MOSFET
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寻根究底：PFC电路旁路二极管作用及MOSFET常见失效模式
刘松 刘瞻 卢森茂 艾结华 中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工
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好在哪？用在哪？为您解读我司全新SiC MOSFET方案！
点击上方蓝字关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商，是该技术的先锋，并创建了最低RDSon的SiCMOSFET之一。我们提供同类最佳的封装技术，全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiCMOSFET...
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提高安全性和可靠性的ST电子熔断器，你了解吗？
什么是提高安全性和可靠性的ST电子熔断器?它有什么作用?意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。
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新型超结MOSFET器件，你听说过吗？
什么是新型超结MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率，减少用料并降低总生产成本。
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LinkSwitch-XT2开关电源IC，你了解吗？
什么是LinkSwitch-XT2开关电源IC?你知道吗?PI最近推出集成900V初级MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2离线式开关电源IC。
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英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合动力汽车新技术
2019年5月14日，德国慕尼黑/施兰贝格讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：
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高效超结MOSFET，你听说过吗？
什么是高效超结MOSFET?它有什么作用?2018年12月14日 - 意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。
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使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。
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第四代600V E系列MOSFET器件，你了解吗？
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。
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60V TrenchFET® N沟道功率MOSFET，你知道吗？
什么是60V TrenchFET® N沟道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。
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STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET，你听说过吗？
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。
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ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，该系列产品可确保部件安装后的可靠性，且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q
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碳化硅MOSFET特性以及相关基础知识
你知道碳化硅MOSFET特性吗?随着半导体工艺不断精进，半导体的材料也随之改朝换代，碳化硅在众多半导体材料中脱颖而出。碳化硅凭借具有不可比拟的优良性能，同时碳化硅更是宽禁带半导体材料之一，其最大特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，
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安森美半导体的领先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的优势
安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商，是该技术的先锋，并创建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我们提供同类最佳的封装技术，全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC和氮化镓(GaN)驱动器及集成模块。
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MOS管开关原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以说是工程师最熟悉的器件之一，不过MOS管我们天天见，但是不乏一些刚入行的工程师、甚至是少数行业老手对于MOS的基础理论的掌握不是很牢固，所以专门写一篇文章为大家总结一下MOS的开关原理和基础知识。
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一文看明白众说纷纭的SiC（文末报名在线研讨会）
一文看明白众说纷纭的SiC（文末报名在线研讨会） 第一代半导体材料一般是指硅（Si）元素和锗（Ge）元素，其奠定了20 世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、砷化铟（InAs）、砷化
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氮化镓晶体管的应用，你知道吗？
什么是氮化镓晶体管?它有什么作用?硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限，现在需要转移到新的元素。氮化镓或氮化镓是一种高流动性的半导体电子半导体(HEMT)，在满足新的应用方面被证明是一种真正的附加价值。
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【媒体访谈】车用级碳化硅应用如何？
点击上方蓝字关注我们 安森美半导体： 不断推进与车企的各种合作项目 安森美半导体提供大范围的车用碳化硅 （SiC） MOSFET 和车用SiC二极管，包括：650V SiC二极管、1200V SiC二极管、1700V SiC二极管、650V SiC MOSFET （现提供样品，今...
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MOSFET数据手册你会看了吗？
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。 极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。 VDS表示漏极与源极
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云计算制造商要面对哪一些困境
那么究竟什么是云计算呢？云计算是指负责在全球范围内存储和移动数据的许多远程服务器所构成的网络，我们可以通过 Wi-Fi？、LAN 或蜂窝网络来进行访问。这些远程服务器的作用类似于大型存储设备，包
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