MOSFET
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基于THB8128的步进电机驱动器设计
本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω（上桥+下桥）。高耐压42V，大电流4
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LED驱动设计的关键点是什么
要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题，PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计
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看完这篇，请不要再说不懂MOSFET！（文末有惊喜）
01 认识功率器件 1.1 功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ，具有很高的战略地位，下面我们从一张图看功率器件的全貌： 1.2 功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱
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英飞凌在线研讨会：超低压MOSFET你不可不知的那些事儿
【英飞凌在线研讨会】 将于4月22日震撼来袭 作为电子工程师 MOSFET绝对是一门必修课 英飞凌近日推出超低压MOSFET (20-45V) 系列 针对服务器电源、主板电源、车充/充电宝、充电器、无线充电、马达驱动等应用 如此广阔应用之下 这款产品的优点也不容小觑 喜
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请举手回答，稳压器是怎么工作的？
稳压器会产生具有恒定预设幅度的固定输出电压，无论其输入电压或负载条件是否变化。稳压器分为两类：线性和开关式。 线性稳压器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串联或并联)。它将输出电压与精密基准电压源相比较，并对通流器件进行调
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PI公司宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级认证
美国加利福尼亚州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用
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宜普电源转换公司(EPC)发布第十一阶段可靠性测试报告 - 失效性测试显示氮化镓器件的稳定性比硅功率MOSFET器件更具优势
继第一至第十阶段可靠性测试报告后，EPC公司的第十一阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对受测器件进行超过1230亿元件-小时应力测试，并且展示氮化镓器件的稳定性是硅功率器件所不能实现的。
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明纬电源“1+1”并机冗余设计
全彩LED小间距显示屏能在更小的屏体上，显示更真实的效果，应用范围越来越广泛，特别在一些特殊应用场合，例如剧场剧院、大型演出、国际赛事现场直播与重要视频会议等。显示屏的高可靠性、低故障、免维护的特性也是受到人们青睐的主因之一。传统冗余电源接法是由2个或多个电源于正端分别串接二极管的方式并联输出至电源总线上。可以让1个电源单独工作，也可以让多个电源同时工作。当其中1个电源出现故障时，由于二极管的单向导通特性，不会影响电源总线的输出。
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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–
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IGBT工作原理解析
什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成员之一，有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。那么，IGBT是如何完成开关过程的?
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SiC MOSFET在汽车和电源中的应用
科学技术的不断发展推动者电子元器件的不断革新，传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。
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安森美推出宽禁带器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作
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东芝面向中大电流IGBT/MOSFET，推出内置保护功能的光耦
中国上海，2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。
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英飞凌推出600 V CoolMOSTM S7
对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模块问市
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
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CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能模块
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。
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性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET
【2020年3月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。
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英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。
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