本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现,证明碳化硅电力解决方案的优势。
2021年6月9日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与PANJIT签订全球分销协议。
近日,英飞凌科技股份公司推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品,该模块采用有源钳位三电平(ANPC)拓扑结构.
M6 MRH25N12U3硅晶体管可以承受极端的太空环境,增强电源电路可靠性.
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案
中国上海,2021年5月27日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦(“光伏耦合器”)---“TLP3910”。
奈梅亨,2021年5月27日:基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET,该器件采用高可靠性的LFPAK88封装,适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式进行理论上的近似计算)。
器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证
诸如太阳能和风力发电之类的创新技术正在加速取代传统燃料为基础的电厂,并且由于储能和收集方法的改善,从而节省了大量成本,已经超过了昂贵的“发电厂”。
导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子,所以也称为双极型三极管。
制造商制造轻混电动车(MHEV)的最终目标是减少温室气体(GHG)排放。轻混电动车包含一个连接到车辆变速器系统的48V电机驱动系统。
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。
2021年3月18日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. 联合创始人兼首席技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。
东芝今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。
去年年底,受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响,国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知,产品供不应求,无法满足国内迅速爆发的市场需求。
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor),发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变...
节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能
在这篇文章中,小编将对MPS MPQ5069保护开关的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度。