MOSFET
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Power Supply WebDesigner设计工具能提供一整套节省时间的LED驱动器设计工具
随着政府强制禁用白炽灯的法令已经开始严格执行，LED 照明市场持续增长，然而在寻求有效设计电源系统以实现 LED 小型化方面仍然存在不少挑战。诸如双向可控硅调光控制、应对全球良莠不齐的电源线路法
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英飞凌推出62mm CoolSiC™模块，为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌科技股份公司为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。
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Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块，输出电流提高11 %
双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率，所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %
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电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET，你了解吗？
什么是电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET?它有什么作用?2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
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小型表面贴装LDO稳压器系列，你知道吗？
什么是小型表面贴装LDO稳压器系列?它有什么特点?2019年3月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出两款全新系列的小型表面贴装LDO稳压器---TCR5BM系列和TCR8BM系列，用于移动设备、影像和音视频产品的电源供电应用。TCR5BM系列包含40个型号，支持低至100mV的压差和最大500mA的输出电流;TCR8BM系列同样包含40个型号，支持低至170mV的压差和最大800mA的输出电流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。
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半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED，你接触过吗？
什么是半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED?它有什么作用?2019年3月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列采用无色表面贴装和半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED---VLD.1232..系列。
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集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC，那你知道吗？
什么是集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC?它有什么作用?2019年5月7日讯– 深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。
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SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器，你了解吗？
什么是SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动?它有什么作用?碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
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击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器，你知道吗？
什么是意法半导体, 1050V MOSFET VIPer转换器?它有什么作用?意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
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业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET，你了解吗？
什么是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
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瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性，延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌
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提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET，你知道吗？
你知道提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET吗?它有什么特点?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
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采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET，你了解吗？
你知道采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET吗?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
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新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，你知道吗？
你知道新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET吗?它有什么作用?东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
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ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
~可加快车载主机逆变器等的普及速度~
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寻根究底：PFC电路旁路二极管作用及MOSFET常见失效模式
刘松 刘瞻 卢森茂 艾结华 中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工
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好在哪？用在哪？为您解读我司全新SiC MOSFET方案！
点击上方蓝字关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商，是该技术的先锋，并创建了最低RDSon的SiCMOSFET之一。我们提供同类最佳的封装技术，全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiCMOSFET...
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提高安全性和可靠性的ST电子熔断器，你了解吗？
什么是提高安全性和可靠性的ST电子熔断器?它有什么作用?意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。
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新型超结MOSFET器件，你听说过吗？
什么是新型超结MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率，减少用料并降低总生产成本。
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LinkSwitch-XT2开关电源IC，你了解吗？
什么是LinkSwitch-XT2开关电源IC?你知道吗?PI最近推出集成900V初级MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2离线式开关电源IC。
