MOSFET
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通过使用具有顶部冷却功能的 SMD 封装来提高 DC-DC 转换器的性能
本文分析了表面贴装 (SMD) 封装中的硅 MOSFET在热性能方面与底部冷却封装相比在热性能方面的效率，从而降低了热阻和工作温度。它将展示如何降低结温有助于提高功率效率，因为主要硅 MOSFET 参数会因温度变化(如 RDS (on)和 Vth 电平)而发生更平滑的变化，以及降低总导通和开关损耗。
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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏置电压极不可能发生，就会发生这种情况。
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基础电路学习（3）-- MOSFET驱动电路小结
这几天准备测试DCDC电源的时候，发现没有负载，想着要不买一个看看，淘宝搜了一下，看到网上好多都是给电池放电，测试放电曲线用的，价格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程电源大师课中有设计好的负载demo板，立即便下载下来准备打样，自己做一个动态负载切换的PCBA负载切换的原理很简单，主要通过PWM控制MOS管导通截止来使下图右侧的电阻R5短路和断路，其中TP2为DCDC输出电压。
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贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
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ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
顶部冷却简化设计并降低成本，实现小巧紧凑的电源方案
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电机驱动设计：集成驱动器与栅极驱动器的区别
在设计电机控制电路时，确定如何提供驱动电机所需的大电流至关重要。设计人员必须选择是使用具有内部功率器件的单片集成电路 (IC)，还是使用栅极驱动器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器与 NexFET 功率 MOSFET 的组合可以提高电源效率
全球能源价格的上涨以及与电子产品相关的运营费用的增加正在成为设备和/或消费品采购决策的重要组成部分。因此，研发工程师一直在寻找降低产品功耗的方法。过去，这主要适用于电池供电的应用，因为效率会严重影响设备的运行时间。然而，这种趋势近年来已经扩大到包括许多离线供电的消费品。
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对比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好吗？
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率，及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率零组件。
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最新行业新闻，英飞凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 发布 PowerDI8080-5器件
英飞凌推出 LITIX Power 双通道 DC/DC 控制器，无需额外的微控制器即可驱动 LED 前照灯。 Infineon Technologies AG通过双通道独立 DC/DC 控制器扩展了其LITIX Power 系列。该公司声称新的 TLD6098-2ES是第一款无需额外微控制器即可驱动全 LED 前照灯的产品。该控制器还可以操作四种标准 LED 前灯 功能：远光灯 (HB)、近光灯 (LB)、日间行车灯 (DRL) 和转向灯 (TURN)。LITIX Power 产品还可用作外部 LED 照明中动画的电压源。
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选择功率 MOSFET 的简单指南
鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广，并且分配给主板电源的空间越来越小，使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期，同时优化特定应用的设计。
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如何在我们的项目中选择合适的 MOSFET 器件
随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动，MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压，这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时，我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部，我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。
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电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS)
现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。
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CMOS耗尽模式技术具有许多优势，第一部分
传统上，耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件，因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断，因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只有三个端子当栅极控制电压在电源和地之间变化时，栅极的三端耗尽型 MOSFET 的沟道。Dr. Kahng 的耗尽型 MOSFET 只能用作可变电阻或同相线性缓冲器。从那时起，耗尽型 MOSFET 一直被用作三端线性器件。
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栅极驱动器的重要性，第二部分
为了最大限度地减少开关阶段的功耗，必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流，则功率损耗会降低，因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说，栅极驱动器执行以下任务：
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采用高可信度的MOSFET模型进行基于模型的功率转换器设计
在设计功率转换器时，可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真，带来更多的工程洞见。然而，与制造商精细的器件模型相比，这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文探讨了功率转换器设计人员该如何结合使用系统级模型和精细模型，探索设计空间，并带来高可信度结果。本文使用MathWorks的系统级建模工具Simulink® 和 Simscape™，以及精细的英飞凌车规级MOSFET SPICE子电路），对该过程进行示范性展示。
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意法半导体推出符合 VDA 标准的LIN 交流发电机稳压器，提高 12V 汽车电气系统的性能和灵活性
该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管，MOSFET提供交流发电机励磁电流，当励磁关闭时，续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制，当车辆的整体电能需求不断变化时，使输出电压保持稳定不变。
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新品推荐：-60V SGT介绍
2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。
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电力电子课程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长，尤其是在高功率时。这样，它们不能保证良好的饱和度，因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术，使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件，这个问题已大大减少。在任何情况下，表示此类组件的最常用名称是 MOSFET。
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