MOSFET
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如何使用栅极驱动器设备来控制继电器
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载，但我们知道它们还可以驱动感性负载，例如功率继电器线圈吗？这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱动感性负载时，它们通常以低得多的频率切换，驱动电流受线圈电阻的限制。栅极驱动 IC 已用于驱动电感负载，例如栅极驱动变压器，但频率范围为数十至数百千赫。
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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗
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最全！盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低压，中压，高压MOSFET，工作温度最高可达175℃，推动研发项目快速国产化选型。
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ST几款高压半桥驱动器介绍
ST的高压驱动器旨在优化矢量电机驱动系统，在高开关频率和智能关机时具有优异的性能，以保护最终应用。 STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器集成了一个比较器保护，一个运放电流传感和一个集成的引导二极管，从而减少了系统级别所需的外部组件的数量。
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级联 MOSFET 中高压转换器的设计注意事项
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”的极性不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
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英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。
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Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查
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双向DC/DC性能分析及研究
摘要:通过对双向DC/DC变换器的系统结构及功率损耗的分析研究,以寻求合理的系统结构和性能参数,达到提高双向DC/DC变换性能的目的。通过对系统电路结构及工作原理的分析、核心器件参数的计算和选择、功率损耗的分析,首先进行了理论仿真,再经过实验测试,研究了在双向DC/DC变换中驱动脉冲占空比及频率、输出电流等对双向DC/DC性能及参数所产生的影响,从而确定了其最佳工作条件及参数。
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英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
【2022年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知，无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。
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国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET，月产能可达100KK~150KK
新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC，其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流，因此需要更多的中高压MOSFET。在疫情影响导致产能降低的情况下，IDM大厂为抢占新兴市场，将部分中低压MOSFET产能转移至中高压MOSFET，使中低压MOSFET出现供给短缺。中低压MOSFET供应商的交期平均为十几周，有的甚至超过30周。锐骏凭借自建封装厂和合作国内封装大厂，月产能100KK~150KK，中低压MOSFET交期只需要2~4周。
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英飞凌推出新一代MOTIX™半桥驱动IC
继发布BTN89xx获得成功之后，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
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从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
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英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。
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如何最大限度地减少电池供电电机驱动器中的 MOSFET 传导损耗
许多应用使用低压电池（2-10 节锂离子）供电的电机驱动器，如电动工具、园林工具和真空吸尘器。这些工具使用有刷或无刷直流电机(BLDC)。BLDC 电机效率更高，维护更少，噪音更低，使用寿命更长。
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使用 30V 栅极驱动器管理电源噪声
世界是一个嘈杂的地方——电源也不例外。为了追求更高的效率，电源转换器以越来越快的速度切换会产生意想不到的问题，包括增加系统对瞬态和噪声的敏感性。在选择如何设计电源以及使用哪些组件来设计电源时，考虑到这种敏感性很重要。
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没有输入电压检测是否可以实现功率因数校正 (PFC) ？
功率因数校正 (PFC) 强制输入电流跟随输入电压 (V IN )， 因此任何电气负载看起来都像一个电阻器。此操作需要感测输入电压并基于该感测调制电流参考。电流环路将强制输入电流跟随参考。
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固态继电器设计的现代方法
固态继电器 (SSR) 是一种基于半导体的设备，用于对负载进行开/关控制。SSR中通常使用的半导体包括两种类型的功率晶体管和两种类型的晶闸管。功率晶体管包括双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。晶闸管包括可控硅整流器 (SCR) 和三极交流开关 (TRIAC)。
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MOSFET结构及工作原理详解
详细介绍MOSFET结构及其工作原理！
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使用 PowerStack 封装堆叠电流以获得更高功率的 POL
电压调节器，尤其是带有集成 MOSFET 的 DC/DC 转换器，已经从简单的、由输入电压、输出电压和电流定义的低功率电源发展到现在能够提供更高的功率、监控它们运行的环境和适应因此。
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高级控制器和 NexFET™ 电源块在高功率 POL 应用中的灵活性
高性能电源设计继续要求在日渐缩小的板上空间中提供更高的功率。更高的电源密度对电源设计师提出了新的挑战。设计必须具有高于 90% 的转换效率，以限制功耗和电源中的温升。由于 DC/DC 电源转换的损耗和有限的气流，使得散热空间非常狭小，因此热性能的设计尤其重要。
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