MOSFET
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国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET，月产能可达100KK~150KK
新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC，其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流，因此需要更多的中高压MOSFET。在疫情影响导致产能降低的情况下，IDM大厂为抢占新兴市场，将部分中低压MOSFET产能转移至中高压MOSFET，使中低压MOSFET出现供给短缺。中低压MOSFET供应商的交期平均为十几周，有的甚至超过30周。锐骏凭借自建封装厂和合作国内封装大厂，月产能100KK~150KK，中低压MOSFET交期只需要2~4周。
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英飞凌推出新一代MOTIX™半桥驱动IC
继发布BTN89xx获得成功之后，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
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从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
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英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。
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如何最大限度地减少电池供电电机驱动器中的 MOSFET 传导损耗
许多应用使用低压电池（2-10 节锂离子）供电的电机驱动器，如电动工具、园林工具和真空吸尘器。这些工具使用有刷或无刷直流电机(BLDC)。BLDC 电机效率更高，维护更少，噪音更低，使用寿命更长。
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使用 30V 栅极驱动器管理电源噪声
世界是一个嘈杂的地方——电源也不例外。为了追求更高的效率，电源转换器以越来越快的速度切换会产生意想不到的问题，包括增加系统对瞬态和噪声的敏感性。在选择如何设计电源以及使用哪些组件来设计电源时，考虑到这种敏感性很重要。
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没有输入电压检测是否可以实现功率因数校正 (PFC) ？
功率因数校正 (PFC) 强制输入电流跟随输入电压 (V IN )， 因此任何电气负载看起来都像一个电阻器。此操作需要感测输入电压并基于该感测调制电流参考。电流环路将强制输入电流跟随参考。
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固态继电器设计的现代方法
固态继电器 (SSR) 是一种基于半导体的设备，用于对负载进行开/关控制。SSR中通常使用的半导体包括两种类型的功率晶体管和两种类型的晶闸管。功率晶体管包括双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。晶闸管包括可控硅整流器 (SCR) 和三极交流开关 (TRIAC)。
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MOSFET结构及工作原理详解
详细介绍MOSFET结构及其工作原理！
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使用 PowerStack 封装堆叠电流以获得更高功率的 POL
电压调节器，尤其是带有集成 MOSFET 的 DC/DC 转换器，已经从简单的、由输入电压、输出电压和电流定义的低功率电源发展到现在能够提供更高的功率、监控它们运行的环境和适应因此。
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高级控制器和 NexFET™ 电源块在高功率 POL 应用中的灵活性
高性能电源设计继续要求在日渐缩小的板上空间中提供更高的功率。更高的电源密度对电源设计师提出了新的挑战。设计必须具有高于 90% 的转换效率，以限制功耗和电源中的温升。由于 DC/DC 电源转换的损耗和有限的气流，使得散热空间非常狭小，因此热性能的设计尤其重要。
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如何使用TI提供的选择工具选择合适的 MOSFET器件
如何为开关模式电源 (SMPS) 应用选择最合适的场效应晶体管 (FET) ，是非常困难的。根据数据表规格预测电路性能是一个乏味的过程。现在，借助在线设计工具团队，TI 提供了一个基于网络的选择工具，可帮助我们权衡各种 MOSFET 的成本和性能权衡。该工具使用上述应用笔记中的公式，因此仅专门涵盖同步降压转换器拓扑。然而，由于这种拓扑绝对是用于实现分立 FET 的最流行的非隔离 DC/DC 拓扑，因此它仍然支持大量的电源终端应用。
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Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市
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安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信
新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准
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新品发布 | 高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信
点击蓝字 关注我们领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，发布新的600VSUPERFETⓇ VMOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80PLUSTitanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600VSU...
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。
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7种MOSFET栅极电路的常见作用，不看不知道！
概述：MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域（SOA）宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器...
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意法半导体新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗
点击“意法半导体PDSA"，关注我们！2021年10月26日,中国——STPOWERMDmeshK6新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如，LED驱动器、HID灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。意法半导体80...
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SiC MOSFET结构及特性
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JF...
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全球MOSFET制造商名录
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率，及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件。基本上，功率半导体大致可分为功率离散元件(PowerDiscrete)与功率积体电路(PowerIC)二大类，其中，功率...
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WMIII
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