MOSFET
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CMOS耗尽模式技术具有许多优势，第一部分
传统上，耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件，因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断，因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只有三个端子当栅极控制电压在电源和地之间变化时，栅极的三端耗尽型 MOSFET 的沟道。Dr. Kahng 的耗尽型 MOSFET 只能用作可变电阻或同相线性缓冲器。从那时起，耗尽型 MOSFET 一直被用作三端线性器件。
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栅极驱动器的重要性，第二部分
为了最大限度地减少开关阶段的功耗，必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流，则功率损耗会降低，因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说，栅极驱动器执行以下任务：
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采用高可信度的MOSFET模型进行基于模型的功率转换器设计
在设计功率转换器时，可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真，带来更多的工程洞见。然而，与制造商精细的器件模型相比，这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文探讨了功率转换器设计人员该如何结合使用系统级模型和精细模型，探索设计空间，并带来高可信度结果。本文使用MathWorks的系统级建模工具Simulink® 和 Simscape™，以及精细的英飞凌车规级MOSFET SPICE子电路），对该过程进行示范性展示。
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意法半导体推出符合 VDA 标准的LIN 交流发电机稳压器，提高 12V 汽车电气系统的性能和灵活性
该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管，MOSFET提供交流发电机励磁电流，当励磁关闭时，续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制，当车辆的整体电能需求不断变化时，使输出电压保持稳定不变。
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新品推荐：-60V SGT介绍
2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。
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电力电子课程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长，尤其是在高功率时。这样，它们不能保证良好的饱和度，因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术，使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件，这个问题已大大减少。在任何情况下，表示此类组件的最常用名称是 MOSFET。
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评估 SiC 在汽车行业之外的潜力
碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外，在过去五年中，汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明，通过 SiC 转换器实现 DC 到 AC 的基本转换比硅 (Si) 转换器更小、更轻且更高效，因此宽带隙器件在汽车行业的潜力将显着增长。
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使用 SiC MOSFET 提高工业驱动能效
工业电源应用基于强大的电动机，可以在风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱中找到。三相电动机是最常见的电动机类型，它由适当的基于逆变器的驱动器驱动。它可以吸收一个行业高达 60% 的全部电力需求，因此对于驱动器提供高效率水平至关重要。
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从硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技术的发展
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的，因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开发。
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温度监控系统优化电源设计中的冷却系统
与低功率同类产品不同，MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此，有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要，包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设备。
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使用新型预驱动器和 MOSFET 的汽车功率负载控制
今天的汽车配备了种类繁多的电子配件和电子安全辅助装置，使车辆更具吸引力、更安全和更易于使用。此外，传统的液压系统(如动力转向和自动变速箱)正在被电动等效系统取代，以帮助减轻整体重量并提高燃油经济性。
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说明 SiC MOSFET 在电力电子中的优势
电力设计是由市场需求驱动的，以提高效率和生产力，同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统，这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主导地位的地方，宽带隙 (WBG) 技术，尤其是碳化硅 (SiC) 技术的最新进展正在为电力电子系统的设计人员带来额外的好处，提高效率和更高的电压能力，从而减少形式因素。
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新增国产耗尽型MOSFET，世强硬创全线代理方舟微消费/工业类产品线
2022年3月24日，世强硬创平台与成都方舟微电子有限公司(下称“方舟微“)签署合作协议，方舟微授权世强硬创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。
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国际碳化硅专利布局报告出炉，MOSFET量产公司派恩杰受关注
在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后，中国功率半导体上车进程开始进入白热化，电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管，可实现最高功率密度
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066)，为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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Diodes 公司 PowerDI8080 封装的 MOSFET 提升现代汽车应用功率密度
【2022 年 05 月 26 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出创新高电流、高热效率且符合电动车 (EV) 产品应用需求的功率封装 PowerDI®8080-5。PowerDI®8080-5 封装的首款产品为 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 闸极驱动下，此款符合汽车规格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 仅为 0.54mΩ，闸极电荷为 117nC。如此领先业界的效能使汽车高功率 BLDC 马达驱动器、DC-DC 转换器及充电系统的设计人员能大幅提升系统效率，同时确保将功耗维持在绝对最低水平。
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耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET
在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。
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意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。
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在电池保护应用中如何选择 MOSFET器件
在这篇文章中，我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年，越来越多的电子设备由包含锂离子 (Li ion) 电池的电池供电。高功率密度、低自放电率和易于充电使其成为几乎所有便携式电子产品的首选电池类型——如今，从口袋里的手机到每天数以百万计开车上班的电动汽车，应有尽有由锂离子电池供电。尽管它们具有许多优点，但这些电池也带来了一定的风险和设计挑战，如果不成功缓解这些风险和设计挑战，可能会导致灾难性的后果。我认为没有人会很快忘记 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 设备平板电脑和随后的召回。
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负载开关的应用如何选择 MOSFET器件
MOSFET 被用作负载开关的次数超过了在任何其他应用中的使用量，一次数量为数亿个。我可能应该从我在这里定义“负载开关”的确切方式开始。为了这篇文章的缘故，考虑负载开关任何小信号 FET，其在系统中的唯一功能是将一些低电流 (
田舍郎
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