MOSFET

针对高耐用性和可靠性电源需求，意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。

意法半导体推出600V三相智能关断栅极驱动器，提高工业应用性能和安全性

中国，2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

​英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。

ROHM开发出节能优势显著的升降压型DC/DC转换器“BD83070GWL”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备，开发出一款内置MOSFET的升降压型DC/DC转换器*1)“BD83070GWL”，该产品实现了超高效率和超低消耗电流。

耗尽型模拟开关：无电源也能高性能连接

耗尽型MOSFET开关，一度不那么受欢迎，且常被视为典型的增强型FET的同属，却在最近几年中越来越受欢迎。安森美半导体投入该技术，开发出越来越多的耗尽型模拟开关系列。这些开关越来越多地用于很好地解决工程问题。此博客将使读者更好地了解这些实用的器件的能力，并介绍方案示例。

安森美半导体和格芯合作转让纽约东菲什基尔300mm晶圆厂的所有权

安森美半导体公司(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半导体收购GLOBALFOUNDRIES位于纽约东菲什基尔(East Fishkill, New York)的300 mm晶圆厂达成最终协议。此次收购总代价为4.3亿美元，其中1亿美元已在签署最终协议时支付，其余3.3亿美元将在2022年年底支付，之后，安森美半导体将获得该晶圆厂的全面运营控制权，该厂的员工将转为安森美半导体的员工。此交易的完成取决于监管机构的批准及其它惯例成交

在LLC拓扑中，为什么选用体二极管恢复快的MOSFET

在当前全球能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理方面，用传统的硬开关转换器是很难达到新能效标准。因此，电源设计者已将开发方向转向软开关拓扑，以提高电源的能效，实现更高的工作频率。 LLC谐振转换

半导体成就电动汽车“芯”

上海华虹宏力半导体制造有限公司于2018年度中美贸易关系混乱的市场环境中仍获取了优异成绩，达到行业领先地位，其产能利用率更是高达99.2%。

Diodes 公司的单级高功率因子 LED 驱动控制器配备混合模式调光

【2019年5月29日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Nasdaq：DIOD)今日宣布推出AL1665单级返驰式及降压升压控制器，可用于商业、联机、可调光的LED照明安装，最高可以100W运作。

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

德州仪器（英语：Texas Instruments，简称：TI），是全球领先的半导体跨国公司，以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世，主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。

提高功效，快速选择最佳的开关式DC-DC转换器

在电路中，通过可控开关(MOSFET)等进行快速高频的开关动作，利用电感与电容自身带的储能特性，能够将输入的电能储存到电容里，当把开关断开时，储存的电能能够再次释放给负载，此时，提供能量就是开关电源，整个的输出功率和电路的电压能力是与开关电路的导通时间和整个周期的开关是有关系的，因此，我们可以得到以下结论，开关电源能够用于生涯和降压，DC/DC转换器是利用MOSFET开关闭合电路导通时在电感器中储存能量，当电路断开时，电感器中存储的能量又会通过二极管传输给负载。

新产能开出 昇阳半3月营收创高

全球最大半导体薄化代工厂昇阳半 3 月营收创高，达 2.16 亿元，月成长 20.95% ，年成长 39.09% ，累计第一季营收年成长为 28.57% ;昇阳半自去年下半年以来，随着产能开出，营收持续垫高，而在新项目陆续加入后，第二季营收可望再向上。

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，补足成长的生态系统，并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

让变频空调更节能，ROHM推出600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。

安森美推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

安森美半导体新的SiC MOSFET另一独特的优势是具有专利的终端结构，增加了可靠性和强固性，并增强了工作稳定性。NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流，并提供高的雪崩能力和强固的短路保护。

显著节约能耗，德州仪器推出首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率德州仪器(TI) (纳斯达克代码: TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑

TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

AOS推出适用于便携式应用的功率MOSFET