月 26 日,中国——STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。
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三季度报告，捷捷微电：部分MOSFET因产能上涨了50%-60%
集微网消息，10月23日，捷捷微电近日发布2021年第三季度报告，实现营业收入4.94亿元，同比增长74.25%；归属于上市公司股东的净利润1.49亿元，同比增长94.11%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.37亿元，同比增长88.11%。捷捷微电在最新的投资者活...
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MOSFET栅极前 100 Ω 电阻有什么用？
故事开始年轻的应用工程师Neubean想通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个100Ω的电阻放在MOSFET栅极前。拥有30年经验的应用工程师Gureux对他的实验进行了监督，并全程提供专家指导。高端电流检测简介图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。图1高端电...
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如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路
功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。 目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须要走向无桥型，才能进一步减少器件使用，减少功率器件数量与导通路径上的损耗。 在其中，图腾柱功率因素校正电路（totem-pole PFC）已证明为成功的拓扑结构，其控制法亦趋于成熟。
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开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了
DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图1—降压同步开关稳压器原理图...
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MOSFET最新市场报告：规模冲百亿美元，留意交期延长变数
根据TrendForce研究显示，MOSFET、IGBT与Bipolar属于功率半导体元件（电晶体领域），用来做为半导体开关，其中MOSFET长年占比超过五成，2020年占52.9％，2021年由于市场需求旺盛，占比有望小幅提升至54.2％。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
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首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半导体有限公司针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on), 使其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。
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使用合适的MOSFET可以提高太阳能利用效率
在过去的 10-30 年里，气候变化一直是一个备受争议的话题，引发了关于哪些类型的法规是必要的政治讨论。从短期来看，开发更环保的基础设施，摆脱化石燃料等相对廉价的能源，成本要高得多。
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VishaySiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器荣获21IC2021年度Top 10电源产品奖
稳压器采用5 mm x 7 mm封装，输出电流达40 A，提高了功率密度和瞬变响应能力
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igbt和电力mosfet在内部结构和开关特性
MOSFET和IGBT的对比
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产
新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时 最大限度地提高效率
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如何为我们的应用选择合适的功率 MOSFET 或功率模块的封装
在开始新设计时，工程师常常被功率金属氧化物半导体场效应晶体管 ( MOSFET ) 和功率块的封装选项数量所淹没。
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英飞凌赋能Flex Power Modules全新开关式电容中间总线转换器，为48V数据中心应用提供高功率密度
【2021年9月17日，德国慕尼黑和瑞典斯德哥尔摩讯】近日，Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔离式开关电容中间总线转换器(IBC)，可为数据中心提供高功率密度供电，从而提高电路板空间利用率，为其他组件释放空间。
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涨知识！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太阳能逆变器中的性能比较
点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！国际能源署的数据显示，到2030年，太阳能光伏 (PV)装置的装机容量有望达到3,300TWh，与2019年的水平相比，年增率为15%[1]，这意味着能源供应的比例在不断上升。光伏装置的安装是将微型、迷你和电力公...
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安森美电机开发套件获中国2021年Top 10电源产品奖
业界认可该套件的创新加快更高能效的电机控制方案的开发
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SiC 器件专有的可靠性保证途径及其重要性
作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
