MOSFET
-
在电池保护应用中如何选择 MOSFET器件
在这篇文章中，我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年，越来越多的电子设备由包含锂离子 (Li ion) 电池的电池供电。高功率密度、低自放电率和易于充电使其成为几乎所有便携式电子产品的首选电池类型——如今，从口袋里的手机到每天数以百万计开车上班的电动汽车，应有尽有由锂离子电池供电。尽管它们具有许多优点，但这些电池也带来了一定的风险和设计挑战，如果不成功缓解这些风险和设计挑战，可能会导致灾难性的后果。我认为没有人会很快忘记 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 设备平板电脑和随后的召回。
-
负载开关的应用如何选择 MOSFET器件
MOSFET 被用作负载开关的次数超过了在任何其他应用中的使用量，一次数量为数亿个。我可能应该从我在这里定义“负载开关”的确切方式开始。为了这篇文章的缘故，考虑负载开关任何小信号 FET，其在系统中的唯一功能是将一些低电流 (
-
如何选择 MOSFET – 开关电源应用
在当前市场上，高性能功率 MOSFET 最常见的用途或许也是选择最合适的 FET 的最大挑战。性能、价格和尺寸之间的权衡从来没有比开关模式电源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混乱。 遍历一个详尽的 SMPS 拓扑列表，包括隔离的和非隔离的，并列出每个拓扑最重要的考虑因素，这可能需要一个新奇的 - 一个比我这样的简单营销工程师拥有更多技术知识的应用程序专家。但我确实希望在本博客的后续段落中，我可以提供至少一些技巧和陷阱来避免。
-
如何选择 MOSFET，基于各方面考量
在复杂的电源设计中，金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的选择往往是事后才考虑的。毕竟，它只是一个三针设备。它有多复杂，对吧？但是任何喜欢生蚝的人都会（试图）告诉你，外表可能是骗人的。尝试选择正确的 MOSFET 或“FET”可能比我们想象的要复杂。
-
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。
-
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
-
如何为 SiC MOSFET 选择合适的栅极驱动器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半导体行业取得了重大进展，这要归功于与硅基开关相比的一系列优势。这些包括更快的开关、更高的效率、更高的工作电压和更高的温度，从而产生更小、更轻的设计。 这些属性导致了一系列汽车和工业应用。但是像 SiC 这样的宽带隙器件也带来了设计挑战，包括电磁干扰 (EMI)、过热和过压条件，这些可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
-
TI的FemtoFET功率 MOSFET 减少PCB体积
《星际迷航》如何预测未来的技术进步继续让我感到惊讶。《星际迷航：原始系列》中的手持通讯器在 1960 年代作为道具出现在电视节目中时似乎是一个奇迹。然而，它又大又笨重，而且在几集中，通讯器丢失或停止工作，这使得传送回船上是不可能的。
-
如何使用栅极驱动器设备来控制继电器
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载，但我们知道它们还可以驱动感性负载，例如功率继电器线圈吗？这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱动感性负载时，它们通常以低得多的频率切换，驱动电流受线圈电阻的限制。栅极驱动 IC 已用于驱动电感负载，例如栅极驱动变压器，但频率范围为数十至数百千赫。
-
同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗
-
最全！盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低压，中压，高压MOSFET，工作温度最高可达175℃，推动研发项目快速国产化选型。
-
ST几款高压半桥驱动器介绍
ST的高压驱动器旨在优化矢量电机驱动系统，在高开关频率和智能关机时具有优异的性能，以保护最终应用。 STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器集成了一个比较器保护，一个运放电流传感和一个集成的引导二极管，从而减少了系统级别所需的外部组件的数量。
-
级联 MOSFET 中高压转换器的设计注意事项
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”的极性不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
-
英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。
-
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查
-
双向DC/DC性能分析及研究
摘要:通过对双向DC/DC变换器的系统结构及功率损耗的分析研究,以寻求合理的系统结构和性能参数,达到提高双向DC/DC变换性能的目的。通过对系统电路结构及工作原理的分析、核心器件参数的计算和选择、功率损耗的分析,首先进行了理论仿真,再经过实验测试,研究了在双向DC/DC变换中驱动脉冲占空比及频率、输出电流等对双向DC/DC性能及参数所产生的影响,从而确定了其最佳工作条件及参数。
-
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
【2022年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知，无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。
-
国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET，月产能可达100KK~150KK
新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC，其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流，因此需要更多的中高压MOSFET。在疫情影响导致产能降低的情况下，IDM大厂为抢占新兴市场，将部分中低压MOSFET产能转移至中高压MOSFET，使中低压MOSFET出现供给短缺。中低压MOSFET供应商的交期平均为十几周，有的甚至超过30周。锐骏凭借自建封装厂和合作国内封装大厂，月产能100KK~150KK，中低压MOSFET交期只需要2~4周。
-
英飞凌推出新一代MOTIX™半桥驱动IC
继发布BTN89xx获得成功之后，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
-
从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
cgd
fjsfsxwz
ccqccqccq
WMIII
ygmdyq77777
13543016677
davidzhu210
xiayy
thurmann
OMGde
worse
zhengqh
风1401963329
rongwinzip
Kelan
alex47158992
zyq_126126
pansir2019
西门看雪
1009877836
