全球IDM(整合元件制造)业者持续抢攻车用电子新蓝海,英飞凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重点业务皆聚焦汽车相关产品,对于功率半导体、功率模组、模拟IC、中高阶MOSFET(金氧半场效
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。
你知道解析功率场效应管保护电路设计的方法吗?它有什么作用?什么是保护电路
Allegro MicroSystems公司的A6862是N沟功率MOSFET驱动器,具有三个独立的浮置栅极驱动输出,集成的电荷泵控制器稳压器在电源电压降至4.5V时有足够的栅极驱动电压大于7.
On Semi公司的STK984-190-E是用于下一代汽车无刷直流系统的汽车功率集成模块(PIM),包含6个40 V/30 A MOSFET配置为一个三相桥,及一个额外的40 V/30 A高边
随着政府强制禁用白炽灯的法令已经开始严格执行,LED 照明市场持续增长,然而在寻求有效设计电源系统以实现 LED 小型化方面仍然存在不少挑战。诸如双向可控硅调光控制、应对全球良莠不齐的电源线路法
英飞凌科技股份公司为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。
双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率,所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %
什么是电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET?它有什么作用?2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
什么是小型表面贴装LDO稳压器系列?它有什么特点?2019年3月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款全新系列的小型表面贴装LDO稳压器---TCR5BM系列和TCR8BM系列,用于移动设备、影像和音视频产品的电源供电应用。TCR5BM系列包含40个型号,支持低至100mV的压差和最大500mA的输出电流;TCR8BM系列同样包含40个型号,支持低至170mV的压差和最大800mA的输出电流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。
什么是半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED?它有什么作用?2019年3月28日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列采用无色表面贴装和半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED---VLD.1232..系列。
什么是集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC?它有什么作用?2019年5月7日讯– 深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。
什么是SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动?它有什么作用?碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能,能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过,SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护,这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
什么是意法半导体, 1050V MOSFET VIPer转换器?它有什么作用?意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。
什么是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET?它有什么作用?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性,延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌
你知道提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET吗?它有什么特点?2019年12月11日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
你知道采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET吗?它有什么作用?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
你知道新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET吗?它有什么作用?东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
~可加快车载主机逆变器等的普及速度~