MOSFET

用于汽车启停的低耗能电源设计的几种方法

随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功

继续快速成长，2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

TrendForce预估，2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币，较2018年成长12.17%，维持双位数的成长表现。

基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

　　1.概述　　功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动。功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、

适用于小功率电机驱动的MOSFET逆变模块设计

　　本文介绍新型的MOSFET逆变模块，用于驱动风扇和水泵中的小型直流无刷电机。这种功率模块集成了6个MOSFET和相应的高压栅极驱动电路 (HVIC)。通过使用专门设计的MOSFET和

如何选择最佳的开关式DC/DC转换器

　　利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关（MOSFET等）进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量就是开关电源

采用P沟MOSFET和N沟MOSFET的电路

如何优化PCB设计以最大限度提高超级结MOSFET的性能

　　基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比

如何为电源系统开关控制器选择合适的MOSFET？

　　DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导

基于漏极导通区特性来理解MOSFET的开关过程

　　MOSFET 的栅极电荷特性与开关过程　　尽管 MOSFET 在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解 MOSFET 开关过程，以

安世半导体年度产能超过1000亿件

2月21日，全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件制造商安世半导体通过其官方微信公众号宣布：安世半导体被荷兰恩智浦剥离出来作为一家独立公司，仅用两年时间即领先市场同行，实现收入增长超过35%，将年度产能扩产至超过1000亿件。

采用P通道MOSFET管和电源监测电路

MOSFET学习：N沟道MOS管和P沟道MOS管

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易

Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能达到业内最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。

意法半导体推出快速恢复的超结MOSFET，为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。

英特尔14nm CPU产能开出，MOSFET淡季不淡！

去年一直困扰着大中、杰力等MOSFET厂的6吋及8吋晶圆代工产能不足问题，今年上半年也获得解决。 由于小尺寸面板驱动IC及微控制器(MCU)投片量明显减少，MOSFET厂第一季可以取得更多晶圆代工产能支持，上半年不会再有产能不足情况发生。

基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。

世界先进董事长：MOSFET需求仍旺盛，贸易战对其影响不大！

中美贸易战对金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)为主的分离式元件供需影响较小，他认为，目前MOSFET需求仍十分旺盛。

MOSFET

本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET（金氧半场效晶体管）。 当电源与其负载突然断开时，电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压，对电路上的电子元件造成十

8吋晶圆订单依旧满载，需求胜于12吋！

8吋半导体矽晶圆大厂合晶指出，8吋订单依旧满载，不过6吋的需求有转趋疲弱的迹象，稼动率有松动的情况。据悉，8吋重掺半导体矽晶圆明年上半年将延续涨势，涨幅可望达到10%以上，而明年上半年整体的8吋矽晶圆的涨幅约落在高个位数附近。

贸泽开售TI LMG3410R070 GaN功率级产品 支持新型电动机的高密度需求

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化镓 (GaN) 功率级产品。