MOSFET
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【世说设计】专家技术文章：提高 4H-SiC 肖特基二极管和 MOSFET 的雪崩耐受性
半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率 MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些 SiC 供应商已开始根据严格的工业和汽车（
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恩智浦推高整合LED驱动器 应对MOSFET缺货
半导体业者竞相开发高整合度发光二极体（LED）照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延的窘境，因此晶片商正加紧发表整合高
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同步整流技术在通信电源模块中的应用优势
现今电力电子技术在电源模块中发展的趋势是低电压、大电流。使得在次级整流电路中选用同步整流技术成为一种高效、低损耗的方法。由于功率MOSFET的导通电阻很低，能提高电源效率，所以在采用隔离Bu
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Toshiba推车用低导通电阻功率MOSFET
东芝公司（Toshiba CorporaTIon）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A
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知识大全：便携设计中模拟开关的变迁
笙科电子（AMICCOM） 为亚洲地区IC设计公司中，同时专长于SRD （短距离无线通信） 与卫星通讯LNB的射频IC设计公司。笙科电子于2013年1月发表新一代的卫星通讯产品，命名为 A7
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瑞萨推出第三代车载SJ-MOSFET，同时降低导通电阻和EMI
瑞萨电子开发出同时降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）的30～40V耐压车载用超结MOSFET（SJ-MOSFET），并在“ISPSD 2013（日本电气学会主办，2013年5月2
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飞兆半导体的汽车级高速、低边驱动器系列 可提高效率、简化设计
触控笔记本今年市场渗透率估约15%，表现不如预期，第3季触控笔记本OGS面板下跌了5~8%，希望刺激需求。DisplaySearch研究总监谢忠利指出，近期低价版本问世，触控面板价格已经降到
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国产IGBT前景看好，但突破之路颇曲折
随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件；而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGB
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Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
增强人机接口 （HMI） 体验，可充分满足游戏、移动及计算机附件以及工业控制面板与消费类电子的需求 2013 年 12 月11 日，北京讯——德州仪器 （
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SiC将会是分立器件和模块共存的市场
SiC应用十几年了，现在这个第三代半导体材料发展现状如何了？21ic中国电子网记者连线了安森美半导体电源方案部产品市场经理王利民，讲述安森美半导体在SiC上的故事。
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专家分享：高效高可靠LED驱动设计的心得
一、不要使用双极型功率器件 DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严
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Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和可靠性
【新闻要点】 * 风河被行业专家誉为NFV平台软件的领导者。 * 风河的TItanium Cloud计划快速扩大，最近增加Check Point、ConteXtrea
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Vishay推新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为
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东芝推出了40V N沟道功率MOSFET
在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统（EPS）大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中，东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗
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精华！兼容路创和Leviton调光器的LED灯丝灯解决方案
历经2015年LED照明市场的沉浮发展，灯丝灯成为市场关注的焦点。今天，小编为大家带来的是：晶丰明源高性价比灯丝灯可控硅调光解决方案。 BP3216灯丝灯可控硅调光方案解决了哪些
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摒弃表象从技术上解决问题：LED驱动设计的五大心得
想要普及LED灯具，不仅需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题，PowerIntegraTIons市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计的心
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门极驱动器为SiC-MOSFET模块提供全面保护
1、SiC-MOSFET模块 如今，对高效的功率能量转换的需求催生了全SiC-MOSFET模块，它由并联的SiC-MOSFET和SiC二极管芯片组成。在参考文献［1， 2， 3，
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Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平
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快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 （Analog
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快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 （Analog
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