MOSFET
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Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度
器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证
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对于电源管理来说，碳化硅到底比硅强了多少？
诸如太阳能和风力发电之类的创新技术正在加速取代传统燃料为基础的电厂，并且由于储能和收集方法的改善，从而节省了大量成本，已经超过了昂贵的“发电厂”。
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最全的MOSFET技术疑难盘点
导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。
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如何优化48V轻混电动车(MHEV)的电机驱动器设计
制造商制造轻混电动车(MHEV)的最终目标是减少温室气体(GHG)排放。轻混电动车包含一个连接到车辆变速器系统的48V电机驱动系统。
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意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
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意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
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赋能未来，勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章
2021年3月18日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. 联合创始人兼首席技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。
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东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率
东芝今日宣布，在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。
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Silicon Labs、瑞萨、罗姆等将汇聚世强硬创新产品研讨会，发布功率器件全品类最新产品和技术
去年年底，受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响，国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知，产品供不应求，无法满足国内迅速爆发的市场需求。
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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变...
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Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列，推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品
节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能
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MPQ5069保护开关：具备受损 MOSFET 检测、输出电量测量功能
在这篇文章中，小编将对MPS MPQ5069保护开关的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度。
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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度
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MPM6010同步降压 LED 驱动器，高效同步工作模式、汽车级
以下内容中，小编将对MPS MPM6010同步降压 LED 驱动器的相关内容进行着重介绍和阐述。
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真的是不能再详细了，这款降压开关变换器推荐给你
本文中，小编将对MPS MPQ2172单片降压开关变换器予以介绍。
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采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。
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宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)...
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Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET
业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，导通电阻仅为30 mΩ
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ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET
~24款适用于工业设备及大型消费电子设备的-40V和-60V耐压产品全新上线~
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Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET，为功率转换应用提供业界最低FOM指标
第四代N沟道器件降低导通和开关损耗，提高能效！
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